本發(fā)明公開(kāi)了摻雜氧化鋅納米晶及其制備方法、量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備方法。其中摻雜氧化鋅納米晶的制備方法包括步驟A：將鋅前體、摻雜離子前體、脂肪醇與溶劑混合得到第一混合液，將第一混合液的溫度保持在200～300℃進(jìn)行方法，反應(yīng)后得到摻雜氧化...

本發(fā)明提供了一種無(wú)鎘量子點(diǎn)及其制備方法。該制備方法包括以下步驟：S1，將第一前體、第一配體和溶劑混合，加熱至第一溫度，得到第一混合溶液；S2，將第二前體、第二配體和溶劑混合，在第二溫度下加入第一混合溶液，制得第二混合溶液；S3，將第二混...

本發(fā)明公開(kāi)了一種噴頭、噴墨打印系統(tǒng)及基板處理方法，噴頭包括第一出液通道、第一出液口以及除膜單元，第一出液口連通第一出液通道，第一出液通道流通第一溶液，第一溶液流向基板，得以在基板上形成膜層，除膜單元設(shè)有第二出液通道、第二出液口、回吸通道...

一種發(fā)光器件及顯示器，屬于光電技術(shù)領(lǐng)域。發(fā)光器件包括依次層疊布置的陽(yáng)極、發(fā)光層、電子傳輸層、電子蓄積層以及陰極。其中，電子蓄積層的最低未占分子軌道能級(jí)小于電子傳輸層的最低未占分子軌道能級(jí)，且電子蓄積層的最低未占分子軌道能級(jí)與電子傳輸層的...

本發(fā)明公開(kāi)了一種核殼量子點(diǎn)及其制備方法、電子器件。其中核殼量子點(diǎn)包括ZnTeSe核、包覆于ZnTeSe核外的ZnSeS殼層以及包覆于ZnSeS殼層外的ZnS殼層。本發(fā)明的核殼量子點(diǎn)ZnTeSe/ZnSeS/ZnS，通過(guò)在ZnSe核中引入...

本發(fā)明提供了一種液相封裝量子點(diǎn)微球、制備方法及應(yīng)用。其中，該制備方法包括以下步驟：提供量子點(diǎn)油相溶液并裝入第一微流道，提供水相聚合反應(yīng)底物并裝入第二微流道中，第一微流道的末端嵌套于第二微流道的末端中，第一微流道的末端和第二微流道的末端縮...

本發(fā)明提供了一種E視標(biāo)清晰度調(diào)整方法和用于顯示E視標(biāo)的顯示器。該E視標(biāo)清晰度調(diào)整方法通過(guò)計(jì)算E視標(biāo)的目標(biāo)參數(shù)與實(shí)際顯示器整數(shù)像素點(diǎn)距計(jì)算得到的參數(shù)的偏差，然后進(jìn)行調(diào)整，使得E視標(biāo)的筆畫(huà)可在顯示器中接近或者完全呈整數(shù)個(gè)像素地顯示。從而可以...

本發(fā)明公開(kāi)了一種膜層預(yù)處理方法以及裝置。該膜層預(yù)處理方法包括以下步驟：S1，將表面打印有墨水的成膜基板置于一腔室內(nèi)；S2，向腔室內(nèi)可控地通入第一蒸氣，第一蒸氣包括第一溶劑的蒸氣，第一溶劑為所述墨水中溶質(zhì)的良溶劑；S3，當(dāng)腔室內(nèi)的氣壓達(dá)到...

本發(fā)明公開(kāi)了一種鐵電薄膜晶體管及其制造方法，其中，鐵電薄膜晶體管包括基底，依次設(shè)置于基底上的柵極、半導(dǎo)體層、源極和漏極，以及，還包括位于柵極和半導(dǎo)體層之間的三層結(jié)構(gòu)鐵電介電層，三層結(jié)構(gòu)鐵電介電層包括設(shè)置于柵極上的第一絕緣層，設(shè)置于第一絕...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N量子點(diǎn)核的制備方法，包括以下步驟：制備第一復(fù)合物：將第一陽(yáng)離子前體、第一配體、第二配體在第一溫度下反應(yīng)時(shí)間t1后得到第一復(fù)合物；制備第一溶液：將第二陽(yáng)離子前體、第一陰離子前體、第二陰離子前體和第一溶劑混合并在第二溫度下反...

本發(fā)明公開(kāi)了藍(lán)光核殼量子點(diǎn)、其制備方法以及應(yīng)用。該藍(lán)光核殼量子點(diǎn)包括量子點(diǎn)核以及包覆在量子點(diǎn)核外的第一殼層，量子點(diǎn)核為銅摻雜的Ⅱ?Ⅱ?Ⅵ族三元合金量子點(diǎn)或銅摻雜的Ⅱ?Ⅱ?Ⅵ?Ⅵ族四元合金量子點(diǎn)，第一殼層的材料為Ⅱ?Ⅱ?Ⅵ族合金材料。本發(fā)...

本申請(qǐng)公開(kāi)了氧化鋅納米晶的制備方法、光電器件。該氧化鋅納米晶的制備方法包括以下步驟：提供包含陽(yáng)離子鹽的第一溶液體系，陽(yáng)離子鹽包括有機(jī)鋅鹽，有機(jī)鋅鹽的碳鏈上包括醇溶性基團(tuán)；向第一溶液體系中加入堿進(jìn)行反應(yīng)，制得含氧化鋅納米晶的溶液。本申請(qǐng)采...

本發(fā)明涉及一種LED組件、量子點(diǎn)LED發(fā)光件、量子點(diǎn)LED封裝結(jié)構(gòu)及顯示設(shè)備。其中，LED組件包括LED芯片，所述LED芯片一側(cè)面上設(shè)置有表面具有若干凸起的透光量子點(diǎn)容置結(jié)構(gòu)；所述透光量子點(diǎn)容置結(jié)構(gòu)呈多孔結(jié)構(gòu)；所述透光量子點(diǎn)容置結(jié)構(gòu)的材...

本發(fā)明提供了一種納米晶、組合物、發(fā)光裝置和納米晶的制備方法，該納米晶包括核和殼，所述核為ZnMgO，所述殼為金屬氧化物。通過(guò)設(shè)置金屬氧化物的殼可以使得ZnMgO納米晶和相鄰材料接觸時(shí)隔絕，減少了ZnMgO納米晶表面對(duì)相鄰材料的不良影響，...

本發(fā)明公開(kāi)了一種近紅外量子點(diǎn)及其制備方法和應(yīng)用，其通過(guò)先提供量子點(diǎn)晶種生長(zhǎng)體系的原料，使得第一陽(yáng)離子前體、第一陰離子前體和第一配體混合反應(yīng)生成量子點(diǎn)晶種；再加入第二陰離子前體至所述量子點(diǎn)晶種生長(zhǎng)體系中，使得第二陰離子與第一陽(yáng)離子前體在量...

本發(fā)明公開(kāi)了一種氧化鋅納米晶電子傳輸層及其制備方法、電子器件。其中氧化鋅電子傳輸層的制備方法為：氧化鋅納米晶溶液涂覆完成后，于濕度大于0％的環(huán)境中靜置一段時(shí)間。在本發(fā)明中，涂覆完氧化鋅納米晶溶液后，進(jìn)行退火處理前，先將氧化鋅納米晶涂層在...

本發(fā)明提供了一種液晶顯示終端和視力測(cè)試方法。該液晶顯示終端包括量子點(diǎn)背光模組，液晶顯示終端用于WORTH四點(diǎn)視標(biāo)測(cè)試，量子點(diǎn)背光模組包括紅色量子點(diǎn)和綠色量子點(diǎn)。量子點(diǎn)技術(shù)的發(fā)光光譜可以容易地調(diào)整，從而實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)發(fā)光光譜與紅綠互補(bǔ)眼鏡的阻...

一種電子裝置、球形量子點(diǎn)及其合成方法，屬于量子點(diǎn)領(lǐng)域。合成方法包括：S1，將鎘源、鋅源和配體加入溶劑中混合并加熱，形成第一混合液；S2，提供CdSe量子點(diǎn)核，將所述CdSe量子點(diǎn)核和有機(jī)膦加入所述第一混合液中，加熱至第一溫度，形成第二混...

本發(fā)明公開(kāi)了核殼量子點(diǎn)及其制備方法，該核殼量子點(diǎn)包括CdSe核以及由內(nèi)到外依次包覆于所述CdSe核外的Cd

本實(shí)用新型涉及玻璃組件領(lǐng)域，提供了一種玻璃組件，包括至少一層玻璃、設(shè)置于玻璃上的量子點(diǎn)膜片和用于激發(fā)量子點(diǎn)膜片發(fā)光的激光發(fā)生器；還包括紅外感應(yīng)器，所述紅外感應(yīng)器用于觸發(fā)激光發(fā)生器。本實(shí)用新型的玻璃組件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠性強(qiáng)、便于推廣，并且量...