一種用于形成互連結(jié)構(gòu)的群集工具包括預(yù)清潔腔室；選擇性化學(xué)氣相沉積(CVD)腔室；等離子體增強(qiáng)CVD?(PECVD)腔室；一或多個(gè)傳送腔室，所述一或多個(gè)傳送腔室耦接至所述預(yù)清潔腔室、所述選擇性CVD腔室和所述PECVD腔室，并且被配置為在...

本技術(shù)包括具有改進(jìn)的孔分布的垂直單元?jiǎng)討B(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)陣列存取晶體管。所述陣列包括在第一水平方向上布置的多個(gè)位線及在第二水平方向上布置的多個(gè)字線。所述陣列包括在正交于所述第一方向及所述第二水平方向的垂直方向上延伸的多個(gè)通道，使...

本文描述了內(nèi)存元件及制造內(nèi)存元件的方法。所述內(nèi)存元件包括在表面上的位線金屬疊層，所述表面包括導(dǎo)電位線觸點(diǎn)(例如多晶硅)及絕緣介電島狀物(例如氮化硅(SiN))的矩陣。所述位線金屬疊層包括鈦(Ti)、鎢(W)、氮化鎢(WN)、硅化鎢(WS...

公開(kāi)了用于形成含金屬前體及沉積純金屬膜的處理腔室。也公開(kāi)了沉積方法，所述方法包括在單個(gè)處理腔室中形成含金屬前體及在基板上沉積含金屬前體以形成金屬膜。

提供了一種用于處理基板的基座，所述基座包括底座以及形成在所述底座之上的涂層。所述基座包括外邊沿，所述外邊沿具有內(nèi)邊緣、外邊緣以及將所述內(nèi)邊緣連接到所述外邊緣的頂部；以及內(nèi)盤(pán)狀物，所述內(nèi)盤(pán)狀物安置在所述外邊沿內(nèi)部并耦接到所述外邊沿，所述內(nèi)...

一種填充具有頸縮點(diǎn)的通孔的方法包括：執(zhí)行預(yù)清潔工藝，以從通孔底部處的金屬層的暴露表面去除殘留物并恢復(fù)通孔的內(nèi)表面，其中通孔在介電層內(nèi)形成，并且具有在通孔內(nèi)突出的頸縮點(diǎn)；執(zhí)行選擇性沉積工藝，以從頸縮點(diǎn)下方的金屬層的暴露表面用金屬填充材料部...

示例性半導(dǎo)體處理方法可包括將基板提供到半導(dǎo)體處理腔室的處理區(qū)域。所述基板可包括材料的交替疊層。特征可延伸穿過(guò)材料的所述交替疊層。材料的所述交替疊層中的一種材料可包括含硅材料。自然氧化物材料可設(shè)置在所述含硅材料的暴露表面的至少一部分上。所...

所公開(kāi)的是用于形成3D?NAND設(shè)備的字線觸點(diǎn)的方法。方法可以包括：提供交替的第一層和第二層的薄膜疊層；在所述薄膜疊層上形成第一平板印刷掩模；以及執(zhí)行交替的平板印刷和蝕刻過(guò)程的第一系列，以在所述薄膜疊層中形成觸點(diǎn)開(kāi)口對(duì)陣列，其中在每個(gè)蝕...

組件包括背板和擴(kuò)散器板，所述擴(kuò)散器板配置在所述背板下方。所述擴(kuò)散器板在擴(kuò)散器板上表面和擴(kuò)散器板下表面之間的所述擴(kuò)散器板第一區(qū)域形成凈化孔。所述擴(kuò)散器板在所述擴(kuò)散器板上表面和所述擴(kuò)散器板下表面之間的所述擴(kuò)散器板第二區(qū)域形成穿孔區(qū)域孔。每個(gè)...

一種沉積后處理的方法包括在自由基處理腔室中執(zhí)行預(yù)熱工藝，所述預(yù)熱工藝包括將其上形成有金屬層的基板暴露于凈化氣體，并且在400托與535托之間的壓力下凈化所述凈化氣體；以及在所述自由基處理腔室中執(zhí)行自由基處理工藝，所述自由基處理工藝包括將...

描述了半導(dǎo)體元件及其制造方法。此方法包括組合犧牲層的選擇性凹陷及硅層的各向同性蝕刻，以形成保護(hù)帽，此保護(hù)帽將允許在不影響此犧牲層的情況下蝕刻此基板的此硅層。

本公開(kāi)案的實(shí)施方式大體上涉及LED像素及制造LED像素的方法。所述裝置包括層壓模塊。所述層壓模塊包括經(jīng)配置以將聚合物膜供應(yīng)到所述層壓模塊的聚合物膜輥、底部襯里回收輥、頂部襯里回收輥、切割機(jī)制、基板源、輸送裝置系統(tǒng)及多個(gè)膜輥。所述聚合物膜...

示例性的半導(dǎo)體部件組裝平臺(tái)包括基架；所述基架具有從第一端延伸到第二端的框架主體。所述部件組裝平臺(tái)包括可移動(dòng)地連接到所述基架的伸縮架，及可移動(dòng)地連接到所述伸縮架的部件支撐件。半導(dǎo)體部件組裝平臺(tái)呈現(xiàn)壓縮位置和完全延伸位置。在壓縮位置中，將所...

本發(fā)明涉及具有減少占地面積的半導(dǎo)體處理工具平臺(tái)配置。基板處理系統(tǒng)包括具有受控環(huán)境的工廠接口和傳送腔室。傳送腔室包括四個(gè)第一小平面和三個(gè)第二小平面，其中三個(gè)第二小平面的每一個(gè)具有比四個(gè)第一小平面的每一個(gè)的寬度窄的寬度。第一處理腔室附接到四...

一種用于自動(dòng)檢測(cè)及測(cè)量經(jīng)切割晶片上的破裂缺陷的方法、設(shè)備及系統(tǒng)包括接收經(jīng)切割晶片的至少一部分的影像，對(duì)準(zhǔn)經(jīng)切割晶片的至少所述部分的所接收影像，確定在對(duì)準(zhǔn)的所接收影像中描繪的經(jīng)切割晶片的至少所述部分的邊緣，自已確定的邊緣自動(dòng)確定至少一個(gè)基...

本文描述的實(shí)施方式涉及一種具有嵌入其中的微透鏡及微鏡的光子元件以及制造此種元件的方法。示例光子元件包含：基板；埋入氧化物(BOX)層，所述埋入氧化物(BOX)層在所述基板上方設(shè)置；波導(dǎo)層，所述波導(dǎo)層在所述BOX層上方設(shè)置，所述波導(dǎo)層包含...

本公開(kāi)案總體上包括一種用于形成發(fā)光二極管(LED)元件的方法，所述方法包括：使用激光照射從所述LED元件移除載體基板；通過(guò)將所述LED元件浸泡在經(jīng)加熱的去離子水中來(lái)氧化通過(guò)所述激光照射形成的殘留液態(tài)金屬層；沖洗掉所述LED元件上的所述去...

本發(fā)明描述包括間隔開(kāi)的上臂的機(jī)器人。機(jī)器人包括可環(huán)繞肩部軸線旋轉(zhuǎn)的第一上臂與第二上臂，其中第二上臂與第一上臂間隔開(kāi)。其他機(jī)器人部件(第一前臂與第二前臂、第一腕部構(gòu)件與第二腕部構(gòu)件、及第一終端受動(dòng)器與第二終端受動(dòng)器)交錯(cuò)位于第一上臂與第二...

本技術(shù)包括用于改進(jìn)基板處理的方法及系統(tǒng)。方法及系統(tǒng)包括將基板設(shè)置在包括多個(gè)加熱區(qū)的基座上，每個(gè)加熱區(qū)具有獨(dú)立的加熱器，根據(jù)包括初始基座溫度的初始基板處理配方處理此基板，收集一或多個(gè)基板性質(zhì)的初始基板反饋，及提供數(shù)據(jù)作為基板控制算法的第一...

一種形成互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CFET)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：金屬柵極；底部場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)模塊，所述底部FET模塊包括在第一方向上延伸穿過(guò)金屬柵極的多個(gè)溝道層、和經(jīng)由底部外延(epi)?S/D和底部界面電氣連接到多個(gè)溝道層的底部源極/漏...