本發(fā)明公開了一種用單一處理室無電沉積多層膜的方法和裝置，它使用（多種）處理溶液進行清潔，然后將具有不連續(xù)或變化成分的金屬膜沉積到導體表面上。該處理包括原位清潔步驟，通過在清潔和無電沉積處理步驟之間減少或防止導體表面暴露于氧氣而減少導體表...

本發(fā)明提供了用于沉積無定型碳材料的方法。在一個方面中，本發(fā)明提供一種處理襯底的方法，該方法包括：在處理室中放置所述襯底；將處理氣體引入所述處理室，其中，所述處理氣體包括載氣、氫氣和一種或多種烴化合物或其衍生物；通過從雙頻ＲＦ源施加功率產...

根據本發(fā)明的實施例涉及可以單獨或組合使用以減少或消除在半導體工件（８８２）的斜壁上沉積材料的各種技術。在一種方法中，遮蔽環(huán)（８８０）位于襯底（８８２）邊緣的上方，以阻擋氣體流至斜壁區(qū)域。遮蔽環(huán)的邊緣（８８０ａ）的幾何特征將氣流向晶片引導...

本發(fā)明提供了一種用于在處理區(qū)域中的襯底上進行化學氣相沉積的處理室的方法和裝置，所述處理室包括氣體盒和面板，所述氣體盒具有包括氣體入口通道的加熱蓋，所述面板連接到所述加熱蓋并設置成將氣體從被加熱的氣體盒導向襯底處理區(qū)域。另外，還提供了一種...

本發(fā)明公開了一種移除在處理室的內表面上形成的沉積物的反饋回路清潔系統(tǒng)，包括：流動控制器，其設定供應到等離子體產生系統(tǒng)的清潔氣體混合物的流率，其中等離子體產生系統(tǒng)由清潔氣體混合物產生等離子體，所述等離子體包括反應清潔物質；檢測器，其產生具...

本發(fā)明公開了一種用于對沉積室進行干燥的方法，其中，在襯底上沉積有機硅材料之前，用不含碳的材料對室部件和壁進行致密的涂敷。可以在其間沉積含碳層。提供了一種使用低能量等離子體和低壓來從內部室表面除去殘余物的室清潔方法，該方法可以與干燥處理相...

本發(fā)明涉及一種制造金屬化網（３）的方法和設備，具體為箔式電容器的金屬化塑料網，所述方法中，金屬層（１７）以蒸氣相或氣相進行沉積，其中，在沉積所述金屬層以前，進行經等離子體支持的金屬晶種層的蒸氣相或氣相沉積過程，所述金屬晶種層的厚度在至多...

本發(fā)明大體上提供了用于消除等離子體增強化學氣相沉積（ＰＥＣＶＤ）中“第一晶片效應”的裝置和方法。本發(fā)明的一種實施例提供了用于在室空閑了一段時間之后使室做好準備的方法。該方法包括在清潔步驟之后，根據空閑時間長度調整進行干燥步驟和加熱步驟。

本發(fā)明提供了一種在不存在等離子體電弧放電的條件下沉積有機硅電介質層的方法，所述有機硅電介質層對設置在單個處理室中的下方襯底具有高粘附強度。該方法包括：將襯底定位在具有通電電極的處理室中；將界面氣體混合物流入所述處理室，所述界面氣體混合物...

一種紫外（ＵＶ）固化室，能夠對布置在襯底上的介質材料進行固化并對其進行原位清潔。串列處理室設有兩個單獨并相鄰的處理區(qū)域，這些處理區(qū)域由蓋子所覆蓋的主體限定，蓋子分別位于各個處理區(qū)域上方并具有對準的窗口。每個由耦合到蓋子的殼體所覆蓋的處理...

一種用于濺射涂敷設備（１）的磁控管濺射源，包括至少一個陰極（３）以及設置在該陰極上或形成為該陰極的至少一個靶材（４）。靶材為襯底的涂敷和／或處理提供涂敷和／或處理材料。該磁控管濺射源還具有產生涂敷等離子體的裝置及用于產生磁場的至少一個磁...

本發(fā)明涉及用于制造襯底上的ＳｉＮ：Ｈ層的方法，該ＳｉＮ：Ｈ層將光轉換成電壓，其中對包括硅的靶進行濺射，并且至少一個反應氣體引入到靶和襯底之間的空間中，其特征在于：靶以管狀靶的形式實現，并由Ａｌ的含量為２至５０ｗｔ．％的Ｓｉ基合金組成。

本發(fā)明涉及一種用于支持等離子體增強涂敷處理的裝置（８），所述裝置可布置在等離子體和／或待涂敷的襯底和／或為產生等離子體而提供的電極附近，其中設有框架，框架至少部分地圍繞或限制了等離子體區(qū)域或平面的邊或面，襯底或承載襯底的承載元件可以布置...

本發(fā)明涉及一種用于玻璃的銀低Ｅ涂層，該涂層是可回火的并且可以通過濺射工藝涂覆在玻璃上。該涂層的各層是低成本的標準材料。本發(fā)明的一種實施方式組成如下：玻璃基材；玻璃上的厚度約為１５ｎｍ的Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］層；Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］層上...

一種涂覆設備包括處理室和氣體管路系統(tǒng)，其用于將氣體供應到涂覆設備的處理室中。氣體管路系統(tǒng)具有用于將氣體供應到氣體管路系統(tǒng)中的供應開口和用于將氣體排出氣體管路系統(tǒng)的排出開口。管路被形成為使得在供應開口與排出開口之間的管路的流動阻力基本相等...

本發(fā)明描述了一種蒸發(fā)坩堝。所述蒸發(fā)坩堝包括：導電腔管（１２０），其具有形成封閉空間的壁，所述腔管具有管軸線（２）；第一電連接（１６２；１８２）；第二電連接（１６２；１８２），其中所述第一電連接和所述第二電連接適用于提供基本平行于所述管軸...

本發(fā)明描述了一種蒸發(fā)坩鍋。所述蒸發(fā)坩鍋（１００；３００；４００；５００）包括：導電主體（１２０）和蓋（１５０；５００）；所述主體具有用于施加通過所述主體的加熱電流的第一電連接（１６２）和第二電連接（１６４），所述主體包括提供熔融蒸發(fā)區(qū)域...

本發(fā)明涉及用于涂覆設備的灌流室，利用該灌流室能夠實現更短的灌流時間，和更短的時鐘循環(huán)。在其中利用了兩個灌流裝置，襯底對稱設置在兩個灌流裝置之間。灌流裝置將氣體噴射導向到襯底。由此襯底固定在灌流裝置之間。

本發(fā)明涉及一種用于在真空室內移動托架的結構。此托架形成為板形并被支撐為其狹窄側邊緣位于由驅動系統(tǒng)驅動的輥上。優(yōu)選地利用磁性耦合作為間接驅動器，其部分位于真空室內并部分位于真空室外。在沿著豎直方向作用的力的幫助下，磁性耦合的兩個部件可以相...

本發(fā)明公開了處理室、串列式涂覆設備和用于處理襯底的方法。用于等離子體增強化學汽相沉積的處理室包括集成在牢固連接于容器的接觸框架中的電極。在處理室中可移動的載具承載至少一個襯底。借助于被驅動的輥定位器將載具沿著由移動界定的傳送路徑傳送到處...