本公開涉及RF半導體裝置和其制造方法。本公開涉及一種射頻(RF)裝置，該RF裝置包含模制裝置管芯和位于模制裝置管芯之下的多層重新分布結構。模制裝置管芯包含裝置區域、導熱薄膜和第一模制化合物，裝置區域具有后段制程(BEOL)部分和位于BE...

本公開涉及用戶接口設備。公開了一種用戶接口設備，其具有殼體、外表面上的細長墊、靠近所述墊的近端并固定到內表面的第一應變傳感器，以及靠近所述墊的遠端并固定到所述內表面的第二應變傳感器。所述第一應變傳感器生成第一電信號，所述第一電信號在力直...

公開了功率放大器電路中的自適應偏置。所述功率放大器電路被配置成基于調制電壓放大射頻（RF）信號。通常，基于預先建立的查找表（LUT）生成所述調制電壓，所述預先建立的查找表將所述調制電壓的振幅和相位與所述RF信號的時變功率包絡相關。在本文...

本發明公開了輕負載條件下的電壓調節器負載電流確定。電壓調節器被配置成生成輸出電流以將輸出電容器充電到輸出電壓。具體地說，所述電壓調節器根據具有多個重復占空比間隔的占空比信號生成所述輸出電流。在所述輕負載條件下，在所述占空比間隔中的每一個...

本公開涉及在無位置傳感器的情況下實現無刷DC電動機的零和超低速度操作的控制方法。本發明公開一種用于使用基于電感的轉子位置檢測控制無刷直流電動機或永磁同步電動機的系統和方法。將電壓脈沖施加至電動機繞組，并測量所得電壓。根據所述測得電壓確定...

提供了電源管理集成電路(PMIC)中的射頻(RF)頻帶切換。在本文中，所述PMIC被配置成調適調制電壓以放大RF信號以供在不同RF頻帶中傳輸。在本文所公開的實施例中，所述PMIC中的頻帶切換電路被配置成接收從當前RF頻帶切換到不同RF頻...

如本文中所描述的系統、方法和裝置提供一種用于在測距輪次期間檢測和消除攻擊信號的方法，所述方法包括：在第二裝置處從第一裝置接收第一消息；從所述第二裝置向所述第一裝置傳輸第二消息；在所述第二裝置處從所述第一裝置接收第三消息；從所述第二裝置向...

公開了一種濾波器電路系統（16、18、26），所述濾波器電路系統具有被配置成通過期望頻帶的通帶濾波器以及耦合到所述通帶濾波器的濾波器。所述濾波器具有至少一個聲波諧振器（RES1……RES9），所述至少一個聲波諧振器被配置成衰減與所述期望...

本公開中描述一種單線總線電路中的掃描測試。所述單線總線電路具有用于連接到單線總線的一個或多個外部引腳。鑒于實行所述掃描測試需要多個物理引腳，所述單線總線電路必須提供所述掃描測試所需的額外引腳。在本文公開的實施例中，所述單線總線電路包括被...

公開了用于功率放大器的熱衰退補償的系統和方法。在一個方面，添加電流鏡，該電流鏡鏡像該功率放大器中使用的晶體管中的電流。這些鏡像元件嵌入該功率放大器中使用的這些晶體管所占據的空間內。基于該定位，在該功率放大器中使用的這些晶體管中發生的溫度...

公開了用于濾波器與放大器之間的阻抗移位的系統和方法。在一個方面，原本可以放置在濾波器與低噪聲放大器(LNA)之間的有源電感器可以用無源阻抗增強電路替換。所述阻抗增強電路可以是例如無源電壓增益電路，并且作為另一實例，可以用耦合諧振器濾波器...

提供了一種表面聲波（SAW）諧振器裝置。所述SAW諧振器裝置包括第一電極，所述第一電極定位于壓電膜的上表面上；第二電極，所述第二電極定位于所述壓電膜的所述上表面上；以及第一壓電溝槽（PZT），所述第一PZT定位于所述第一電極與所述第二電...

提供一種跨段功率管理系統。在實施例中，可以在無線通信裝置中提供所述跨段功率管理系統以支持組織成多個放大器段的多個功率放大器，所述多個放大器段例如設置在所述無線通信裝置的頂部和底部上的一對放大器段。此外，所述跨段功率管理系統包括多個電壓段...

提供了電源管理集成電路(PMIC)中的電壓切換。在本文中，所述PMIC需要以非常短的切換間隔(例如，<2微秒)將電壓從當前時間間隔中的當前電平改變到即將到來的時間間隔中的未來電平。如此，所述PMIC被配置成至少基于所述電壓的所述當...

本公開涉及使用基于應變的傳感器的旋轉和按壓檢測。公開了一種用戶接口設備，其具有：外殼；外表面，該外表面具有圓柱體以及第一凸塊和第二凸塊；以及內表面，該內表面具有固定到其的對準的第一應變傳感器和第二應變傳感器。當相應的凸塊被旋鈕的邊緣突起...

一種體聲波BAW裝置包括換能器裸片(103、205)、熱耗散層(206)和模制層(210)。所述換能器裸片包括BAW換能器(112、222)且安裝在所述換能器裸片的第一表面上的電路(118)上。所述熱耗散層(206)在所述換能器裸片的第...

本公開涉及釕接觸件的抗粘連增強。一種制造MEMS裝置的方法。所述MEMS裝置具有空腔，橫梁將在所述空腔中移動以改變所述裝置的電容。在已發生大部分裝置堆積之后，去除犧牲材料以在所述MEMS裝置空腔內釋放所述橫梁。此后，暴露的釕接觸件暴露于...

提供了一種體聲波(BAW)諧振器結構。所述BAW諧振器結構包括換能器，所述換能器包括第一電極；第二電極；壓電層，所述壓電層位于所述第一電極與所述第二電極之間；介電層，所述介電層在所述壓電層的表面上與所述壓電層接觸；以及導電層，所述導電層...

一種聲波裝置包含壓電層和叉指式電極結構。所述叉指式電極結構包含在寬度方向上延伸的多個第一電極指和第二電極指。所述多個第一電極指和所述多個第二電極指沿著長度方向彼此交錯，所述長度方向不同于所述寬度方向。所述多個第一電極指或所述多個第二電極...

一種微機電系統（MEMS）諧振器裝置，包括至少一種功能化材料，所述功能化材料布置在頂側電極的至少中心部分上，但是少于整個頂側電極。對于在中心點處表現出最大靈敏度并且沿其外圍具有降低的靈敏度的有源區域，在諧振器有源區域的至少一個外圍部分上...