公開的示例涉及在電沉積系統(tǒng)中灌溉離子交換膜。在一示例中，該電沉積系統(tǒng)包含：流體分配系統(tǒng)，其包含膜組件，膜組件包含膜框架，其被配置成支撐限定陰極室的邊界的離子交換膜。該流體分配系統(tǒng)還包含：高電阻虛擬陽極(HRVA)，其位于該膜框架與襯底保...

一種處理室包含具有圓頂?shù)牡谝徊糠忠约暗诙糠帧Ｔ搱A頂包含陶瓷材料且為橢圓形。用于處理襯底的基座被布置在第二部分中。噴頭被布置在介于第一部分和第二部分之間的圓頂?shù)幕刻帯０沾刹牧系淖⑷肫鞅话惭b在圓頂上，以在襯底處理期間和處理室清潔期間...

電鍍杯組件包括杯底部、唇形密封件及電接觸結(jié)構(gòu)。杯底部至少部分地限定開口，該開口配置成使得位于杯組件中的晶片暴露于電鍍?nèi)芤骸４叫蚊芊饧诒撞可喜⑶野芊饨Y(jié)構(gòu)，該密封結(jié)構(gòu)沿唇形密封件的內(nèi)邊緣向上延伸至頂點，該頂點配置成與晶片的晶種層接觸...

一種使用大氣執(zhí)行襯底處理系統(tǒng)的處理室的預(yù)防性維護的系統(tǒng)包含：第一多個閥及歧管、第二多個閥及歧管、以及控制器。所述第一多個閥及歧管位于所述處理室的下游。所述第二多個閥及歧管位于所述處理室的上游。所述控制器被配置成通過以下操作來執(zhí)行所述預(yù)防...

一種裝置包括靜電卡盤，該靜電卡盤包括板電極和與板電極耦合的柱結(jié)構(gòu)。盤狀體與靜電卡盤耦合，其中盤狀體包括位于盤狀體中心的第一孔以及分布穿過盤狀體中的第二孔和第三孔，其中柱結(jié)構(gòu)的一部分延伸穿過第一孔。該裝置進一步包括固定結(jié)構(gòu)，其中固定結(jié)構(gòu)各...

所公開的示例涉及使用抑制劑的以硅氧化物ALD沉積工藝再填充STI區(qū)域中的凹槽。一示例提供處理襯底的方法。方法包含于襯底上沉積抑制劑，其中在襯底的柵極結(jié)構(gòu)上的抑制劑的濃度相對于在襯底的凹陷淺溝槽隔離(STI)區(qū)域上的抑制劑的濃度是較大的。...

提供了用于在制造3D?NAND結(jié)構(gòu)期間在階梯結(jié)構(gòu)上沉積封裝層以防止氧化物?氧化物界面退化并防止字線穿通的方法和裝置。封裝層是在將氧化物沉積在階梯結(jié)構(gòu)上之前沉積在交替的氧化物層和氮化物層的階梯結(jié)構(gòu)上的含碳保形膜。

在非原位原子層沉積處理中形成保護涂層以涂覆一或多個后續(xù)被安裝至反應(yīng)室中的室部件，提供了與傳統(tǒng)的涂覆方法如底涂層的原位沉積相比的許多優(yōu)點。在某些情況下，保護涂層可具有特定的組成，如鋁的氧化物、鋁的氟化物、鋁的氮化物、釔的氧化物和/或釔的氟...

提供了一種用于在蝕刻室中離子輔助蝕刻交替的氧化硅層和氮化硅層的疊層的方法。使包含氟組分、氦和氟代烴或烴的蝕刻氣體流入所述蝕刻室。在所述蝕刻室中使所述氣體形成為原位等離子體。提供約10伏至約100伏的偏壓以將氦離子加速到所述疊層并活化所述...

一種用于襯底處理系統(tǒng)的處理室組件包括第一區(qū)段、第二區(qū)段和第三區(qū)段。所述第一區(qū)段限定第一容積，所述第一容積被配置成圍繞被配置在所述處理室組件內(nèi)的基座。所述第一容積包含上部部分、中間部分和下部部分。所述第二區(qū)段被設(shè)置在所述第一區(qū)段下方，并且...

提供各種噴頭及方法。一種噴頭可以包含：面板，其部分地由前表面和背表面限定；背板，其具有氣體入口、第一圓錐臺表面以及第二圓錐臺表面；充氣部容積，其流體連接至所述氣體入口，且至少部分地由所述氣體入口、所述面板的所述背表面、所述第一圓錐臺表面...

一種用于襯底處理室的噴頭包括配置以接收氣體混合物的頭部、以及耦合至頭部的桿部。第一充氣室被限定在頭部內(nèi)，氣體混合物流至充氣室中，并且經(jīng)由布置在頭部的下表面中的孔而從充氣室流至襯底處理室中。桿部被配置成使氣體混合物通過中心孔洞而供應(yīng)至頭部...

一種用于被配置成執(zhí)行主體沉積的襯底處理室的噴頭包括面板、背板、和面板。面板限定第一充氣室和第二充氣室，第一充氣室對應(yīng)于中心區(qū)域及中間區(qū)域，第二充氣室對應(yīng)于邊緣區(qū)域。該面板包括遍布在該中心區(qū)域和該中間區(qū)域的多個第一孔、以及遍布在該邊緣區(qū)域...

本發(fā)明提供了以冷卻歧管為特征的冷卻系統(tǒng)，所述冷卻歧管具有與待冷卻的電子部件的形狀共形的特征。這種冷卻歧管可通過可撓曲和/或堅硬的流動管道而與例如潔凈干空氣源的冷卻流體源連接。所述冷卻歧管可具有一個或更多個出口端口，該一個或更多個出口端口...

提供用于優(yōu)化制造工藝的方法、系統(tǒng)和介質(zhì)。在一些實現(xiàn)方案中，自動優(yōu)化制造工藝的方法包括：(a)向表示制造工藝的模型提供與第一實驗相關(guān)聯(lián)的第一組工藝參數(shù)值；(b)表征模型所做出的預(yù)測的統(tǒng)計不確定性；(c)使用采集函數(shù)來選擇第二組工藝參數(shù)值，...

一種襯底處理系統(tǒng)包含處理室，該處理室包含用以支撐襯底的基座。該處理室包含噴頭，其被配置成在原子層沉積(ALD)工藝的配料步驟期間供應(yīng)前體以及在其清掃步驟期間供應(yīng)清掃氣體，以處理襯底。配料步驟以及清掃步驟包含在配料步驟之后接著進行隨后清掃...

一種用于襯底處理系統(tǒng)(所述襯底處理系統(tǒng)被配置成在襯底上執(zhí)行主體沉積)的基座組件被配置成被升高和降低。所述基座組件包含：桿部；被放置在所述桿部上的底板部和泵送環(huán)組件。所述底板部被配置成支撐所述襯底。所述泵送環(huán)組件被放置在所述底板部周圍，并...

提供一種用于氦管線的火花抑制裝置，該氦管線在等離子體處理室內(nèi)的靜電卡盤中。該火花抑制裝置包含在氦管線中的電介質(zhì)多腔插塞，其中電介質(zhì)多腔插塞具有多個腔，其中多個腔的數(shù)量介于30到100,000腔之間，且多個腔具有介于1微米和200微米之間...

所公開的示例涉及分層金屬氧化物膜。一個示例提供一種形成圖案化結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括執(zhí)行一個或更多分層膜沉積循環(huán)，以形成包括金屬氧化物的分層膜。該一個或更多分層膜沉積循環(huán)中的分層膜沉積循環(huán)包括金屬氧化物沉積子循環(huán)和硅氧化物沉積循環(huán)。該金屬...

一個示例提供了一種用于等離子體處理工具的等離子體暴露部件。該等離子體暴露部件包括抗蝕刻材料，其具有在暴露于包含氟和/或氧的等離子體處理氣體化學(xué)品時比硅或硅碳化物較低的蝕刻速率。所述抗蝕刻材料包括以下一者或更多者：(a)鈦、鉿、鋯或錫中的...