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        納晶科技股份有限公司專利技術(shù)

        納晶科技股份有限公司共有359項(xiàng)專利

        • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N顯示面板,包括防反射膜和發(fā)光件,發(fā)光件包括基板和設(shè)置在基板一側(cè)表面上的多個(gè)相互隔離的子像素,各子像素包括依次疊置的底電極、功能層、頂電極,至少部分子像素還包括光取出層,光取出層設(shè)置在頂電極的遠(yuǎn)離功能層的一側(cè)表面上,光取出...
        • 本發(fā)明提供了一種發(fā)光裝置。該發(fā)光裝置包括基材層以及設(shè)置于基材層的第一表面的像素隔離結(jié)構(gòu),像素隔離結(jié)構(gòu)之間形成多個(gè)相互隔離的子像素區(qū)域,發(fā)光裝置還包括:多個(gè)發(fā)光單元,一一設(shè)置于子像素區(qū)域中,用于發(fā)出不同波長(zhǎng)的光,發(fā)光單元為電致發(fā)光器件,各...
        • 本發(fā)明提供了一種柔性基板、具有其的柔性顯示器件及其制備方法。該柔性基板包括第一柔性材料層、光提取隔離結(jié)構(gòu)和多個(gè)光提取層;光提取隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一柔性材料層的一側(cè)表面,光提取隔離結(jié)構(gòu)之間形成多個(gè)相互隔離的光提取區(qū)域;多個(gè)光提取層一一設(shè)置于...
        • 本發(fā)明提供了一種核殼量子點(diǎn)及其制備方法、及含其的電致發(fā)光器件。該制備方法通過(guò)先將CdSe核與第一VI族元素前體混合,之后通過(guò)勻速添加第一鎘前體的方式來(lái)調(diào)控Cd
        • 本發(fā)明提供了一種核殼鈣鈦礦量子點(diǎn)及其制備方法、量子點(diǎn)組合物及具有其的量子點(diǎn)器件。該制備方法包括:將羧酸銫、羧酸鉛、含有金屬M(fèi)的鹵素前體和非配位溶劑混合并反應(yīng),得到含有鈣鈦礦量子點(diǎn)的第一溶液,鈣鈦礦量子點(diǎn)表面具有金屬M(fèi)的羧酸鹽配體;將第一...
        • 本發(fā)明屬于量子點(diǎn)制造技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種量子點(diǎn)復(fù)合材料制備方法,將第一量子點(diǎn)加入事先由金屬鹵化物、脂肪胺和有機(jī)酸混合反應(yīng)而得到的鹵素前體溶液中進(jìn)行表面配體交換反應(yīng),得到混合溶液,然后將所述混合溶液與羧酸鉛和羧酸銫混合并進(jìn)行反應(yīng),得到量子...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種核殼量子點(diǎn)及其制備方法、量子點(diǎn)光電器件。其中,核殼量子點(diǎn)的制備方法包括以下步驟:提供包含第一陽(yáng)離子的初始量子點(diǎn);將初始量子點(diǎn)與第二陽(yáng)離子的前體以及第三陽(yáng)離子的前體混合形成混合體系,其中第二陽(yáng)離子的前體用于形成殼層,第三陽(yáng)...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光器件及其制備方法、顯示面板。該發(fā)光器件包括底電極、功能層和頂電極,功能層與頂電極相鄰,還包括頂電極與功能層之間的平滑層,功能層包括發(fā)光層。設(shè)置一層平滑層在頂電極和功能層之間,改善發(fā)光器件的發(fā)光均勻性,提高器件效率和壽命。
        • 本發(fā)明提供了一種硫化鋅或硒化鋅包覆型鈣鈦礦量子點(diǎn)的制備方法、含其的量子點(diǎn)器件。該制備方法包括:S1,將鹵化鋅、脂肪胺和酸進(jìn)行鹵素前體制備反應(yīng),得到含鹵化銨和鋅鹽的第一混合液;S2,將羧酸鉛和羧酸銫、第一VI族前體及有機(jī)溶劑進(jìn)行反應(yīng),得到...
        • 本發(fā)明提供了一種鈣鈦礦納米材料、其制備方法及含有其的光電器件。該制備方法包括:將羧酸鉛、羧酸銫和金屬鹵化物及非極性溶劑進(jìn)行第一配位反應(yīng),得到含有鈣鈦礦量子點(diǎn)的第一溶液;及在氮?dú)夂?或惰性氣氛中,使第一溶液與鹵化銨進(jìn)行第二配位反應(yīng),得到鈣...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了薄膜干燥方法、薄膜干燥裝置以及包括薄膜的器件,其中薄膜干燥方法包括以下步驟:S1,將表面具有濕膜的基板置于干燥裝置的容器內(nèi),容器內(nèi)的初始?xì)鈮簽镻
        • 本發(fā)明提供了一種墨水配方、光電器件及其制備方法。該墨水配方包括:第一溶劑、第二溶劑以及功能材料,第一溶劑選自通式為C
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種無(wú)鎘量子點(diǎn)及其制備方法、量子點(diǎn)光電器件。該無(wú)鎘量子點(diǎn)包括納米晶核,納米晶核包括第一InZnP核以及包覆在第一InZnP核外的第二InZnP核,第一InZnP核與第二InZnP核的組分的元素比例相同或不同。本發(fā)明的制得的無(wú)...
        • 本發(fā)明提供了一種無(wú)機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)的制備方法。該無(wú)機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)為MPbX
        • 本發(fā)明提供了一種鈣鈦礦量子點(diǎn)、其制備方法及量子點(diǎn)器件。該制備方法包括:將金屬鹵化物和氨水進(jìn)行鹵素前體制備反應(yīng),得到含鹵化銨和金屬氫氧化物的第一混合液;將羧酸鉛和羧酸銫、第一混合液及第一有機(jī)溶劑進(jìn)行配位反應(yīng),得到鈣鈦礦量子點(diǎn)。鹵化銨NH
        • 本發(fā)明提供了一種鈣鈦礦量子點(diǎn)、其制備方法及量子點(diǎn)器件。該制備方法包括:將金屬鹵化物、脂肪胺和酸進(jìn)行鹵素前體制備反應(yīng),得到含鹵化銨和金屬酸鹽的第一混合溶液;將羧酸鉛和羧酸銫、第一混合溶液及第一有機(jī)溶劑進(jìn)行配位反應(yīng),得到鈣鈦礦量子點(diǎn)。在生成...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種銅摻雜合金量子點(diǎn)及其制備方法、量子點(diǎn)光電器件。銅摻雜合金量子點(diǎn)的制備方法,包括以下步驟:A,由鋅前體與Ⅵ族元素前體在一反應(yīng)容器中反應(yīng)制得Ⅱ?Ⅵ族納米團(tuán)簇;B,在上述Ⅱ?Ⅵ族納米團(tuán)簇制得之后,向上述反應(yīng)容器中加入鎘前體繼續(xù)...
        • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種墨水保存裝置及噴墨打印系統(tǒng),其中,墨水保存裝置包括墨水儲(chǔ)蓄罐,還包括溫控模塊,溫控模塊包括溫控結(jié)構(gòu)、溫控源、第一流體循環(huán)管路和第一泵,墨水儲(chǔ)蓄罐與溫控模塊分體設(shè)置,并位于溫控結(jié)構(gòu)圍繞形成的空間中;溫控結(jié)構(gòu)與第一流體循...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種藍(lán)光無(wú)鎘量子點(diǎn)及其制備方法、量子點(diǎn)發(fā)光器件。該無(wú)鎘量子點(diǎn)制備方法包括以下步驟:S1將銦前體、第一配體以及溶劑混合,以制得銦?第一配體溶液,其中,第一配體為碳個(gè)數(shù)10~18的長(zhǎng)鏈羧酸配體,第一配體的羧酸根與銦前體的銦離子的...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種II?III?V?VI族量子點(diǎn)及其制備方法。II?III?V?VI族量子點(diǎn)的制備方法包括以下步驟:S1,提供含有III?V族量子點(diǎn)核的第一溶液,或者提供含有II?III?V族量子點(diǎn)核的第二溶液;S2,向第一溶液中加入第二...