公開了具有后臺校準過程的模/數轉換器(ADC)。在一個方面，一種具有多個比較器的ADC，所述多個比較器各自將輸入電壓與在跨多個參考(例如，參考電阻器梯)的分接頭處生成的電壓進行比較。所述比較器最初用前臺校準例程進行校準，并且通過隨機使所...

本公開涉及提高在寬頻帶上用調制RF信號操作的多爾蒂功率放大器的效率的方法和技術。公開了一種多爾蒂放大器。在一些實施例中，所述多爾蒂放大器包含：主放大器，其限定第一主干厚度；輔助放大器，其限定第二主干厚度。通過選擇所述主放大器的所述第一主...

本公開大體上涉及在多爾蒂功率放大器的輸入中實現寬頻帶上的目標相移的方法和技術。在一個實施例中，多爾蒂放大器包含：多爾蒂放大器的RF輸入，用于接收射頻(RF)信號；主放大器，耦合到所述RF輸入；以及輔助放大器，耦合到所述RF輸入。相位滯后...

本發明涉及用于提高共源共柵放大器的穩定性并增強多級功率放大器的排列效率的方法和技術。公開了一種功率放大器單元，其具有第一晶體管，所述第一晶體管具有耦合到接地的第一端子、第二端子和第一控制端子。第二晶體管具有耦合到所述第二端子的第三端子、...

本公開涉及用于功率應用的雙柵極半導體結構。公開了一種半導體結構以及一種用于制造半導體結構的方法，其中所述半導體結構是具有浮動歐姆觸點和場板的準雙柵極場效應晶體管結構。所公開的半導體結構包括：襯底；位于所述襯底上方的體區，所述體區具有頂表...

公開了具有改善的柵極氧化物完整性的功率放大器。特別地，動態不對稱串疊偏置電路用于向串疊功率放大器級提供偏置信號。所述偏置信號與來自所述功率放大器級的輸出信號同步地擺動。通過具有此動態偏置信號，裝置上的柵極?漏極應力減小，從而保持柵極氧化...

本公開涉及具有集成源極?漏極二極管的晶體管。描述了具有集成源極?漏極反并聯二極管的垂直結型場效應晶體管(VJFET)。在實施例中，具有集成源極?漏極反并聯二極管結構的溝槽VJFET以雙柵極共源共柵配置與低壓金屬氧化物半導體場效應晶體管(...

一種熱增強型封裝包含載體、所述載體之上的經減薄管芯、模制化合物以及除熱器。所述經減薄管芯包含所述載體之上的裝置層和所述裝置層之上的介電層。所述模制化合物位于所述載體之上、圍繞所述經減薄管芯并且延伸到所述經減薄管芯的頂表面之外以在所述模制...

一種共源共柵電路是使用與低電壓晶體管串聯的高電壓晶體管而形成。當所述共源共柵關斷時，箝位開關裝置用于將所述高電壓晶體管的柵極放電。速率限制裝置可用于控制所述共源共柵的接通和關斷特性。速率限制裝置可包含電阻器和/或晶體管。所述高電壓晶體管...

本公開涉及RF半導體裝置及其制造方法。本公開涉及一種射頻裝置，其包含：具有后段工藝部分和前段工藝部分的裝置區、第一凸塊結構、第一模制化合物，以及第二模制化合物。所述FEOL部分包含有源層、接觸層和隔離區段。所述有源層和所述隔離區段位于所...

本公開涉及具有分流電容器和分流電阻器的電壓源柵極驅動器。公開了一種使用改進的電壓源柵極驅動器將開關速度和柵極延遲時間解耦的裝置。分流電容器和分流電阻器串聯連接以跨越電壓源柵極驅動器的柵極電阻器并聯。所述分流電容器和分流電阻器允許所述柵極...

本公開涉及具有集成差分濾波器的專用集成電路。公開了一種集成電路，所述集成電路具有被配置成感測刺激并且響應于此輸出模擬信號的傳感器，以及被配置成接收所述模擬信號并且輸出與所述模擬信號成比例的一連串數字值的模數轉換器。差分濾波器被配置成接收...

本公開涉及具有改進的回波損耗的濾聲器。公開了一種濾聲器的實施例。在一些實施例中，帶通濾波器包含于通帶信號路徑中，所述通帶信號路徑連接于第一端子與第二端子之間。第一帶阻濾波器位于第一阻帶信號路徑中，所述第一阻帶信號路徑連接于所述第一端子處...

本公開涉及用于DC轉換器的開關電路系統的自適應死區時間控制。公開了開關轉換器的實施例。所述開關轉換器包含具有初級和次級開關的開關電路系統、輸出濾波器、高通濾波器、開關控制電路系統和觸發電路。所述輸出濾波器連接到所述開關電路系統。所述開關...

一種功率放大器包含過電流保護環路和/或過電壓保護環路以有助于防止在安全操作區之外的操作。在另一示例性方面，對所述過電流保護環路的觸發調整所述過電壓保護環路的閾值電壓。在另外的示例性方面，所述過電流保護環路可不僅調整偏置調節器，還提供進一...

本公開涉及使用不同電壓電平來閉合開關轉換器中的開關。公開了開關電路系統的實施例。在一些實施例中，所述開關電路系統包含開關和開關控制電路。所述開關具有控制端子。驅動器電路被配置成最初以第一電壓電平將第一電壓施加到所述控制端子，使得所述開關...

本公開涉及具有重布層的晶片級混合接合RF開關。公開一種IC裝置的實施例。在一些實施例中，一種集成電路(IC)裝置包含：第一有源半導體層，其包含第一有源半導體裝置區；第二有源半導體層，其包含有源半導體區，所述第二有源半導體層連接到所述第一...

一種收發器電路(68)從時變調制向量生成射頻(RF)信號，并且功率放大器電路(36)基于已調制電壓放大所述RF信號。所述收發器電路(68)被配置成將均衡濾波施加到所述時變調制向量，從而補償在所述功率放大器電路(36)的輸出級處產生的電壓...

一種功率放大器包含過電流保護環路和/或過電壓保護環路以有助于防止在安全操作區之外的操作。在另一示例性方面，對所述過電流保護環路的觸發會調整所述過電壓保護環路的閾值電壓。在另外的示例性方面，所述過電流保護環路可不僅調整偏置調節器，還提供進...

本公開涉及可重新配置的聲波諧振器和濾波器。可重新配置的體聲波(BAW)裝置包含一種或多種鐵電材料作為換能層。所述鐵電材料中的至少一種的極化狀態是通過跨所述BAW裝置的電極施加偏置電壓來調整。所述偏置電壓的所述施加可以改變所述鐵電材料的一...