本發(fā)明提供了一種柵網(wǎng)及其制備方法、離子源裝置和半導體設備，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域。通過在具有柵網(wǎng)孔洞分布的柵網(wǎng)的表面，以及柵網(wǎng)孔洞的內(nèi)壁制備厚度和成分均勻且性能穩(wěn)定的保護層，通過使用保護層的柵網(wǎng)，有效降低IBS以及離子束刻蝕工藝中柵網(wǎng)引入的...

本發(fā)明提供了一種碳化硅柵網(wǎng)及其制備方法、離子源裝置和半導體設備，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域。該碳化硅柵網(wǎng)的制備方法是基于CVD工藝來制備碳化硅柵網(wǎng)，相比較現(xiàn)有技術(shù)的金屬柵網(wǎng)和石墨柵網(wǎng)而言，本申請制備的碳化硅柵網(wǎng)不僅具有良好的電學性能和熱導性能，...

本發(fā)明公開了一種檢測裝置，包括：傳感器模塊，包括圖像傳感器和距離傳感器，用于檢測晶圓外周與承載臺上的聚焦環(huán)的間距及晶圓的邊緣位置與距離傳感器的間距；處理器模塊，與傳感器模塊通信連接以調(diào)節(jié)各個傳感器的開閉，并接收各個傳感器的檢測數(shù)據(jù)以判斷...

本發(fā)明提供了一種碳化硅柵網(wǎng)及其制備方法、離子源裝置和半導體設備，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域。通過對基板進行改進使其第一表面和第二表面上分別具有多個間隔排布的凸起結(jié)構(gòu)，凸起結(jié)構(gòu)所在位置是基于柵網(wǎng)孔洞來確定的，基于此基板結(jié)構(gòu)形成碳化硅涂層，在一次切...

本發(fā)明提供了一種在工程結(jié)構(gòu)表面沉積多層DLC膜層的方法及半導體設備，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域。形成的粗化表面有助于消除DLC膜層沉積產(chǎn)生的界面應力，且有助于增加后續(xù)DLC膜層的沉積厚度。形成的C原子擴散分布層可增加與含C的DLC膜層的界面粘著...

本發(fā)明提供了一種腔室內(nèi)工件表面的處理方法及半導體設備，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域。其中凹凸表面的設計增大了工件的表面積，改善了副產(chǎn)物鍍層在破裂之前形成的時間和厚度，能在一定程度上延續(xù)IBS穩(wěn)定生產(chǎn)的工藝過程。對凹凸表面進行粗化處理的設計，進一步...

本申請公開一種介質(zhì)窗冷卻裝置及等離子體刻蝕設備。介質(zhì)窗冷卻裝置用于冷卻介質(zhì)窗，所述介質(zhì)窗的上方設有線圈，所述介質(zhì)窗冷卻裝置包括導熱件；所述線圈具有冷卻腔，所述冷卻腔連通有冷卻介質(zhì)源，所述導熱件的上表面用于和所述線圈的下表面接觸，所述導熱...

本發(fā)明公開的晶圓檢測裝置涉及半導體設備技術(shù)領(lǐng)域，包括固定組件、懸浮組件和檢測組件，固定組件用于設置于承載裝置上，并產(chǎn)生第一磁場；懸浮組件用于產(chǎn)生第二磁場，且第一磁場和第二磁場的方向相反，在第一磁場和第二磁場的相互作用下，懸浮組件能夠懸浮...

本申請?zhí)峁┮环N半導體結(jié)構(gòu)的平坦化方法，通過第一離子束刻蝕工藝可以對膜層表面起伏度即第一高度差異進行初步修平。利用第二離子束刻蝕工藝，借助膜層以及結(jié)構(gòu)、密集度差異性，對第二半導體結(jié)構(gòu)的不同區(qū)域間重新創(chuàng)造出新的表面起伏度差異，增大高度差，即...

本申請?zhí)峁┮环N半導體結(jié)構(gòu)的平坦化方法，提供第一半導體結(jié)構(gòu)；第一半導體結(jié)構(gòu)包括沿目標方向排布的第一區(qū)域和第二區(qū)域，目標方向與襯底指向第一膜層的方向垂直，在第一區(qū)域中第二膜層的表面，與在第二區(qū)域中第二膜層的表面之間具有第一高度差異；對第二膜...

本申請?zhí)峁┮环N半導體結(jié)構(gòu)的制造方法，利用第一刻蝕工藝對半導體結(jié)構(gòu)的第一形貌進行修飾，得到過渡形貌，第一刻蝕工藝的第一入射角度根據(jù)第一起伏度差值、刻蝕速率以及等效入射角之間的第一對應關(guān)系確定，第一起伏度差值為第一形貌中第一最高點和第一最低...

本技術(shù)公開了一種刻蝕腔體、刻蝕設備，刻蝕腔體包括形成腔室的壁體和位于腔室的內(nèi)襯，還包括內(nèi)嵌于壁體內(nèi)的多個加熱器和多個冷卻管路，加熱器沿腔室的水平周向分布，加熱器的下端位于壁體對應腔室底部的位置，加熱器的上端位于高于內(nèi)襯的最低端的位置；冷...

本技術(shù)公開了一種晶圓傳輸腔室及半導體傳輸設備，本申請實施例中，晶圓傳輸腔室能夠與校準組件和換熱組件適配安裝，這樣可以單獨選擇校準組件或換熱組件安裝于腔室本體，或者通過集成設計的校準組件和換熱組件，實現(xiàn)校準功能或換熱功能，即本申請實施例中...

本申請公開一種邊緣進氣裝置及等離子體刻蝕設備，該邊緣進氣裝置包括勻氣部件、噴氣部件和驅(qū)動部件；所述勻氣部件具有勻氣腔，所述勻氣腔對應的側(cè)壁開設有安裝孔，所述噴氣部件具有噴氣通道，所述噴氣部件的進氣端位于所述勻氣腔，所述噴氣部件的出氣端貫...

本申請公開了一種等離子體刻蝕機及其介質(zhì)窗溫控裝置與控制方法，涉及等離子體刻蝕機的溫控設備技術(shù)領(lǐng)域，等離子體刻蝕機具有用于對目標物體進行等離子體刻蝕的刻蝕腔體，刻蝕腔體頂部包括介質(zhì)窗；介質(zhì)窗溫控裝置包括：側(cè)壁，側(cè)壁固定在刻蝕腔體頂部的周緣...

本申請公開了一種半導體加工設備及其閥件，閥件包括閥體、閥板和驅(qū)動部件；所述閥體包括上腔、下腔和多個閥口，所述上腔通過所述閥口與所述下腔連通；多個所述閥口分為兩個閥口組，兩個所述閥口組相對第一水平中心線對稱布置，每個所述閥口處對應設有一個...

本發(fā)明公開一種半導體器件的加工設備，包括：殼體，殼體內(nèi)形成有真空腔室；承載臺，位于真空腔室中，包括載臺本體、壓接部件和抵頂部件，壓接部件包括壓片和壓接軸，壓片和壓接軸相連，壓片位于載臺本體的軸向一側(cè)，壓接軸和抵頂部件均滑動連接于載臺本體...

本申請?zhí)峁┮环N離子源系統(tǒng)，包括放電腔、分隔部、正離子束引出柵網(wǎng)、電子束引出柵網(wǎng)，所述分隔部將所述放電腔分隔為多個互不相通的分區(qū)，所述多個分區(qū)的同一端各自設置引出口，所述多個分區(qū)還各自設置進氣口，其中，至少一個所述分區(qū)的引出口設置正離子束...

本申請公開了一種碳化鎢薄膜的制備方法，可用于半導體領(lǐng)域，該碳化鎢薄膜的制備方法中，首先，向輔助離子源通入惰性氣體以對樣品進行預清洗，向濺射離子源通入惰性氣體以對靶材表面進行預清洗；而后，向濺射離子源通入惰性氣體，形成濺射離子束；向輔助離...

本申請公開了一種多離子源處理設備，涉及半導體加工設備技術(shù)領(lǐng)域，多離子源處理設備包括：工藝腔室；載臺，設置在工藝腔室的底部，載臺具有用于放置待處理工件的承載面；載臺能夠沿垂直于承載面中心的第一軸線轉(zhuǎn)動，還能夠沿平行于承載面的第二軸線轉(zhuǎn)動；...