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        昆明物理研究所專利技術

        昆明物理研究所共有490項專利

        • 本發明公開了一種大直徑碲鋅鎘晶體生長裝置及方法,裝置包括:保溫爐體、爐管、坩堝、異形生長管、生長管承載部件、加熱單元組、控溫熱電偶組和多對監測熱電偶對,坩堝設于異形生長管內,異形生長管通過生長管承載部件置于爐管內,加熱單元組設于保溫爐體...
        • 本發明涉及一種低損傷去除高能離子作用后碲鎘汞表面光刻膠的方法,包括以下步驟:S1,將進行了干法刻蝕或離子注入工藝后的帶有光刻圖形的碲鎘汞樣品放置于石英托盤上,準備進行等離子干法去膠工藝;S2,將碲鎘汞樣品放置于等離子反應設備預真空室中,...
        • 本發明公開了一種提高碲鎘汞芯片歐姆孔和金屬電極成型腐蝕一致性的方法,該方法通過在干法刻蝕和濕法腐蝕間,加入氧等離子體處理步驟,使光刻膠及碲鎘汞等材料表面形成羥基(?OH)和羧基(?COOH)等親水性官能團,促使表面親水性增強,從而增強腐...
        • 本發明公開了一種避免光刻膠低溫膠裂銦下滲的銦薄膜沉積方法,屬于紅外探測器領域。該方法把常規的一次降溫和一次沉積改為多次降溫和多次沉積,即沉積溫度分多次降到目標溫度,每次降溫至目標溫度后沉積一層銦薄膜,通過多次降溫多次沉積形成階梯式周期,...
        • 一種可控逐滴滴加制備氧化鋅納米晶的方法,涉及膠體納米晶合成技術領域,尤其是氧化鋅納米晶的可控合成。本發明的方法,合成過程包括鋅源溶液制備,氫氧化鉀溶液制備和滴加以及溫度控制等。本發明合成的氧化鋅納米晶的制作工藝簡單,具有合成溫度可控、納...
        • 本發明公開了一種紅外焦平面的數字積分像元電路及讀出電路,像元電路為基于模擬計數器的數字積分像元電路,由光電流源、注入晶體管、積分電容、比較器、模擬計數器、電荷包扣減電路和行選擇開關組成,像元輸出模擬計數器的輸出電壓和積分節點的殘余電壓。...
        • 本發明涉及一種具有場景自適應性的雙波段彩色圖像融合算法,屬于圖像處理技術領域。該圖像融合算法包括:雙波段空間信息融合;波段信息差異提取;波段差異信息自適應伽馬校正;波段差異螺旋線映射到彩色空間;LAB空間彩色融合圖像的生成及轉化。針對雙...
        • 本發明涉及一種利用人眼彩色視覺差異增強波段差異的彩色圖像融合算法,屬于圖像處理技術領域。所述融合算法包括:雙波段空間信息提取與融合;波段信息差異提取;波段差異信息映射到彩色空間;映射飽和度自適應雙直方圖均衡;LAB空間彩色融合圖像的生成...
        • 本發明公開了一種碲鎘汞p?on?n材料界面位錯密度及空間分布特性的測量方法,屬于光電材料制備領域。該方法包括:(1)p?on?n材料總厚度測試;(2)進行位錯腐蝕;(3)位錯腐蝕坑密度測量;(4)材料剩余厚度測試;(5)重復步驟(2)~...
        • 本發明公開一種小像元間距的可重構紅外焦平面探測器數字像元讀出電路,涉及紅外探測器技術領域。由多個光敏元、可重構像元配置電路、數字積分像元電路組成,可重構像元配置電路包括基于二極管復位的可重構數字像元電路和基于二極管光電流泄放的可重構數字...
        • 本發明公開了一種邁克爾遜干涉裝置及控制方法,涉及邁克爾遜干涉儀技術領域。裝置包括干涉單元、探測單元、第一反饋單元、第二反饋單元及控制單元,其中,第一反饋單元采用絕對式光柵尺實時測定干涉單元內部動鏡的位置信息,第二反饋單元采用增量式光柵尺...
        • 本發明公開了一種用于小型對置式線性壓縮機的外置式氣體軸承,屬于微型低溫制冷領域。該外置式氣體軸承包括單向閥、高壓進氣孔、高壓腔、氣缸、活塞、壓縮腔、氣膜間隙、節流小孔、氣缸外套和背壓腔。本發明將氣體軸承結構外置于氣缸側,高壓腔位于氣缸壁...
        • 本發明公開了一種傅里葉光譜儀波數定標方法、存儲介質及系統,屬于光譜分析技術領域。本發明采用動態閾值分級觸發機制,通過軟件級定標與硬件級定標的協同,實現非中斷式實時校準。包括:構建參考儀器線型函數ILS基準模型,統計殘差分布特性并設定動態...
        • 本技術提供一種批量檢測紅外探測器的裝置,包括機箱和設置在機箱外部的測試計算機,其特征在于機箱上設有黑體模組、驅動電路板、測試杜瓦安裝機構,測試杜瓦安裝機構旁側設有機械手及測試杜瓦擺放臺,所述黑體模組、測試杜瓦安裝機構均通過導線與驅動電路...
        • 本技術提供一種紅外探測器測試用接口裝置,包括支架,與支架相連的固定板,其特征在于還包括前置信號電路板相連,該前置信號電路板上設有與固定板上對應插孔相插接的第一插頭,以及與近貼電路板上的導電觸點相觸碰的彈簧頂針,近貼電路板與其上設有第二插...
        • 本發明涉及一種膠體量子點制造技術領域。具體為一種尺寸可控HgTe膠體量子點的制備方法,該方法在用移液槍吸取1M的TOP?Te溶液,逐滴滴入汞源前驅體溶液中,直至逐滴滴入TOP?Te溶液時,汞源前驅體溶液變為淡棕色后在15s內恢復為無色溶...
        • 原位合成高質量HgTe膠體量子點的方法,涉及量子點技術,尤其是一種HgTe膠體量子點(CQDs)制備方法。本發明提出一種新型鈍化劑(PFGA)在量子點合成當中減緩形核速率,增加原位合成HgTe?CQDs(膠體量子點)的尺寸均一性,簡化了...
        • 本發明涉及一種基于2.0微米PbS膠體量子點的紅外探測器及其制備方法,由陽極導電層、空穴傳輸層、膠體量子點薄膜、電子傳輸層、電子阻擋層和陰極導電層組成,其中,所述膠體量子點薄膜采用PbS?PbX,制備方法采用9.7nm的PbS膠體量子點...
        • 本發明公開了一種與驅動控制電路阻抗匹配的高效直線電機,涉及線性壓縮機領域。由壓縮氣缸、壓縮活塞、磁鋼支架、線圈支架、永磁體、內軟磁、側外軟磁、勵磁線圈、上外軟磁組成,所述直線電機的勵磁線圈包括上下兩組線圈,繞制于側外軟磁上,并且被外軟磁...
        • 基于ZnO/HgTe/PEDOT:PSS有機?無機異質結的碲化汞量子點紅外光電探測器及其制備方法,涉及一種有機?無機雜化的量子點光電探測器,尤其是一種室溫制備的具有Au/ZnO/HgTe/PEDOT:PSS/ITO垂直結構的量子點紅外光...