本發明公開了一種窄半峰寬量子點的制備方法、量子點以及量子點光電器件。其中，窄半峰寬量子點的制備方法，包括以下步驟：在220℃～310℃條件下，將硒前體與鎘前體混合，反應后得到含有小尺寸CdSe的第一體系，第一體系中還包括未反應完的鎘前體...

本發明提供了一種量子點探測器、量子點探測器陣列的結構和制備方法。該量子點探測器包括依次設置的基板、緩沖層、量子點薄膜層、功能層、第一電極以及第二電極，第一電極和第二電極分別設置于功能層兩側，且設置于量子點薄膜層遠離功能層的表面上，功能層...

本發明提供了一種核殼型量子點、其制備方法及其應用。該方法包括：S1，提供含CdSe量子點核的溶液；S2，將含CdSe量子點核的溶液、含Zn源的溶液、含Se源的溶液混合，然后以滴加或分批次的方式向體系中加入含S源的溶液反應，以在CdSe量...

本發明公開了醇溶性量子點及其制備方法、量子點膜、量子點光電器件。其中。醇溶性量子點的制備方法包括步驟S：使表面連接有油溶性配體的量子點與醇溶性配體于混合溶劑中進行配體交換反應，混合溶劑包括第一溶劑以及第二溶劑，第一溶劑為表面連接有油溶性...

本發明提供了一種量子點、其制備方法及光電器件。II?III?V?VI量子點的制備方法包括：配制第一納米團簇、第二納米團簇及第三納米團簇，第一納米團簇為III?V納米團簇，第二納米團簇為III?II?V納米團簇，第三納米團簇為III?II...

本發明公開了一種納米粒子及其制備方法、量子點光電器件。其中納米粒子包括量子點以及連接于量子點表面的第一配體和第二配體，第一配體通過化學鍵連接于量子點的極性表面，第二配體吸附于量子點的非極性表面，第二配體形成交聯結構。本發明的納米粒子穩定...

本發明提供了一種基板、柔性電致發光器件的制備方法。該基板包括第一表面和與第一表面相對的第二表面，第一表面設有多個第一開口，第二表面設有多個第二開口，第一表面用于承載膜層，多個第一開口和多個第二開口一一對應且貫穿基板而連通形成多個孔道，第...

本發明提供了一種合金量子點、其制備方法和應用。該制備方法包括：步驟S1，使第一II族元素前體和第三VI族元素混合前體反應形成包含II?VI?VI半導體納米粒子的納米粒子體系；步驟S2，使納米粒子體系與第二II族元素前體混合，通過陽離子交...

本發明公開了一種微納米粒子分散體的制備方法以及分散體、器件。該微納米粒子分散體的制備方法包括以下步驟：S1，混合微納米粒子、可固化膠以及溶劑得到混合液，使得混合液中的上述微納米粒子、上述可固化膠和上述溶劑基本均勻地分布，上述溶劑包括第一...

本發明提供了一種量子點、量子點配體的制備方法、量子點的改性方法和光電器件。該量子點包括配體，該配體包括具有結構式MRn的第一配體，其中，M為金屬離子，n等于M的化合價，且n為大于等于2的整數，各個R相同或不同并且獨立地選自烷基硫醇、鹵素...

本發明提供了一種鈣鈦礦量子點的制備方法。該鈣鈦礦量子點為MPbX3化合物，其中M為堿金屬或堿土金屬，X為一種或多種鹵素，該制備方法包括：使金屬M的羧酸鹽溶液、羧酸鉛溶液和金屬鹵化物的羧酸溶液分散在非極性溶劑中，并在烴基胺的作用下進行反應...

本發明涉及一種Ⅱ?Ⅲ?Ⅴ?Ⅵ合金量子點的制備方法及其應用，所述制備方法包括：(1)將含第Ⅱ副族元素的第一前驅體、含第Ⅲ主族元素的第二前驅體、含第Ⅴ主族元素的第三前驅體、含第Ⅵ主族元素的第四前驅體和配體混合形成前驅體溶液A，將前驅體溶液A...

本發明公開了一種氧化鋅基納米顆粒墨水以及光電器件。該氧化鋅基納米顆粒墨水包括氧化鋅納米顆粒以及溶劑，溶劑包括至少一種第一溶劑以及至少一種第二溶劑，第一溶劑為不包括苯環的醇類、醚類或醇醚類，第一溶劑的碳個數不超過7，第二溶劑為包括苯環的醇...

本發明公開了核殼量子點及其制備方法、量子點光電器件。其中核殼量子點的制備方法包括以下步驟：S1，提供量子點核，將包含量子點核的溶液與鋅前體在反應容器中混合；S2，步驟S1完成后，分多次向反應容器加入硫前體和過渡層前體，硫前體與過渡層前體...

本發明公開了阻隔膜及其制備方法、量子點膜及其制備方法、電子器件。其中，阻隔膜包括基層以及設于基層表面的網絡狀底涂層，底涂層形成多個具有開口的網格，各網格內填充有用于阻隔水汽或氧氣的阻隔樹脂，底涂層的頂部的至少一部分未被阻隔樹脂覆蓋。在阻...

本發明公開了一種成膜方法以及多層膜材料。其中，成膜方法包括以下步驟：S1，提供第一混合液，第一混合液包括第一溶劑以及分散在第一溶劑中的至少兩種聚合物前體；S2，依次間隔地引發所述第一混合液中不同的所述聚合物前體發生聚合反應，每次引發一所...

本發明公開了發光器件封裝結構、量子點LED光源以及電子器件。其中，發光器件封裝結構，包括：提供芯片安裝區域的封裝體；安裝在芯片安裝區域的LED芯片；包圍LED芯片的第一封裝部；設于第一封裝部主出光方向的變折射率擴散層，變折射率擴散層在與...

本發明公開了一種核殼量子點及其制備方法、量子點光電器件。核殼量子點的制備方法包括以下步驟：S1，將量子點核加入含有第一鎘前體以及第一鋅前體的溶液中，形成第一混合液；S2，向第一混合液中加入第一陰離子前體反應，在量子點核外包覆上中間殼層；...

本發明提供了一種發光二極管結構與光電器件，涉及半導體技術領域。該發光二極管結構至少包括發光層，位于發光層一側的第一疏導層，與位于第一疏導層的遠離發光層一側的空穴傳輸層，及位于發光層另一側的電子傳輸層。其中，第一疏導層的最低未占軌道與發光...

本發明公開了一種沉積裝置以及沉積方法。該沉積方法包括以下步驟：S1，混合第一氣態反應物質和第一輔助氣體得到第一混合物，混合第二氣態反應物質和第二輔助氣體得到第二混合物；S2，從一輸出面將第一混合物與第二混合物相鄰地輸出至一基片的上方，輸...