本發明涉及一種寬波段多光譜銦鎵砷探測器的制備方法，屬于銦鎵砷探測器技術領域。所述方法通過InP緩沖層、InAs<subgt;y</subgt;P<subgt;1?y</subgt;過渡層、In<subgt;...

本發明快速啟動紅外探測器包括：杜瓦窗口、冷屏、紅外芯片、裝載基板、底板、杜瓦主體、杜瓦冷指、杜瓦內管座、節流制冷器安裝座、節流制冷器底座、肋片管和濾光片，杜瓦內管座固定在節流制冷器安裝座上，杜瓦主體下端固定在杜瓦內管座上，杜瓦窗口下端固...

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種避免像素間橫向串擾的硅基OLED微型顯示器結構，其中電荷產生層由下至上依次由N型電荷產生層、中間層和P型電荷產生層組成，中間層包括若干島狀區和空白區，所述島狀區自由分布于空白區內。通過在電荷產生層中引...

本發明涉及原子沉積技術，特別是一種減少原子沉積腔室顆粒的方法，基于現有的原子沉積腔室結構，其特征在于所述腔室采用6061鋁合金，通過對腔室進行噴砂處理、超聲清洗和對腔室進行表面氧化處理，在腔室內表面生成一層氧化鋁膜層，獲得的腔室不容易脫...

本發明公開了一種非制冷紅外探測器的氧化釩刻蝕方法，該方法包括：1)提供襯底，在襯底表面形成氧化釩薄膜和氮化硅薄膜；2)在氧化釩薄膜和氮化硅薄膜上形成圖形化的光刻膠；3)刻蝕氮化硅薄膜，深度為1/3～2/3；4)去除光刻膠；5)采用氮化硅...

本發明涉及一種膠體量子點制造技術領域，具體為一種基于ODT輔助合成制備HgTe量子點的方法，取油胺加入單口瓶中，再向瓶中依次加入HgCl<subgt;2</subgt;以及ODT，然后加入TOP?Te溶液，最后再溶液中注入四...

金摻雜硫化鉛膠體量子點光電探測器的暗電流抑制方法，涉及量子點技術。本發明的方法在石英襯底上通過磁控濺射生長金電極作為器件的底電極。在金電極上旋涂Au?NP摻雜的硫化鉛量子點溶液，再在量子點薄膜上方覆蓋EDT溶液進行配體交換，配體交換后將...

本發明屬于量子點技術領域，具體公開一種高質量HgTe膠體量子點油墨及薄膜的制備方法，包括以下步驟：取HgTe膠體溶液；配體溶液制備：每5?mL的DMF溶液里中加入5?mg的DDAB、30?mg?HgBr<subgt;2</s...

本發明涉及的是OLED顯示器發光結構的制作技術，具體涉及基于真空蒸鍍設備的OLED顯示器陰極，應用于頂發射結構的OLED顯示器上，其特征在于陰極材料采用聚乙烯二氧噻吩，其制作方法為用氯仿和醋酸的混合溶劑溶解3,4?乙烯二氧噻吩，然后加入...

一種高質量Ag<subgt;2</subgt;Se膠體量子點（CQDs）的粒徑及摻雜調控方法，涉及量子點控制技術，本發明將含有Ag源的AgNO<subgt;3</subgt;和Se源的TOP?Se前驅體溶液，注射...

本發明涉及一種紅外熱像非均勻性校正參數及盲元表備份及遠程恢復方法，屬于紅外熱像非均勻性校正參數及盲元表固化技術領域。本發明通過串口將紅外熱像原本固化在成像電路存儲介質FLASH中的所有非均勻性校正參數組及盲元表導出到本地PC端進行備份，...

本發明涉及一種膠體量子點墨水及薄膜制造技術領域。具體為一種激子峰波長為2.0微米的PbS量子點墨水及薄膜的制備方法，所述PbS量子點墨水由PbS量子點粉末溶于N，N?二甲基甲酰胺、正丁胺、正己胺、吡啶混合溶液制備得到；再取PbS量子點墨...

本發明公開了一種碲鋅鎘晶片面形控制方法，該方法首先需確定實際工藝條件下碲鋅鎘晶片損傷層厚度和面形隨磨拋工藝過程中的普適變化情況；結合分析結果，在每次碲鋅鎘晶片表面處理前，通過化學腐蝕的方法去除碲鋅鎘晶片雙面的損傷層；同時在化學拋光前測量...

本發明涉及表面多層復合鍍層材料增強導熱的制冷型紅外探測器用杜瓦鎳基薄壁冷屏及其制備方法，屬于制冷型紅外探測器技術領域。該方法將內表面已發黑處理的鎳基薄壁冷屏裝入電子束蒸發鍍膜夾具中；對電子束蒸發鍍膜設備抽高真空；待電子束蒸發鍍膜設備真空...

本發明提供一種Ⅲ?Ⅴ族單晶的切割損傷深度測試方法，其特征在于包括以下步驟：S1，晶片表面清潔，S2，晶片初始厚度測量，S3，貼保護膜，S4，分步腐蝕得到階梯臺面，S5，擇優腐蝕液使切割損傷顯現，S6，對晶片臺階表面進行觀察和測試，S7，...

本發明提供一種帶電磁彈簧的線性壓縮機，包括主機體，設于主機體內的由壓縮活塞和永磁體構成的壓縮振子部件，以及由套設在缸套外壁上的內軟磁，和固定在主機體上的線圈架及其內的線圈構成的定子部件，其特征在于主機體內設有電磁彈簧，該電磁彈簧包括設于...

本發明公開了一種用于APD紅外探測器讀出電路的ESD防護結構，該ESD防護結構包括P型襯底；襯底中形成的N摻雜阱，構成PMOS的體端；阱形成的兩個P摻雜有源區，構成PMOS的源端和漏端；PMOS的柵端通過電阻與源端及體端相連。該ESD防...

本發明提供一種延時自調式節流制冷器及其方法，制冷用杜瓦，以及設于制冷用杜瓦內的延時閥，其特征在于所述延時閥包括閥體，并在制冷用杜瓦與閥體之間設冷卻腔，閥體內設有空腔，空腔內設有其上帶延時復位機構的移動閥芯，該移動閥芯將空腔分隔為可連通或...

本技術提供一種探測器制冷組件散熱裝置，包括基座，其特征在于基座頂面通過轉接板與探測器制冷組件相連接，基座上設有敞口向上的第一凹槽，第一凹槽底部兩端分別設有通孔，轉接板與基座頂面相接的底面設有敞口向下的第二凹槽，第二凹槽與第一凹槽相互配接...

本技術提供一種線性壓縮機間隙密封耦合縫式氣體軸承，包括其內設空腔的缸體，活動設于缸體空腔內的活塞，通過活塞將空腔分為壓縮腔和背壓腔，活塞內設有高壓腔，該高壓腔通過單向閥與壓縮腔連通，在活塞外壁與缸體空腔壁之間設有間隙，其特征在于：活塞中...