本公開涉及用于支撐半導體制造工具及室中的晶片的基座組件。該基座組件可以具有邊緣清掃系統，該邊緣清掃系統包括軸向對稱的第一充氣室容積，該第一充氣室容積至少包括第一軸向子容積、第一徑向子容積和第二徑向子容積。該第一軸向子容積可以流體介于該第...

提供用于產生合成半導體圖像數據的方法、系統和介質。在某些實施方案中，方法包含產生成組的合成分段圖像，該成組的合成分段圖像中的每一合成分段圖像代表分段半導體計量圖像。方法可包含使用第一經訓練GAN產生成組的虛擬圖像，每一虛擬圖像對應于該成...

本文提供了用于處理室中的沉積控制的方法、系統和介質。在一些實施方案中，一種方法包括(a)獲得當前時間點的信息，該信息指示在對一或更多晶片執行沉積處理期間的該處理室的一個或更多部件的狀態。該方法可以包括(b)通過將基于該已獲得的信息的輸入...

提供了一種用于等離子體處理室系統中的部件。部件本體具有面向等離子體的表面。該面向等離子體的表面包含燒綠石，該燒綠石包含鋯和鉿中的至少一者以及鑭(La)、釤(Sm)、釔(Y)、鉺(Er)、鈰(Ce)、釓(Gd)、鐿(Yb)和釹(Nd)中的...

一種用于襯底處理系統的排放連接器的氣體冷卻蓋包含：第一蓋部分，其被配置成設置在所述襯底處理系統的所述排放連接器的第一部分周圍，并且包括：第一主體，其界定第一氣體室和第二氣體室。第一氣體入口被設置在所述第一主體的外表面上，并與所述第一氣體...

一種復合納米結晶硅層可通過在襯底上直接或間接沉積多晶硅子層而形成。非晶硅子層被沉積在多晶硅子層上。復合納米結晶硅層可通過重復沉積多晶硅子層和非晶硅子層而形成。

一種三維(3D)存儲器結構包含存儲器單元和多個氧化物層以及多個字線層。所述多個氧化物層和所述多個字線層在第一方向上交替堆疊。多個雙溝道孔在所述第一方向上延伸貫穿所述多個氧化物層和所述多個字線層。所述多個雙溝道孔在橫向于所述第一方向的第二...

公開了用于獲得關于半導體處理工具操作方面的多種類型傳感器信息的系統和技術。這樣的系統和技術可涉及儀器化晶片，其包括一種或更多不同類型的傳感器，包括例如壓強傳感器、氧(或其他氣體)傳感器、濕度傳感器、朝上和/或朝外的成像傳感器或光學傳感器...

描述了多級脈沖的系統和方法。所述系統和方法包含產生四或更多個狀態。在所述四或更多個狀態中的每一者期間，射頻(RF)產生器產生RF信號。所述RF信號具有四或更多個功率電平，且所述四或更多個功率電平的每一者對應于所述四或更多個狀態。所述多級...

提供用于半導體設備的狀態的多傳感器確定的方法和裝置。在本文公開的一些實施方案中，半導體制造設備可以包括：多個傳感器，其包括設置于該半導體制造周圍的一個或更多個空間傳感器、一個或更多個光譜傳感器、以及一個或更多個時間傳感器；以及控制器，其...

一種用于向襯底處理系統提供RF功率的直驅系統包括直驅外殼，該直驅外殼包括：第一直驅電路，其位于所述直驅外殼中并以第一頻率運行；和第一連接器，其連接所述第一直驅電路。接線盒布置成與所述直驅外殼相鄰，并且包括：第一電容電路，其連接所述第一直...

一種用于等離子體處理的外部上電極。成形底表面和具有徑向寬度的頂表面，其中頂表面的中間部分具有橢圓形狀。圓柱輪廓橫跨外部上電極的高度，其中頂表面的中間部分限定圓柱輪廓的頂部。內徑表面連接頂表面和成形底表面，其中內徑表面包括過渡邊緣。外徑表...

本文公開了用于管理在襯底上進行各種基于等離子體的處理期間在等離子體處理室的等離子體處理區域內產生的非揮發性和/或低揮發性副產物材料的組件和處理。這些組件包括頂部窗結構、襯套結構、邊緣環結構、聚焦環結構、接地環結構、襯底進出端口護罩、用于...

提供了氮化物原子層蝕刻，其包括通過使含磷反應物與一種或多種氧化劑反應，在氮化硅層的表面上原位生成磷酸。磷酸選擇性地蝕刻氮化硅層，而不是氧化硅和/或硅。

提供了一種用于在等離子體處理室中形成半導體器件的方法。原子層蝕刻相對于SiN選擇性地蝕刻SiO并沉積氟化聚合物。剝離所述氟化聚合物層，其包括使包含氧的剝離氣體流入等離子體處理室，由剝離氣體形成等離子體，并停止剝離氣體的流動。相對于SiO...

公開了涉及在原子層沉積工具中使用原位濺射以在襯底中形成有角表面特征的示例。一示例提供了在集成電路工藝中于襯底上形成有角表面特征的方法。該方法包括將襯底放置于原子層沉積(ALD)工具的處理室中。該方法還包括控制ALD工具以通過執行一個或更...

提供可附接至半導體處理室的氣體回收系統。膜過濾系統與該半導體處理室流體連接，該膜過濾系統包含至少一個氣體分離膜，其中該至少一個氣體分離膜過濾來自該半導體處理室的加壓廢氣以從該加壓廢氣分離至少一種氣體。

在一示例中，提供一種用于電鍍晶片的電鍍設備。該電鍍設備包含：晶片支架，其用于在電鍍操作期間保持晶片；以及鍍覆槽，其被配置成在該電鍍操作期間容納電解液。陽極腔室被設置在該鍍覆槽內，以及進料板被設置在該陽極腔室內。陽極被安置在該陽極腔室內的...

一種裝置包括：石英晶體微天平，其包括具有涂層的石英晶體諧振器；以及被布置成使液體在涂層上方流動的流動槽。

一種裝置包含：噴頭，其包含圓盤和與該圓盤耦合的主干；以及調整器，其與該主干耦合。該調整器包含：銜接器，其包含加熱器插件；以及流體管線，其靠近該加熱器插件，其中該加熱器插件從該銜接器的頂部表面經由該銜接器中的第一空腔延伸至該主干中的第二空...