本發(fā)明公開(kāi)了一種芯片測(cè)試設(shè)備，涉及芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，包括機(jī)架、上料機(jī)械手、下料機(jī)械手和多個(gè)測(cè)試裝置。鎖緊機(jī)構(gòu)包括基座、第一彈性件、限位組件和兩個(gè)壓緊臂，上料機(jī)械手的輸出端能夠驅(qū)使測(cè)試座下降并將芯片搬運(yùn)至測(cè)試座上，以使兩個(gè)壓緊臂的壓緊端同...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NMCU控制器，包括：內(nèi)核、只讀存儲(chǔ)器、讀寫(xiě)存儲(chǔ)器、寄存器、閃存控制器和閃存；只讀存儲(chǔ)器和讀寫(xiě)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)類型不同且映射地址不同；內(nèi)核通過(guò)多條總線與只讀存儲(chǔ)器、讀寫(xiě)存儲(chǔ)器以及寄存器分別連接，多條總線分離且并行；閃存控制...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種老化測(cè)試系統(tǒng)及其批量老化測(cè)試方法，涉及芯片老化測(cè)試領(lǐng)域。系統(tǒng)包括至少兩個(gè)測(cè)試盒，每個(gè)測(cè)試盒的頂部外表面上開(kāi)設(shè)有多個(gè)凹槽、且涂覆有隔熱層，凹槽中開(kāi)設(shè)有兩個(gè)通孔；測(cè)試盒中設(shè)置有加熱模塊；多個(gè)老化測(cè)試板，每個(gè)老化測(cè)試板包括：設(shè)...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種LPDDR產(chǎn)品的球封裝結(jié)構(gòu)確定方法及LPDDR產(chǎn)品，屬于存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域；方法包括根據(jù)兼容存儲(chǔ)器的第一封裝基板的布局信息，在目標(biāo)存儲(chǔ)器的第二封裝基板中確定四個(gè)間隔且陣列分布的封裝區(qū)域；獲取兼容存儲(chǔ)器中配置的第一電壓信...

本發(fā)明涉及芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，并公開(kāi)了具有一種芯片測(cè)試系統(tǒng)及測(cè)試方法，能夠準(zhǔn)確調(diào)節(jié)芯片測(cè)試的下壓形成，避免壓壞芯片。一種芯片測(cè)試系統(tǒng)包括機(jī)架、芯片存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)、測(cè)試機(jī)構(gòu)以及上料機(jī)構(gòu)。芯片存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)設(shè)置在機(jī)架上。上料機(jī)構(gòu)包括平移機(jī)構(gòu)、升降機(jī)構(gòu)、若...

本發(fā)明公開(kāi)了一種芯片包裝機(jī)構(gòu)，并公開(kāi)了具有芯片包裝機(jī)構(gòu)的芯片包裝機(jī)，芯片包裝機(jī)構(gòu)包括機(jī)架、支撐座和移動(dòng)模組。支撐座設(shè)置于機(jī)架，支撐座上設(shè)置有支撐部和避讓口，支撐座設(shè)置于機(jī)架，支撐座上設(shè)置有支撐部，支撐部開(kāi)設(shè)有避讓口，支撐座內(nèi)設(shè)置有發(fā)熱模...

本發(fā)明公開(kāi)了一種LPDDR5芯片測(cè)試方法及轉(zhuǎn)接板，涉及芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：根據(jù)LPDDR5芯片的布局，設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)接板；對(duì)轉(zhuǎn)接板的底部四周進(jìn)行銑槽，使得轉(zhuǎn)接板分為上層部和下層部，形成四個(gè)延伸板；在每個(gè)延伸板的表面設(shè)置測(cè)試焊盤(pán)；將線路...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種測(cè)試板的管理方法、裝置、電子設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及芯片生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。先對(duì)唯一識(shí)別碼進(jìn)行加密，得到加密識(shí)別碼，再將加密識(shí)別碼寫(xiě)入到配置文件中，響應(yīng)于用戶登錄操作指令，權(quán)限信息為普通權(quán)限的普通用戶無(wú)法看到解密功能組件，使得...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種芯片測(cè)試方法、裝置、電子設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及電子芯片技術(shù)領(lǐng)域。方法先使待測(cè)芯片在初始頻率下運(yùn)行測(cè)試程序，從而獲取第一運(yùn)行結(jié)果以及第一運(yùn)行時(shí)長(zhǎng)，基于第一運(yùn)行結(jié)果確定待測(cè)芯片的第一等級(jí)；基于第一等級(jí)確定第一預(yù)設(shè)時(shí)間范圍；...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種基于供電切換的芯片批量測(cè)試方法及其系統(tǒng)、設(shè)備、介質(zhì)，涉及芯片測(cè)試領(lǐng)域。方法包括：根據(jù)獲取的電源控制指令控制所有電源開(kāi)關(guān)閉合，控制供電模塊輸出第一電源電壓至待測(cè)芯片；根據(jù)第一測(cè)試列表對(duì)應(yīng)的第一測(cè)試供電信號(hào)，控制所有測(cè)試開(kāi)關(guān)...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種內(nèi)存器的測(cè)試方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：獲取待測(cè)內(nèi)存器中每個(gè)存儲(chǔ)單元的地址信息；按照地址信息的第一順序，將預(yù)設(shè)的第一測(cè)試值依次寫(xiě)入至存儲(chǔ)單元內(nèi)；待所有存儲(chǔ)單元完成第一測(cè)試值的寫(xiě)入操作后，等待預(yù)設(shè)的第一時(shí)間...

本發(fā)明公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器測(cè)試方法、系統(tǒng)、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)，方法包括：對(duì)待測(cè)存儲(chǔ)器進(jìn)行初始化后得到初始存儲(chǔ)器；根據(jù)預(yù)設(shè)寫(xiě)入次數(shù)將測(cè)試數(shù)據(jù)重復(fù)寫(xiě)入所述初始存儲(chǔ)器第n行和第m列的所述存儲(chǔ)單元中，并在每次寫(xiě)入測(cè)試數(shù)據(jù)時(shí)對(duì)第n行的其他存儲(chǔ)單元進(jìn)行數(shù)據(jù)...

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于S905X4平臺(tái)的芯片測(cè)試方法、電子設(shè)備、介質(zhì)，涉及芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取S905X4平臺(tái)；在每個(gè)安裝區(qū)域的表面放置限位裝置；將兩個(gè)DDR4芯片分別放置在對(duì)應(yīng)的限位孔內(nèi)，使DDR4芯片與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電膠接觸；...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種內(nèi)存芯片耦合故障測(cè)試的控制方法、裝置及電子設(shè)備，包括：獲取待測(cè)芯片中的分布結(jié)構(gòu)；將存儲(chǔ)單元分為若干個(gè)待測(cè)區(qū)域，并確定待測(cè)區(qū)域間的第一測(cè)試順序以及每個(gè)存儲(chǔ)單元的第二測(cè)試順序；獲取第一測(cè)試序列和第二測(cè)試序列；將第一測(cè)試序列寫(xiě)...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種隨機(jī)存儲(chǔ)器的功能測(cè)試方法、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，屬于存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域；方法包括在預(yù)設(shè)的測(cè)試視圖中配置測(cè)試功能指令、與所述測(cè)試功能指令對(duì)應(yīng)的輸入?yún)?shù)項(xiàng)和輸出驗(yàn)證項(xiàng)，以及與所述輸入?yún)?shù)項(xiàng)對(duì)應(yīng)的參數(shù)組合模式；根據(jù)所述輸入?yún)?shù)項(xiàng)和...

本發(fā)明公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器的測(cè)試參數(shù)確定方法、系統(tǒng)、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)，方法包括：獲取存儲(chǔ)器的性能需求信息；根據(jù)性能需求信息和預(yù)設(shè)性能參數(shù)表確定第一參數(shù)類型；基于第一參數(shù)類型對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行第一性能測(cè)試得到第一測(cè)試結(jié)果；在第一測(cè)試結(jié)果表征存儲(chǔ)器的性...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種內(nèi)存器的讀寫(xiě)測(cè)試方法、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，包括：與待測(cè)內(nèi)存器建立通訊連接；獲取若干個(gè)測(cè)試子序列；按照預(yù)設(shè)的地址間隔，為每個(gè)測(cè)試子序列設(shè)定對(duì)應(yīng)的寫(xiě)入地址；按照預(yù)設(shè)的寫(xiě)入順序，將對(duì)應(yīng)的測(cè)試子序列寫(xiě)入至內(nèi)存緩沖區(qū)內(nèi)，根據(jù)測(cè)試序...

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種用于芯片測(cè)試的測(cè)試碼型確定方法及控制器、設(shè)備、介質(zhì)，涉及芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。方法包括：依次基于不同類型的測(cè)試函數(shù)對(duì)待測(cè)芯片進(jìn)行讀寫(xiě)測(cè)試得到第一測(cè)試結(jié)果；當(dāng)?shù)谝粶y(cè)試結(jié)果為1，判斷第一讀寫(xiě)測(cè)試處理不通過(guò)，檢測(cè)出故障，響應(yīng)于生成...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種內(nèi)存存儲(chǔ)器的一致性測(cè)試方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，屬于存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域；方法包括在目標(biāo)內(nèi)存存儲(chǔ)器初始化后，從目標(biāo)內(nèi)存存儲(chǔ)器的多個(gè)數(shù)據(jù)端口中確定出目標(biāo)測(cè)試端口并建立與目標(biāo)測(cè)試端口一一對(duì)應(yīng)的測(cè)試通道；數(shù)據(jù)端口及與數(shù)據(jù)端口...

本發(fā)明公開(kāi)了一種LPCAMM內(nèi)存模組的封裝方法和結(jié)構(gòu)，涉及內(nèi)存模組技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：對(duì)原始晶圓進(jìn)行切割，獲得多個(gè)裸芯片；獲取載體基板，將多個(gè)裸芯片倒置在載體基板上，構(gòu)成重組晶圓；在重組晶圓的表面，形成介質(zhì)層；在介質(zhì)層的表面，貼附透明...