本申請實施例提供了一種內存存儲器的讀寫測試方法、設備及存儲介質，屬于存儲器技術領域；方法包括獲取待測目標內存存儲器的數據塊的數據塊數量以及各所述數據塊的行數；根據所述數據塊數量、所述行數以及讀寫類型，確定待創建的測試線程的線程數量；創建...

本發明公開了一種LPDDR芯片的WCK?ON值確定方法、系統、裝置及存儲介質，方法包括：獲取LPDDR芯片的第一MR值；獲取LPDDR芯片的第二MR值；將第一MR值和第二MR值分別與預設MR值進行比較得到第一比較結果；在第一比較結果表征...

本發明公開了一種芯片測試治具，涉及芯片測試技術領域，能夠實現治具的下壓行程調節，提升治具的適用范圍，降低生產成本。一種芯片測試治具的芯片測試過程：將芯片放入連接框架中，隨后將芯片壓緊座與連接框架扣緊，隨后使用下壓驅動組件驅動下壓塊下壓，...

本申請公開了一種對單晶粒的Pattern測試方法及裝置、設備、介質，涉及晶圓測試技術領域。方法包括：當待測晶圓中單個待測的第一晶粒的第一待測容量大于預設容量閾值，獲取當前的第一傳參文件；第一傳參文件包括：第一算法選擇信息和預設差值；根據...

本發明公開了一種LPDDR芯片的動態電壓確定方法、系統、裝置及存儲介質，方法包括：獲取LPDDR芯片的制程參數；根據所述制程參數確定參數類型，所述參數類型表征所述制程參數的類型；根據所述參數類型和預設數據表確定LPDDR芯片的DVFSC...

本發明公開了一種LPDDR芯片的EMI值測試方法、系統、裝置及存儲介質，方法包括：獲取LPDDR芯片的第一存儲容量；獲取LPDDR芯片的第二存儲容量；將第一存儲容量和第二存儲容量分別與預設存儲容量進行比較得到第一比較結果；根據第一比較結...

本申請公開了一種存儲芯片的時序參數確定方法及控制器、設備、介質，涉及芯片測試技術領域。方法包括基于由初始發送延時與初始步進值確定的當前發送時延進行行列位置確定處理確定存儲位置；根據基于存儲位置和測試碼型進行讀寫校驗得到的校驗結果，更新得...

本發明公開了一種基于示波器的讀寫分離方法、存儲介質，涉及存儲芯片技術領域。該方法包括：將示波器的探頭連接存儲芯片的信號線，并設置示波器的觸發方式；通過示波器獲取存儲芯片的信號波形圖；根據觸發方式，設定屏蔽區域，根據屏蔽區域對信號波形圖進...