本發(fā)明公開了一種固態(tài)硬盤的自動(dòng)化測試方法、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：中央控制主機(jī)初始化測試環(huán)境，控制測試設(shè)備對固態(tài)硬盤執(zhí)行自動(dòng)化測試操作，包括工作模式切換和外設(shè)模擬操作，并在測試過程中同步采集固態(tài)硬盤的功耗數(shù)據(jù)、內(nèi)部狀態(tài)數(shù)據(jù)及外部環(huán)境...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種固態(tài)硬盤鎖溫功能的綜合性能與可靠性測試系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：所述硬件部分包括恒溫恒濕箱與設(shè)置在恒溫恒濕箱內(nèi)的待測固態(tài)硬盤、主機(jī)電腦、功率計(jì)以及溫濕度記錄儀；所述軟件部分包括自動(dòng)化測試主控程序、負(fù)載生成工...

本發(fā)明公開了一種固態(tài)硬盤讀干擾測試方法，包括以下步驟：S1獲取固態(tài)硬盤的配置信息，根據(jù)所述配置信息設(shè)置測試參數(shù)；S2向固態(tài)硬盤的全部可用空間寫入測試數(shù)據(jù)；S3在所述固態(tài)硬盤中刪除預(yù)設(shè)比例的測試數(shù)據(jù)；S4讀干擾測試循環(huán)，包括：S41對S3...

本發(fā)明公開了一種閃存顆粒篩選分級(jí)方法，包括S1將多個(gè)閃存顆粒集成在同一印刷電路板上，設(shè)置包括壞塊閾值、IO速率閾值和新增壞塊標(biāo)記的測試參數(shù)；S2執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入操作，采用并行寫入方式向每個(gè)閃存顆粒的多個(gè)實(shí)體塊中寫入數(shù)據(jù)；S3執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取操作...

本申請公開一種帶電固態(tài)硬盤的測試方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，所述測試方法包括：將處于帶電狀態(tài)的固態(tài)硬盤置于高低溫濕熱試驗(yàn)箱；基于第一溫度和第一濕度調(diào)節(jié)試驗(yàn)箱達(dá)到測試環(huán)境，并配置試驗(yàn)箱達(dá)到溫度平衡和濕度平衡；將固態(tài)硬盤放置第一預(yù)設(shè)時(shí)長，并...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于邏輯分析儀抓取LPDDR5數(shù)字信號(hào)方法，該方法包括：在測試板上將LPDDR5的A/B通道的CA信號(hào)、CS信號(hào)與待測儀器進(jìn)行植球焊接，并根據(jù)實(shí)際連接情況選擇對應(yīng)plot，其中，待測儀器共有8個(gè)pl...

本申請公開了一種DRAM顆粒的穩(wěn)定性測試方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。該方法包括：將測試系統(tǒng)重啟預(yù)設(shè)次數(shù)，在每次測試系統(tǒng)啟動(dòng)過程的通用引導(dǎo)加載程序階段執(zhí)行預(yù)設(shè)測試策略，預(yù)設(shè)測試策略包括：啟用CPU緩存，并配置CPU以去突發(fā)傳輸模式訪問DR...

本申請公開了一種DDR內(nèi)存封裝基板的高速信號(hào)布線方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。所述方法包括：將控制地址組的所有信號(hào)從頂層對應(yīng)的接觸焊盤扇出，經(jīng)設(shè)于距扇出位置最近的過孔布線連接至控制地址組在底層對應(yīng)的焊球；將第一數(shù)據(jù)信號(hào)組的所有信號(hào)從頂層對應(yīng)的...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種內(nèi)存顆粒的刷新周期自適應(yīng)方法，該方法包括：當(dāng)發(fā)現(xiàn)內(nèi)存顆粒出現(xiàn)損壞時(shí)，調(diào)試內(nèi)存顆粒的刷新周期時(shí)間；以預(yù)設(shè)第一時(shí)間作為初始刷新周期時(shí)間，使內(nèi)存顆粒以初始刷新周期時(shí)間進(jìn)行數(shù)據(jù)讀??；若讀取到的數(shù)據(jù)為正確數(shù)據(jù)...

本申請公開了一種DDR參考電壓參數(shù)調(diào)整方法、系統(tǒng)、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括獲取DDR內(nèi)存讀方向的數(shù)字化眼圖以及對應(yīng)的眼高幅度分布；從數(shù)字化眼圖的采樣點(diǎn)中排除因寄存器范圍限制而無效的采樣點(diǎn)，得到有效采樣點(diǎn)集合；根據(jù)有效采樣點(diǎn)集合的眼高幅...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種提高邏輯分析儀對存儲(chǔ)芯片的測試效率系統(tǒng)及其測試效率方法，該系統(tǒng)包括：SOC芯片一面與測試電路板連接、另一面與轉(zhuǎn)接板的下表面連接；其中，轉(zhuǎn)接板的下表面的第一連接區(qū)域用于連接SOC芯片，轉(zhuǎn)接板的上表面的...

本發(fā)明提供了一種內(nèi)存顆粒容量識(shí)別方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。本發(fā)明提供的內(nèi)存顆粒容量識(shí)別方法，包括：獲取系統(tǒng)單芯片中的EMI寄存器值；對所述EMI寄存器值進(jìn)行解析，得到第一位域值、第二位域值、第三位域值、第四位域值；若所述第一邏輯存...

本發(fā)明涉及電流分析技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種通過電流分析定位瞬間功耗的方法，該方法包括：通過數(shù)據(jù)采集儀采集DUT端電壓值，經(jīng)過數(shù)據(jù)采集儀內(nèi)置的AD轉(zhuǎn)換將電壓值轉(zhuǎn)換為電流數(shù)據(jù)，再通過USB數(shù)據(jù)線將電流數(shù)據(jù)傳送到PC端；基于測量實(shí)時(shí)電流方法將采集...

本發(fā)明公開了一種基于動(dòng)態(tài)自適應(yīng)的引線鍵合方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括：基于第一鍵合點(diǎn)的位置信息、第二鍵合點(diǎn)的位置信息和引線的參數(shù)信息，通過多目標(biāo)優(yōu)化算法對引線鍵合進(jìn)行路徑規(guī)劃，生成預(yù)設(shè)線弧形狀的初始鍵合路徑；將引線鍵合于芯片...

本發(fā)明公開了一種用于芯片測試的轉(zhuǎn)接裝置及芯片測試系統(tǒng)，涉及半導(dǎo)體測試技術(shù)領(lǐng)域。該轉(zhuǎn)接裝置包括轉(zhuǎn)接板、第一固定件、第二固定件和鎖緊機(jī)構(gòu)。轉(zhuǎn)接板的第一、第二轉(zhuǎn)接面分別設(shè)有與第一、第二芯片引腳排布相對應(yīng)的引腳結(jié)構(gòu)，并通過內(nèi)部線路按映射規(guī)則連接...

本發(fā)明涉及智能設(shè)備的網(wǎng)絡(luò)調(diào)試技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種標(biāo)準(zhǔn)化的千兆以太網(wǎng)異常調(diào)試方法、裝置及設(shè)備，該方法包括：調(diào)試基準(zhǔn)與工具，設(shè)置基礎(chǔ)信息以及對應(yīng)的關(guān)鍵參數(shù)；核對基礎(chǔ)信息與關(guān)鍵參數(shù)無誤后，檢查硬件設(shè)備異常情況；在硬件設(shè)備檢查通過后，測試信號(hào)時(shí)...

本發(fā)明提供了一種內(nèi)存芯片質(zhì)量測試方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。本發(fā)明提供的方法，包括：獲取多個(gè)內(nèi)存芯片的引腳的眼圖，根據(jù)眼圖獲取眼圖指標(biāo)數(shù)據(jù)；對多個(gè)內(nèi)存芯片的引腳對應(yīng)的同一種眼圖指標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，以獲取引腳對應(yīng)的同一種眼圖指標(biāo)數(shù)據(jù)的分...

本發(fā)明提供了一種內(nèi)存顆粒燒錄方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。本發(fā)明提供的方法，包括：判斷第一邏輯存儲(chǔ)單元和第二邏輯存儲(chǔ)單元是否接收到對應(yīng)的片選信號(hào)；若第一邏輯存儲(chǔ)單元和第二邏輯存儲(chǔ)單元均未接收到對應(yīng)的片選信號(hào)，則判斷內(nèi)存顆粒的物理位寬；...

本申請涉及內(nèi)存管理領(lǐng)域，提供一種DDR內(nèi)存頻率切換測試方法及裝置。該方法包括：獲取DDR內(nèi)存的多個(gè)預(yù)設(shè)頻率檔位；構(gòu)建至少兩個(gè)不同切換模式的多階段測試流程；對于每一測試階段在執(zhí)行頻率切換動(dòng)作前生成目標(biāo)數(shù)據(jù)，并在執(zhí)行頻率切換動(dòng)作的過程中從D...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種內(nèi)存模塊的IO接口信號(hào)質(zhì)量測試方法，該方法包括：基于眼圖分析方法，驗(yàn)證內(nèi)存模塊中I/O接口的信號(hào)完整性；當(dāng)驗(yàn)證信號(hào)完整后，定量化對比輸入眼圖與輸出眼圖的形態(tài)特征，并判斷信號(hào)在傳輸過程中是否發(fā)生形態(tài)特...