提供了用于對半導體器件制造設備的處理室的條件進行光譜感測的方法、裝置和各種用途應用。

提供了在圖案化半導體襯底上形成非保形金屬摻雜膜以促進特征的更深的蝕刻的方法和裝置。鎢摻雜碳化物膜的選擇性沉積和回蝕可調整以配置期望的形狀。諸如頭盔形膜之類的具有圓形輪廓的形狀可鋪設在圖案化掩模層上，從而提供選擇性優勢。

一種提供適于多個氣體輸送并通過增材制造形成的半導體處理工具噴頭設計。此類噴頭設計可具有內部螺旋通道或內部充氣室，在整個內部充氣室分布有跨越在其上與下表面之間的多個柱部。

本公開內容涉及通過在表面涂覆刺激響應聚合物層來保護半導體襯底表面的方法，該刺激響應聚合物層由具有含甲醛主鏈和增強疏水性和/或降低結晶度的取代基的共聚物組成。

公開了用于確定和使用多種偏差以用于將晶片提供至多站處理室的傳送基座的系統和技術。這樣的技術可以用于提供基座特異性偏差，該偏差可以基于被分配給特定晶片的多站室的基座進行選擇。可使用類似技術基于被分配給特定晶片的轉位器的轉位器臂，提供晶片支...

用于將蒸氣供應至襯底處理工具的處理模塊的蒸氣供應系統包含汽化器組件，以使液體汽化并將汽化液體作為蒸氣供應至處理模塊。汽化器組件位于襯底處理工具外部。蒸氣供應系統包含氣體箱，以接收由汽化器組件所供應的蒸氣并將蒸氣從氣體箱供應至處理模塊。氣...

提供用于獨立輸送不同的、相互反應的工藝氣體至晶片處理空間的噴頭。所述噴頭包含具有經由間隙而彼此隔開的多個充氣室結構的第一氣體分配器、以及定位于所述第一氣體分配器上方的第二氣體分配器。可使來自第二氣體分配器的隔離氣體向下流至第一氣體分配器...

一種用于向設備提供信號的設備可以包括一個或多個射頻信號發生器，以及將來自一個或多個RF信號發生器的信號耦合到制造室的電氣小傳輸線。該裝置還可以包括電抗電路，以將電氣小傳輸線的阻抗從相對高阻抗靈敏度的區域轉換到相對低阻抗靈敏度的區域。

本公開內容涉及包含異質層的豎直堆疊件以及其制造工藝與方法。本公開內容還描述了用于制備且形成此類堆疊件的裝置和系統。

提供一種將襯底摻雜的方法。在該襯底的表面形成氧化硅擴散阻擋層。至少一摻雜劑層被沉積在氧化硅擴散阻擋層上。在至少一層的摻雜劑層上沉積帽蓋層以形成襯底、氧化硅擴散阻擋層、至少一層摻雜劑層和帽蓋層的堆疊件。退火該堆疊件。移除帽蓋層、至少一層摻...

所公開的示例涉及一種使用原子層沉積(ALD)在位于襯底支撐件上的下凹特征的下部分上沉積膜的方法。一示例提供一種方法，其包含將包含下凹特征的襯底配置在ALD處理室中的襯底支撐件上，下凹特征包含從襯底表面中的下凹特征的開口延伸到襯底中的凹壁...

本發明涉及動態冷卻劑混合歧管。一種用于控制布置在襯底支撐組件上的襯底的溫度的系統包括分別以固定流速供應在第一溫度和第二溫度下的流體的第一源和第二源。第一三通比例閥和第二三通比例閥接收來自第一源和第二源的流體，混合所接收的流體的第一部分以...

一種氣體分配端口插件以及與其一起使用的設備，其能夠抑制或至少減少工藝氣體與關聯于半導體處理工具的包含該氣體分配端口插件的氣體分配主體相互作用和/或反向擴散進入該氣體分配主體。

一種用于調整襯底處理系統中的邊緣環的高度的控制器包含：邊緣環損耗計算模塊，其被配置以接收至少一個輸入，其指示所述邊緣環的一或更多個侵蝕速率，基于所述至少一個輸入來計算所述邊緣環的至少一個侵蝕速率，并且基于所述至少一個侵蝕速率來計算所述邊...

公開的示例涉及在原子層沉積(ALD)處理中利用抑制劑以在圖案化處理中沉積膜。一示例提供一種處理襯底的方法，該襯底包含于間隔件之間的間隙。該方法包含執行多個原子層沉積(ALD)循環以利用氧化物膜來填充這些間隔件之間的該間隙。該多個ALD循...

一種用于保護襯底支撐件的接合層的彈性加壓密封帶，該彈性加壓密封帶包括環形主體，當該彈性加壓密封帶處于未壓縮狀態時，該環形主體具有第一長度。該環形主體包括第一環形主體部分、環形臂部和撓性頸部，該撓性頸部連接該第一環形主體部分與該環形臂部。...

用介電材料填充間隙的方法包括于沉積期間使用抑制等離子體。抑制等離子體增加所沉積的膜的成核阻礙。抑制等離子體在特征的頂部附近選擇性地相互作用，從而與特征的底部相比，在特征的頂部處抑制沉積，由此增強由下向上填充。

描述了增加關聯于邊緣環的傳熱接觸面積的系統和方法。邊緣環包括具有內徑和外徑的水平部分。內徑圍繞襯底支撐件的襯底接收位置，且水平部分具有頂表面和下表面。水平部分的頂表面面向等離子體室的等離子體區域，且水平部分的下表面具有內膠接收部分和外膠...

通過最小化或消除流向唇形密封件的離子電流來最小化或消除在半導體襯底上電沉積金屬期間金屬在唇形密封件上的不希望的沉積(唇形密封件鍍出)。例如，可以進行電沉積以避免在電鍍過程中唇形密封件與半導體襯底上的陰極偏置導電材料接觸。這可以通過屏蔽靠...

本文提供了在特征中形成氮化鎢(WN)阻隔層的方法，該方法包括通過將二硼烷投配到室并從所述室清掃二硼烷一次或更多次來形成鎢子層，以及在投配并清掃二硼烷后，投配六氟化鎢到所述室并從所述室清掃六氟化鎢多次；在形成鎢子層后，投配二硼烷到所述室并...