本文提供晶粒堆疊的方法的實施方式。在一些實施方式中，一種利用晶粒至晶片鍵合的晶粒堆疊的方法包含：通過混合鍵合工藝將多個第一晶粒鍵合至基板；執(zhí)行選擇性硅(Si)薄化工藝，以減少經(jīng)鍵合的所述多個第一晶粒的厚度，以形成多個薄化的第一晶粒；將所...

一種數(shù)字平板印刷系統(tǒng)包括相鄰掃描區(qū)域、在所述掃描區(qū)域之上定位的曝光單元、內(nèi)存、及操作地耦合到所述內(nèi)存的處理裝置。所述曝光單元包括與第一掃描區(qū)域相關(guān)聯(lián)的第一曝光單元及與第二掃描區(qū)域相關(guān)聯(lián)的第二曝光單元。所述處理裝置用于發(fā)起數(shù)字平板印刷工藝...

本公開是將靜電吸盤結(jié)合到溫度控制基部的方法。根據(jù)實施方式，在包括靜電吸盤的介電主體與溫度控制基部之間形成結(jié)合層。流孔延伸穿過介電主體并且與溫度控制基部中的流孔對準(zhǔn)。結(jié)合層還配置有開口，開口與介電主體和溫度控制基部中的孔對準(zhǔn)。在一個方面中...

可通過減小P型區(qū)域的寬度及增加摻雜濃度而同時亦增加整個元件的高度來形成具有增加的額定電壓的超級結(jié)元件。可針對所述P型區(qū)域及相鄰的N型區(qū)域蝕刻溝槽。此允許增加所述整個元件的高度，而同時維持所述溝槽的可行深寬比。所述P型材料可接著形成為所述...

一種用于處理腔室的腔室部件包括陶瓷主體，所述陶瓷主體由燒結(jié)陶瓷材料組成，所述燒結(jié)陶瓷材料基本上由Y2O3?ZrO2的一個或多個相組成。所述陶瓷材料基本上由55摩爾％?65摩爾％的Y2O3和35摩爾％?45摩爾％的ZrO2組成。

本技術(shù)包括在通道區(qū)具有改進(jìn)應(yīng)力的半導(dǎo)體元件。所述半導(dǎo)體元件包括基板、源極區(qū)、漏極區(qū)、包括位于所述源極和所述漏極之間的至少一個通道的通道區(qū)、第一柵極區(qū)和第二柵極區(qū)。所述第一柵極區(qū)包括自對準(zhǔn)的單擴散斷口，所述第二柵極區(qū)包括包圍所述源極區(qū)和所...

本文所公開的實施方式包括一種圖案化基板的方法。在實施方式中，所述方法包括在基板之上沉積金屬氧代層，并在所述金屬氧代層之上涂覆化學(xué)放大抗蝕劑(CAR)。在實施方式中，所述方法進(jìn)一步包括曝光所述CAR，并顯影所述CAR以在所述CAR中形成圖...

所公開的系統(tǒng)和技術(shù)涉及減輕基板對基板的鍵合工藝中的應(yīng)力。所公開的技術(shù)包括：獲得支撐傳送特征(TF)的第一基板；以及將TF從所述第一基板傳送到第二基板；將TF從所述第一基板傳送到所述第二基板；以及對目標(biāo)基板應(yīng)用應(yīng)力減輕。所述目標(biāo)基板可以是...

一種在基板上形成結(jié)構(gòu)的方法包括在基板上形成粘附層。方法進(jìn)一步包括與粘附層一起原位形成含鎢層。含鎢層通過一次性浸泡工藝形成，所述一次性浸泡工藝包括將基板浸泡在第一氣體中一次且僅一次，凈化第一氣體和將基板浸泡在第二氣體中一次且僅一次。方法進(jìn)...

一種自動生成標(biāo)準(zhǔn)單元的方法可包括接收標(biāo)準(zhǔn)單元的電路的定義。所述定義可包括一個或多個半導(dǎo)體裝置。所述方法亦可以包括識別實現(xiàn)一個或多個半導(dǎo)體裝置中的裝置的多個切片。多個切片中的每個切片可包括所述裝置的部分布局。所述方法可進(jìn)一步包括將多個切片...

描述鉬(0)前體及在基板表面上形成含鉬膜的方法。以莫耳計，所述鉬(0)前體具有大于或等于90％的鉬(Mo)的純度。將所述基板暴露于鉬(0)前體及反應(yīng)劑，以形成含鉬膜，以原子計，所述含鉬膜具有大于或等于80％的鉬(Mo)。在一些實施方式中...

一種在基板上執(zhí)行拋光工藝的方法可包括在拋光站的承載頭中以已知對準(zhǔn)方式接收基板以用于拋光工藝。拋光工藝可使承載頭中的基板在壓板上被拋光墊拋光，使得基板沿著相對于基板的已知對準(zhǔn)的一個或多個預(yù)定傳感器路徑通過壓板中的一個或多個傳感器。所述方法...

碳化硅晶體管可以形成有溝道，所述溝道包括位于n摻雜源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的p摻雜區(qū)域?？梢栽跂艠O氧化物正下方的溝道的頂部處形成反摻雜區(qū)域。替代使用用于p摻雜區(qū)域的常規(guī)摻雜水平，摻雜濃度可以增加至大于約1e18cm3。晶體管也可以包括在溝...

一種用于將來自單個射頻(RF)功率產(chǎn)生器的RF功率空間地切換到耦合到相關(guān)聯(lián)的RF電極的兩個或多個阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的選定一者以在等離子體腔室中形成等離子體的方法及設(shè)備。全RF功率可在微秒內(nèi)切換到兩個或多個阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中的選定一者。所述兩個或...

在此描述水平環(huán)繞式柵極元件及制造的方法。hGAA元件包括所述元件的源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的半導(dǎo)體材料。所述方法包括在第一材料上形成包覆材料，隨后在所述包覆層上形成拉伸膜。所述應(yīng)變拉伸膜造成均勻的SiGe通道。

一種在基板上形成結(jié)構(gòu)的方法，包括在處理腔室內(nèi)的所述基板的開口內(nèi)形成成核層。所述方法進(jìn)一步包括通過將自由基處置引入所述處理腔室中來在所述成核層的至少一部分上形成鈍化層。所述方法進(jìn)一步包括在所述開口內(nèi)的所述鈍化層和所述成核層上方形成鎢填充層...

本文提供了用于改善物理氣相沉積(PVD)工藝中的膜均勻性的設(shè)備和方法，在一些實施例中，一種磁控管平移組件，包括：第一線性致動器組件，具有第一軌道，第一軌道在第一方向上對準(zhǔn)，和第一致動器，第一致動器被配置成沿第一軌道定位第一安裝件；磁體組...

示例性半導(dǎo)體處理方法可以包括使蝕刻劑前體流入半導(dǎo)體處理腔室的處理區(qū)域?；蹇扇菁{在所述處理區(qū)域內(nèi)。所述基板可以限定含鈦材料的暴露區(qū)域。此方法可以包括使所述基板與所述蝕刻劑前體接觸。所述方法可以包括去除所述含鈦材料的至少一部分。

提供了用于處理光學(xué)裝置的模塊(300)、系統(tǒng)(500)和方法。模塊(300)包括運輸裝置(302)、第一制造單元(310)、第二制造單元(312)和定位裝置(308)。系統(tǒng)(500)包括兩個按順序排列的模塊(300’、300”)。

一種方法包括：在設(shè)置在第一層間介電(ILD)層中的至少一個第一導(dǎo)電層上選擇性形成至少一個鈍化層；在至少一個鈍化層上選擇性形成至少一個催化劑層，其中至少一個鈍化層防止在第一導(dǎo)電層上形成至少一個催化劑層；以及使用至少一個催化劑層選擇性形成至...