一種用于襯底處理系統的噴頭的杯狀擋板包括：基部板，其設置在噴頭的充氣部中以接收來自噴頭的桿部的流體，該基部板包括用于接收支架元件的孔，該支架元件用于將基部板耦合至噴頭的背板或面板中的至少一者；以及周邊唇部，其位于基部板上且鄰近基部板的外...

一種三維(3D)動態隨機存取存儲器(DRAM)包括襯底以及豎直堆疊在襯底的表面上的多個納米片晶體管。每一納米片晶體管包括柵極、源極以及漏極。多個位線連接到在多個納米片晶體管的一側的納米片晶體管的漏極中的對應漏極。多個電容器豎直堆疊在襯底...

一種用于校正的方法包括：測定處理模塊的基座在用于處理的溫度條件下因溫度導致的偏移的方法。該方法包括：通過機械手將晶片傳送至所述處理模塊的所述基座，并檢測移入偏移值。該方法包括：使所述基座上的所述晶片旋轉一定角度。該方法包括：通過所述機械...

可分別使用一種或更多種含硅或含硼前體將非晶硅層或非晶硼層沉積在襯底上。從等離子體源或從受控反應室氣氛提供自由基物質，以將非晶硅層轉化成具有組成可調性的經摻雜的硅層。初始層沉積在一個或更多個半導體設備結構上，該半導體設備結構在導電層上方具...

一種操作沉積工具的系統和方法。在一方面，該方法包含在處理室中處理襯底，該處理室包含陶瓷噴頭和涂層。該涂層包含于該處理室中沉積的材料。該陶瓷噴頭于該襯底的處理期間加熱至處理溫度。該方法進一步包含執行清潔處理以通過將反應性清潔物質引入該處理...

一種用于在襯底處理系統中支撐襯底的襯底支撐件包括基板和布置在所述基板上方的陶瓷層。所述陶瓷層的外周邊被邊緣環包圍。所述陶瓷層的外半徑大于所述邊緣環的內半徑，使得所述陶瓷層的外邊緣在所述邊緣環下方延伸。

一種用于處理室的氣體輸送系統包含：第一流路，其耦合到還原氣體源，并被配置為從還原氣體源向處理室供應還原氣體；第二流路，其耦合到前體氣體源，并被配置為從前體氣體源向處理室供應前體氣體；第三流路，其耦合到第一氮氣體源，并被配置為在將還原氣體...

所公開的示例涉及使用化學氣相沉積(CVD)的硅氮化物膜的低損壞沉積。一示例提出了用于通過化學氣相沉積以在處理室中的襯底上形成硅氮化物膜的方法(300)。該方法包括：將含氮前體引入(302)在處理工具的遠程等離子體室中所形成的遠程等離子體...

光致抗蝕劑的顯影對于例如用于在高分辨率圖案化的背景下形成圖案化掩模會是有用的。顯影可使用例如鹵化氫之類的含鹵化物化學品而完成。使用干式或濕式沉積技術可在半導體襯底上沉積含金屬抗蝕劑膜。該光致抗蝕劑膜可以是EUV敏感的含有機金屬氧化物或含...

一種鉬硅化物層在硅或硅鍺襯底中的凹陷特征中的底表面上形成。該底表面可為硅或硅鍺。第一鉬層可沉積在該鉬硅化物層上或上方，以填充該凹陷特征。在一些示例中，第二鉬層可在該鉬硅化物層上形成。在一些示例中，該第二鉬層可暴露于氮自由基或含氮自由基，...

本文所公開的示例涉及使用PECVD而在襯底上可控制地形成碳膜。一個示例提供了一種方法，其包括將襯底設置在PECVD處理室內，將氣體混合物供應到PECVD處理室中，該氣體混合物包括鈍化劑或蝕刻劑中的一者或更多者和碳膜前體，以及控制處理室條...

一種利用電介質材料填充間隙的方法包括在沉積期間使用抑制等離子體。抑制等離子體使已沉積膜的成核勢壘提高。鈍化等離子體可以去除吸附在已沉積電介質材料的表面上或主體中的抑制劑物質。

一種襯底處理系統包含處理室、產生并供應等離子體至處理室的等離子體源以及設置在處理室及等離子體源之間的噴頭以供應氣體至處理室及等離子體源，并供應等離子體至處理室。噴頭包含主體、第一組孔以及第二組孔。該主體具有第一表面、第二表面和側表面以限...

用于運送晶片狀物件的設備，其包括：支撐件，其具有支撐表面；在支撐件中的一個或更多個氣體通道，其在支撐表面具有一個或更多個出口；以及在支撐表面上的一個或更多個凹槽，凹槽用于接收用于支撐晶片狀物件的末端執行器的至少一部分。

一示例提供一種沉積工具。該沉積工具包含處理室和真空系統。該真空系統包含真空管線，其配置成運載來自該處理室的排氣流。該真空系統還包含閥，其定位在該真空管線內。該真空系統還包含清掃氣體入口，其沿著該真空管線而設置。

一種襯底處理室包括基座和擋板。基座布置在襯底處理室中。基座包括底座部和桿部。底座部的直徑大于桿部。擋板圍繞基座布置，以引導供應至襯底處理室的氣體流向基座周圍，從基座的底座部的外圍流向基座的桿部，并流向襯底處理室的一或多個排放口。

本公開涉及可壓縮金屬密封件，其橫截面形狀包括圓形外部輪廓和非圓形內部輪廓。對于相同的壓縮量，這種密封件與環形橫截面形狀相比可能需要較低的壓縮力，并且在同等量的壓縮力下，這種密封件還可以表現出比環形橫截面形狀更長的密封路徑長度。

一種用于在襯底上形成具有小于10原子％的氫的鈍化膜的方法，其包括在襯底處理系統的處理站內提供該襯底。通過執行以下步驟而在該襯底上形成具有小于10原子％的氫的所得鈍化膜：在該襯底上沉積鈍化膜子層，其中該鈍化膜子層位于半導體設備層上或直接位...

提供了一種在處理室內處理襯底用的襯底處理系統，其包含源終端、襯底支撐件、以及調諧電路。該襯底支撐件支撐該襯底且具有第一電極與第二電極，該第一電極與該第二電極通過該源終端從電源接收功率。調諧電路被連接至該第一電極或該第二電極。該調諧電路被...

提供一種從處理工具的處理室清除沉積殘留物的方法。該方法包含將通過遠程等離子體所產生的反應性清潔物質引入該處理室中。當將由該遠程等離子體所產生的該反應性清潔物質引入該處理室中時，原位等離子體于該處理室中的處理站處形成。