本發(fā)明公開(kāi)了量子點(diǎn)模組、量子點(diǎn)發(fā)光器件、顯示設(shè)備以及護(hù)眼方法。其中量子點(diǎn)模組包括受激發(fā)時(shí)可發(fā)光的量子點(diǎn)材料，量子點(diǎn)材料受激發(fā)時(shí)，量子點(diǎn)模組在一定方向上發(fā)出的光在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的光譜函數(shù)滿足：F(λ)＝ξ

本實(shí)用新型提供了一種脂肪厚度測(cè)量裝置及包含其的移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)終端裝置，其中測(cè)量裝置包括功能模塊，功能模塊第一鈣鈦礦發(fā)光二極管、第二鈣鈦礦發(fā)光二極管、光電檢測(cè)器、控制器、顯示器及電路；其中，控制器和各鈣鈦礦發(fā)光二極管電連接，且控制器和光電檢測(cè)器...

本發(fā)明提供了一種發(fā)光器件。該發(fā)光器件包括第一基板、像素隔離結(jié)構(gòu)、電致發(fā)光結(jié)構(gòu)和第二基板，第一基板與第二基板相對(duì)設(shè)置，像素隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一基板靠近第二基板一側(cè)的基板表面上，基板表面通過(guò)像素隔離結(jié)構(gòu)形成多個(gè)相互隔離的子像素區(qū)域，各子像素區(qū)...

本發(fā)明公開(kāi)了量子點(diǎn)以及量子點(diǎn)的制備方法。其中通過(guò)以下方法制備Ⅱ?Ⅱ?Ⅵ合金量子點(diǎn)：S1，將配體與第一Ⅱ族元素前體混合，形成第一體系；S2，向所述第一體系中加入Ⅵ族元素前體一反應(yīng)得到第二體系，其中一部分所述Ⅵ族元素前體一與所述第一Ⅱ族元素...

本發(fā)明公開(kāi)了一種核殼量子點(diǎn)的制備方法，通過(guò)在對(duì)InP核量子點(diǎn)包覆過(guò)程中采用碳鏈長(zhǎng)度為2?6的第一羧酸鋅前體和碳鏈長(zhǎng)度為10?22的第二羧酸鋅前體作為復(fù)合陽(yáng)離子前體，以得到內(nèi)部缺陷位點(diǎn)少、波長(zhǎng)可控的核殼量子點(diǎn)，該核殼量子點(diǎn)制成的量子點(diǎn)膜和...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種熱板及裝有該熱板的噴墨打印后處理系統(tǒng)，其中，熱板包括頂板、加熱模塊、冷卻模塊和溫控模塊，加熱模塊和冷卻模塊設(shè)置在頂板下方；其中，冷卻模塊包括第一散熱層，加熱模塊與第一散熱層處于同平面或位于第一散熱層下方；冷卻模塊的冷...

本發(fā)明提供了一種功能膜層的制備方法、光電器件的制備方法及光電裝置，通過(guò)在目標(biāo)區(qū)域的側(cè)表面設(shè)置疏水層，從而實(shí)現(xiàn)在設(shè)置具有本申請(qǐng)?zhí)卣鞯牡诙芤簳r(shí)，第二溶液不粘附于側(cè)表面，從而僅在底表面形成功能膜層，同時(shí)提高了功能膜層的均勻性。通過(guò)第一溶液的...

本申請(qǐng)公開(kāi)了核殼量子點(diǎn)、量子點(diǎn)發(fā)光二極管、量子點(diǎn)組合物、顯示器件。該核殼量子點(diǎn)包括量子點(diǎn)核以及由內(nèi)到外依次包覆在量子點(diǎn)核上的第一殼層、第二殼層和第三殼層，量子點(diǎn)核的材料為CdZnSe，第一殼層的材料為CdZnSeS，第二殼層的材料為Zn...

本發(fā)明公開(kāi)了一種LED封裝結(jié)構(gòu)及其發(fā)光方法、發(fā)光裝置，該LED封裝結(jié)構(gòu)包括承載體、反射層、芯片層以及量子點(diǎn)層，承載體設(shè)有底部、側(cè)壁以及開(kāi)口；反射層設(shè)置于承載體上方且覆蓋部分開(kāi)口，使得剩余部分的開(kāi)口形成出光口；芯片層設(shè)置于承載體的第一底部...

本發(fā)明提供了一種量子點(diǎn)及其制備方法、量子點(diǎn)墨水、發(fā)光器件及其制備方法。其中，量子點(diǎn)包括量子點(diǎn)本體及包覆在量子點(diǎn)本體表面的至少兩種配體，配體為碳鏈長(zhǎng)度為8?14的短鏈配體。通過(guò)在量子點(diǎn)本體的表面上包覆有至少兩種碳鏈長(zhǎng)度在8?14之間的短鏈...

本發(fā)明公開(kāi)了無(wú)鎘量子點(diǎn)及其制備方法、無(wú)鎘量子點(diǎn)組合物。本發(fā)明的無(wú)鎘量子點(diǎn)包括量子點(diǎn)核，該量子點(diǎn)核包括以化學(xué)鍵結(jié)合的III族元素、V族元素和VI族元素，其中III族元素為陽(yáng)離子，V族元素以及VI族元素為陰離子。本發(fā)明在現(xiàn)有的III?V族量...

本實(shí)用新型提供了一種汽車車燈，屬于車燈領(lǐng)域。它解決了現(xiàn)有LED車燈都是點(diǎn)光源從而導(dǎo)致其在點(diǎn)亮?xí)r異常刺眼，從而產(chǎn)生行車安全的問(wèn)題。本實(shí)用新型包括燈罩以及安裝于燈罩上的光源組件、反射腔，光源組件為含量子點(diǎn)的光源組件。本實(shí)用新型使得光線更加柔...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種量子點(diǎn)發(fā)光裝置以及顯示裝置，其中量子點(diǎn)發(fā)光裝置包括：具有芯片安裝區(qū)域的凹形框架；設(shè)置在芯片安裝區(qū)域的發(fā)光二極管芯片，發(fā)光二極管芯片適于發(fā)射第一光線；設(shè)置在發(fā)光二極管芯片出光方向上的量子點(diǎn)層；設(shè)置在發(fā)光二極管芯片與量子點(diǎn)層...

本發(fā)明提供了一種納米晶及其制備方法。該納米晶包括第一納米結(jié)構(gòu)和多個(gè)第二納米結(jié)構(gòu)，第一納米結(jié)構(gòu)為InZnP/ZnSe，第二納米結(jié)構(gòu)為ZnS，第二納米結(jié)構(gòu)圍繞第一納米結(jié)構(gòu)，且第二納米結(jié)構(gòu)的至少一部分不和第一納米結(jié)構(gòu)連接，且第二納米結(jié)構(gòu)的至少...

本發(fā)明提供了一種量子點(diǎn)選配方法，該量子點(diǎn)選配方法包括獲得目標(biāo)參數(shù)，采用高斯光譜仿真方法，先設(shè)定量子點(diǎn)光學(xué)參數(shù)，通過(guò)迭代計(jì)算再調(diào)整量子點(diǎn)的光學(xué)參數(shù)，從而得到能實(shí)現(xiàn)目標(biāo)參數(shù)的量子點(diǎn)光學(xué)參數(shù)和量子點(diǎn)比例。該調(diào)配方法可以節(jié)約量子點(diǎn)配方驗(yàn)證成本，...

本實(shí)用新型提供了一種具有屏下識(shí)別功能的顯示屏和顯示設(shè)備，包括：顯示層，顯示層具有指紋接收區(qū)域；第一量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)換膜，第一量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)換膜位于顯示層的下方；光源層，光源層位于第一量子點(diǎn)光轉(zhuǎn)換膜的下方，光源層包括背光光源，背光光源用于激發(fā)第一量...

本申請(qǐng)公開(kāi)了微膠囊、電子墨水、電子墨水屏、顯示方法以及顯示裝置。其中，電子墨水包括溶劑以及分散在溶劑中的多個(gè)微膠囊，微膠囊包括膠囊殼層，膠囊殼層界定膠囊容納腔，膠囊容納腔的第一端填充第一填料，膠囊容納腔遠(yuǎn)離第一端的第二端填充第二填料，第...

本發(fā)明公開(kāi)了一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置，顯示基板包括襯底基板、像素界定層、導(dǎo)熱構(gòu)件以及平緩部，像素界定層包括多個(gè)像素隔離結(jié)構(gòu)，像素隔離結(jié)構(gòu)之間形成多個(gè)相互隔離的子像素區(qū)域，導(dǎo)熱構(gòu)件設(shè)置于襯底基板和像素界定層之間，導(dǎo)熱構(gòu)件包括主導(dǎo)...

本申請(qǐng)公開(kāi)了核殼量子點(diǎn)以及光電器件。其中，光電器件包括量子點(diǎn)核以及包覆在量子點(diǎn)核外的半導(dǎo)體殼層，量子點(diǎn)核能夠響應(yīng)一定波長(zhǎng)的光從而產(chǎn)生電荷，半導(dǎo)體殼層透光并且能夠傳導(dǎo)量子點(diǎn)核產(chǎn)生的電荷，半導(dǎo)體殼層的材料的禁帶寬度大于量子點(diǎn)核的材料的禁帶寬...

本發(fā)明公開(kāi)了一種顯示基板的芯片檢修裝置及檢修方法，該芯片檢修裝置其包括檢測(cè)模塊、判別模塊以及修復(fù)模塊，檢測(cè)模塊用于檢測(cè)顯示基板上的目標(biāo)芯片，檢測(cè)模塊包括發(fā)光單元以及接收單元，發(fā)光單元用于向目標(biāo)芯片發(fā)射第一光線，目標(biāo)芯片在第一光線的激發(fā)下...