本發明屬于集成電路技術領域，具體涉及一種寬帶低幅度誤差的延時器；該延時器包括：輸入匹配網絡、輸出匹配網絡、第一單刀雙擲開關、第二單刀雙擲開關、延時單元和延時參考網絡；輸入匹配網絡連接第一單刀雙擲開關一端，第一單刀雙擲開關另一端分別連接延...

本發明公開了一種針對N型襯底的器件隔離環制作方法，包括：取一帶有N型外延的襯底；在所述襯底上通過注入形成P型埋層；在所述襯底上生長形成外延層；在所述外延層中注入形成與P型埋層的邊緣區域相接的深P阱；在所述外延層中注入形成與深P阱相接并延...

本發明公開了一種多比特錯誤定位與糾正方法、系統、計算機及存儲介質，該方法包括：預設兩個不同的生成多項式，分別構建優化查找表；計算原始數據對應的伴隨式，根據伴隨式查詢優化查找表，生成兩個通道的單錯誤位置候選集；引入并迭代強制錯誤位，根據強...

本發明屬于集成電路技術領域，具體涉及一種可編程超寬帶直接射頻收發異構集成芯片，包括：大規模可編程邏輯FPGA、兩個高帶寬射頻模數轉換器RF?ADC1~RF?ADC2以及兩個高速高精度射頻數模轉換器RF?DAC1~RF?DAC2；高帶寬射...

本發明公開了一種OTP存儲器動態糾錯系統、方法、計算機及存儲介質，該系統包括：跨時鐘同步模塊，用于將OTP接口的異步數據同步至系統時鐘域，并根據數據格式生成控制信號；雙緩沖區模塊，用于利用兩個獨立緩沖區交替寫入數據和讀取控制信號，并對寫...

本發明公開了一種基于提升界面潤濕性的晶圓盲孔電鍍方法，該方法包括以下步驟：S1：提供經激光打孔工藝得到的帶有盲孔的晶圓；S2：對經過打孔處理的晶圓表面進行鍍膜；S3：對經鍍膜處理得到的晶圓進行等離子處理；S4：將等離子處理后的晶圓放入真...

本發明涉及功率MOSFET器件，特別涉及一種具有三層緩沖層的高可靠性MOS器件結構及制備方法，制備方法包括在N襯底層上依次生長N漂移層、第二緩沖層；通過刻蝕在元胞中間形成第一深槽，在第一深槽底部注入離子形成第三緩沖層；在第一深槽中淀積氧...

本發明涉及模擬集成電路中電源管理芯片技術領域，旨在解決傳統電路帶隙基準關斷仍工作致功耗高、寬電壓適配需復雜電路且精度與功耗矛盾的問題。該方案包括：啟動偏置模塊、基準壓差產生模塊、電流鏡與電流分配模塊、參考電壓輸出模塊、濾波穩定模塊以及使...

本發明屬于集成電路領域，特別涉及一種低溫漂的負基準電路，該電路用于生成與該電路輸入的正基準電壓大小相等、方向相反且溫漂也對稱的負基準電路，包括第一電阻、第二電阻、電容、第一~第七MOS管、電流源、正電源、負電源，由電流源、第一~第六MO...

本發明公開了數字后端網表轉換和物理驗證方法、系統、計算機及介質，該方法包括：從數字后端導出布局布線后的GDS文件，并通過融合工藝設計套件中的標準單元數據，完善版圖信息；從數字后端導出Verilog網表文件；對Verilog網表文件進行網...

本發明公開了可編程低溫漂欠壓鎖定電路，包括：基準電流生成模塊，其輸入端接入第一基準電壓，用于輸出初始基準電流；零溫漂電流源陣列，用于根據初始基準電流和第二基準電壓生成參考電流，并將參考電流鏡像至多個并聯支路；修調模塊，用于利用可編程電阻...

本發明屬于控制電路技術領域，具體涉及一種用于PSI5接口的閾值電流控制電路；該電路包括：運算放大器的正輸入端連接NMOS管M1的漏極和電阻R2的一端，運算放大器的負輸入端連接電阻R1的一端，運算放大器的輸出端連接NMOS管M1的柵極；N...

本技術涉及試驗輔助設備領域，公開了一種用于螺桿安裝的旋轉器，包括外層結構以及活動設置在外層結構內的內層結構，所述內層結構內形成有用于供螺桿的一端穿設于其中并被鎖定的鎖定腔，在所述外層結構和內層結構之間設置有通過下壓外層結構帶動內層結構轉...

本發明公開了一種引腳彎曲型管殼平行縫焊夾具，用于裝夾引腳彎曲型管殼，引腳彎曲型管殼包括基體、設于基體上端的蓋板以及設于基體下端的引腳，本平行縫焊夾具包括上夾具本體和下夾具本體，下夾具本體上端設有一用于支撐基體的支撐固定機構，對基體形成豎...

本發明公開了一種多通道TIADC時間偏差校準方法，包括：計算多通道TIADC相鄰通道輸出值之間的通道差值；根據每一通道差值分別得到一時間誤差值，并以各時間誤差值為元素得到時間誤差相關向量；將時間誤差相關向量與預先設計的誤差提取矩陣相乘，...

本發明公開了一種運算放大器，包括：輸入與轉換單元，用于接收差分輸入信號并將所述差分輸入信號轉換為具有動態補償電流的單端信號；增益與驅動單元，用于對所述單端信號分解為互補信號并進行獨立放大，得到具有推挽驅動能力的放大信號。本發明在保持高阻...

本發明屬于集成電路領域，特別涉及一種用于開關電源的一次降壓電路，包括基準電路，用于產生具有良好溫度系數的基準電壓，決定一次降壓電路的降壓輸出電壓值；反饋電路，用于保證降壓輸出電壓的穩定性和精確性；輸出級電路，用于為降壓輸出電壓提供電流能...

本發明涉及半導體集成電路設計領域，特別涉及一種基于互補推挽輸出結構的輸出電流提升電路，包括：輸出級核心電路、扇出電流提升電路、灌入電流提升電路，所述扇出電流提升電路，用于提升輸出級核心電路的扇出電流能力；所述灌入電流提升電路，用于提升輸...

本申請實施例提供一種帶斬波的雙采樣Sigma?Delta調制器。應用于集成電路技術領域，包括：第一級積分器、第二級積分器、無源加法器、量化器和數模轉換器；第一級積分器用于接收原始輸入信號，并對原始輸入信號進行雙采樣和斬波處理，得到第一輸...

本發明公開了一種自適應防直通雙N型輸出驅動電路，包括第一控制電路、第二控制電路、輸出驅動級上管、輸出驅動級下管、二極管D1、電阻R1和電阻R2；所述輸出驅動級上管MN1和輸出驅動級下管MN2均為NMOS管；所述第一控制電路用于在第一時序...