本發(fā)明涉及一種基于vivado?simulation的紅外圖像FPGA算法模塊仿真方法，屬于紅外圖像處理技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明搭建了一套基于vivado?simulation仿真工具的verilog紅外圖像算法模塊仿真驗(yàn)證方法，通過使用ver...

本發(fā)明公開了一種抑制銻揮發(fā)低缺陷銻化鎵單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)包括PBN坩堝、石英帽、石英生長(zhǎng)管、上加熱區(qū)、下加熱區(qū)、外保溫層、保溫蓋、石英生長(zhǎng)管支撐件、石英生長(zhǎng)管升降裝置、上支撐板、下支撐板和外殼，環(huán)形下支撐板固定在外保溫層下部，下加熱區(qū)環(huán)形地固...

本發(fā)明公開了一種抗蝕刻損傷的碲鎘汞環(huán)孔布局優(yōu)化方法。該方法包括以下步驟，首先在讀出電路像元電極表面淀積大于電極尺寸的金屬膜備用；然后制備出目標(biāo)大小的具有雙面鈍化結(jié)構(gòu)且經(jīng)過熱處理的碲鎘汞薄膜材料，并將其粘接到備用讀出電路上；在暴露出的材料...

本發(fā)明公開了一種低漏電流碲鋅鎘或碲化鎘輻射探測(cè)器及表面漏電流抑制方法，涉及碲鋅鎘或碲化鎘半導(dǎo)體輻射探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。所述輻射探測(cè)器包括射線吸收層的碲鋅鎘或碲化鎘半導(dǎo)體材料、電子選擇性接觸層、空穴選擇性接觸層及鈍化層；所述電子選擇性接觸層作...

本發(fā)明公開一種碲鋅鎘晶片全流體、無損傷去除表面殘余物的方法，包括以下步驟：S1，預(yù)先浸泡：用包含乙醇、異丙醇和去離子水的第一清洗液浸泡CMP后的碲鋅鎘晶片，然后用去離子水溢流沖洗；S2，噴洗正面：用包含乙醇、去離子水的第二清洗液，以二流...

本發(fā)明公開了一種熱釋電芯片高吸收率吸收層、制備方法及其應(yīng)用，包括：（1）將多壁碳納米管、粘結(jié)劑、去離子水與無水乙醇進(jìn)行混合，超聲形成吸收層分散液；（2）在熱釋電芯片表面滴涂吸收層分散液，而后利用馬蘭格尼效應(yīng)的傳質(zhì)運(yùn)動(dòng)，在其表面均勻沉積制...

本發(fā)明公開了一種氣體泄漏監(jiān)測(cè)中紅外圖像氣體目標(biāo)分割方法及存儲(chǔ)介質(zhì)，包括：紅外圖像序列預(yù)處理；運(yùn)動(dòng)目標(biāo)檢測(cè)，采用ViBe背景建模算法，提取運(yùn)動(dòng)區(qū)域，生成疑似氣體候選區(qū)域；空間靜態(tài)特征分析，提取目標(biāo)的形狀不規(guī)則性特征，包括矩形度和周長(zhǎng)面積比...

本發(fā)明公開了一種基于HgCdTe線性APD陣列的三維成像Flash激光雷達(dá)系統(tǒng)及方法，系統(tǒng)包括：時(shí)序控制模塊、ADC數(shù)據(jù)處理模塊和驅(qū)動(dòng)電路模塊，時(shí)序控制模塊與APD陣列連接，用于輸出主時(shí)鐘及輸出信號(hào)；ADC數(shù)據(jù)處理模塊用于接收APD陣列...

本發(fā)明公開了一種紅外分焦平面偏振信息重構(gòu)方法及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，屬于偏振成像領(lǐng)域，該方法包括：（1）分焦平面偏振馬賽克圖像讀取，讀入分焦平面偏振馬賽克圖像，并將其按4個(gè)不同偏振角度像素為1組，進(jìn)行超像素劃分；（2）逐一計(jì)算超像素的第一和第...

本發(fā)明公開了一種邁克爾遜干涉儀動(dòng)鏡控制系統(tǒng)建模、辨識(shí)方法及存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及邁克爾遜干涉儀技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：首先，構(gòu)建邁克爾遜干涉儀動(dòng)鏡控制系統(tǒng)在外界振動(dòng)擾動(dòng)情況下的控制系統(tǒng)模型，包括：柔性鉸鏈建模、系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)分析、系統(tǒng)電磁學(xué)分析、動(dòng)鏡...

本技術(shù)涉及一種便攜式紅外雙光譜成像目標(biāo)探測(cè)裝置，包括：殼體，殼體包括前殼體、后殼體和后蓋，前殼體包括物鏡組和濾光器件組，濾光器件組自動(dòng)切換多光譜和高光譜，快速改變光譜分辨率，物鏡組設(shè)有濾光片Ⅰ，會(huì)聚目標(biāo)的紅外信號(hào)轉(zhuǎn)換成平行光后傳至濾光器...

本發(fā)明公開了一種基于LED多層基底的微透鏡陣列勻光復(fù)合結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)方法，包括：確定LED多層結(jié)構(gòu)的材料和結(jié)構(gòu)參數(shù)；基于Snell定理和幾何關(guān)系，推導(dǎo)出點(diǎn)光源的有效距離公式，并根據(jù)材料和結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)其進(jìn)行計(jì)算；推導(dǎo)計(jì)算出有效焦距，最終確定光路...

本發(fā)明公開了一種制冷型紅外探測(cè)器暗電流的測(cè)試方法，涉及制冷型紅外探測(cè)器性能測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：步驟A，在制備好的探測(cè)器芯片表面制備多層金屬鍍層；步驟B，制備低矮的盲冷屏；步驟C，芯片封裝；步驟D，暗電流測(cè)試，測(cè)試過程中保證組件低溫...

本發(fā)明公開了一種砷化銦襯底表面宏觀損傷和亞損傷精細(xì)調(diào)控的方法，包括：S1，用金剛石刀片減薄襯底；S2，用氧化鋁等磨料對(duì)襯底進(jìn)行機(jī)械研磨，去除減薄過程中產(chǎn)生的宏觀表面缺陷和切割痕；S3，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，去除機(jī)械研磨過程中產(chǎn)生的劃痕等宏觀...

本發(fā)明公開了一種長(zhǎng)波紅外光譜異常數(shù)據(jù)檢測(cè)方法及存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法從數(shù)據(jù)本身空間域和變換的頻域來對(duì)光譜數(shù)據(jù)進(jìn)行異常判斷，利用長(zhǎng)波紅外光輻射的物理特性，通過空間域和頻域聯(lián)合分析進(jìn)行光譜數(shù)據(jù)異常檢測(cè)。技術(shù)方案如下：對(duì)紅外光譜數(shù)據(jù)進(jìn)行傅里葉變換，...

本技術(shù)涉及有機(jī)高分子化學(xué)氣相沉積裝置制造領(lǐng)域，特別涉及帶自清潔功能的有機(jī)高分子化學(xué)氣相沉積裝置，原料蒸發(fā)室、原料反應(yīng)室、沉積室、廢料捕集腔和真空泵依次連通；加熱模塊環(huán)繞在原料蒸發(fā)室和原料反應(yīng)室外；原料蒸發(fā)室通過閥門與自清潔原料入口連通；...

本發(fā)明公開了一種碲鎘汞微臺(tái)面陣列的成型方法，涉及碲鎘汞雙色探測(cè)器制造領(lǐng)域。該方法包括：首先采用刻蝕氣體組合為CH4?H2?Ar的條件通過等離子體刻蝕獲得一定深度的微臺(tái)面陣列結(jié)構(gòu)，然后采用兆聲輔助濕法腐蝕的方法進(jìn)行剩余深度結(jié)構(gòu)的腐蝕，在保...

本發(fā)明公開了一種大規(guī)模非共基板獨(dú)立模塊紅外探測(cè)器拼接裝置及方法，裝置設(shè)置在高精度3D形貌測(cè)量?jī)x器上，其包括：二維傾斜調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)、轉(zhuǎn)接板、探測(cè)器組件支撐機(jī)構(gòu)和水平拼接調(diào)整機(jī)構(gòu)，轉(zhuǎn)接板固定于二維傾斜調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)上；探測(cè)器組件支撐機(jī)構(gòu)設(shè)于轉(zhuǎn)接板上，...

本發(fā)明公開了一種制冷型紅外探測(cè)器低溫背景性能測(cè)試的裝置及方法，通過設(shè)置隔離盤，并在隔離盤上開設(shè)小孔，連通冷罩內(nèi)部和密封腔體，通過抽真空減少空氣中的熱傳導(dǎo)介質(zhì)，并通過設(shè)置冷罩為外層，冷屏為內(nèi)層的雙層結(jié)構(gòu)，有效屏蔽制冷機(jī)運(yùn)行中的熱輻射，通過...

本發(fā)明提出了碲鎘汞p?on?n器件元素替代占位和界面勢(shì)壘調(diào)控裝置和方法，該裝置由多溫區(qū)恒溫結(jié)構(gòu)、多段加熱單元、顯示及控制單元、樣品承載腔、整體支撐結(jié)構(gòu)、樣品承載腔放置臺(tái)及其支撐桿等部分組成，通過各恒溫區(qū)溫度、溫差、距離以及升溫速率、降溫...