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        中國電子科技集團公司第二十四研究所專利技術

        中國電子科技集團公司第二十四研究所共有832項專利

        • 本發明涉及集成電路領域,特別涉及一種低溫漂頻率線性可調的振蕩器電路,包括:線性可編程的低溫漂電流生成器與環形振蕩器;線性可編程的低溫漂電流生成器生成低溫漂電流,環形振蕩器根據低溫漂電流產生方波;本申請設計的低溫漂頻率線性可調的振蕩器電路...
        • 本發明涉及車輛控制技術領域,特別涉及一種高度集成的嵌入式電機控制MCU芯片及其控制系統,所述嵌入式電機控制MCU芯片,包括:換相邏輯控制器、FOC引擎、微步控制器、PWM同步管理器、故障仲裁單元;本申請通過獨立供電域、時鐘同步采樣以及換...
        • 本發明公開了一種基于VIBE算法的X射線芯片空洞檢測方法及系統,該方法包括:根據空洞分析算法構建背景模型;采集待測芯片的序列圖像,利用序列圖像的前預設幀數初始化背景模型;根據圖像背景復雜度確定自適應分割閾值,根據自適應分割閾值進行前景檢...
        • 本發明公開了一種可自適應預充電的系統電源及其運行方法,該系統電源包括:預充電電路,和輸入電源連接,其包括預充電使能控制電路、RC延時電路和MOS管,預充電使能控制電路根據MOS管開斷控制信號控制MOS管的導通和斷開,RC延時電路用于延長...
        • 本發明涉及集成電路領域,特別涉及一種降噪濾波和軟啟動復用電路,該電路包括降噪電容控制器和軟啟動復用模塊,其中軟啟動復用模塊在使能正常的情況下,根據基準電壓模塊提供的兩個基準電壓利用電流源為外部電容充電;當充電達到軟啟動復用模塊內部比較器...
        • 本發明公開了一種用于低噪聲器件隔離的溝槽結構及其制造方法,所述制造方法包括以下步驟:提供一襯底并在所述襯底上形成第一淺溝槽和第二淺溝槽;在所述第一淺溝槽和第二淺溝槽中淀積形成第二氧化層;在所述第一淺溝槽的中部刻蝕形成穿過第二氧化層并伸入...
        • 本發明公開了一種用于待校準電流源補償的電流鏡電路,包括補償電流源、電流鏡和電壓單元,補償電流源用于提供補償電流至電流鏡的輸入端;電流鏡用于根據補償電流在其輸出端輸出相應的鏡像電流,通過所述鏡像電流對待校正電流源Iu進行補償;電壓單元用于...
        • 本發明屬于檢測輔助設備技術領域,具體涉及一種超聲掃描儀載物臺。該載物臺包括第一載具、可調支撐組件、第二載具以及水平儀,各部件協同實現穩定承載、精準水平調節與靈活適配功能。可調支撐組件含支撐腿、可調支撐腳及穩定件,既能微調第一載具水平度,...
        • 本發明公開了一種陶瓷封裝器件X射線圖像預處理方法及系統,所述方法包括以下步驟:獲取陶瓷封裝器件的X射線圖像;采用自適應雙閾值分割法對所述X射線圖像進行分割,初步得到陶瓷封裝器件區域的圖像,記為第一圖像;進行連通域標記并通過對各連通域面積...
        • 本發明公開了一種半導體封裝測試優化方法及系統,該方法包括以下步驟:S1:基于傳感器實時獲取當前封裝測試設備的運行參數;S2:對獲取的運行參數進行預處理后分析,確定不同指標的權重值,并根據指標的權重值,計算當前封裝測試設備的狀態偏好值;S...
        • 本發明公開了一種雙極結型晶體管工藝中集成PJFET器件和NJFET器件的方法及結構,方法包括:提供襯底,在襯底上形成雙極結型晶體管、PJFET器件和NJFET器件的埋層結構、隔離結構以及外延層;在外延層中進行穿透摻雜和阱區摻雜;在外延層...
        • 本發明屬于集成電路領域,具體涉及一種運算放大器中的抗工藝波動的簡易過溫保護電路,包括針對具有輸出能力的運算放大器,利用基準電路產生的基準電壓與過溫保護電路輸出電平進行比較,從而獲得控制關斷信號,對電路實施過熱關斷功能,基準電路產生的基準...
        • 本發明提供一種用于DCDC電流限的電流比較電路,該電路包括:6個NMOS開關M1、M2、M9~M12,4個PMOS管M5~M8,1個電壓源PVIN,3個偏置電壓源VDC1~VDC3,2個電阻R1~R2以及兩個比較器AMP1~AMP2;各...
        • 本發明公開了一種基于玻璃基板三維集成的低成本沖擊片組件制備方法,該方法包括以下步驟:提供第一基板,利用玻璃通孔工藝在所述第一基板上形成通孔陣列,并對所述通孔進行金屬化處理,形成導電通孔;在第一基板頂面進行金屬沉積,形成金屬疊層,并對所述...
        • 本發明公開了一種在雙極結型晶體管工藝中集成雙柵JFET器件的方法及結構,所述方法包括:提供襯底,并在襯底上形成雙極結型晶體管和JFET器件的埋層結構、外延層及隔離結構;在外延層中進行穿透摻雜和阱區摻雜;在外延層上方形成集電極結晶區、基極...
        • 本發明公開了一種低阻抗電鍍微凸點的制作方法及微凸點結構,所述方法包括以下步驟:提供正面帶有焊盤的晶圓;在所述晶圓上形成露出焊盤的介質層;在所述介質層上形成種子層結構;在所述種子層結構上對應焊盤正上方的區域形成凸點下金屬結構并在所述下金屬...
        • 本發明公開了一種電子器件可焊性試驗用夾具,用于與可焊性試驗設備可拆卸連接,可焊性試驗設備包括一工作臺面,工作臺面具有一能夠升降移動的焊料槽,電子器件可焊性試驗用夾具包括與工作臺面可拆卸連接的底座、與底座滑動連接并能沿底座往復移動的支架以...
        • 本發明公開了一種用于芯片靜電防護的鉗位電路,包括:第一MOS管,其漏極與IO端口相連,源極與ESD采樣線相連,所述ESD采樣線與電源相連;以及RC觸發式電源鉗位單元,包括RC網絡及電源鉗位模塊,所述RC網絡的中間節點與第一MOS管的柵極...
        • 本發明公開了一種曲率校正帶隙基準裝置,包括:帶隙基準核心單元,用于根據偏置電壓產生基準電流,并通過基準電流產生基準電壓;曲率補償單元,用于基于所述基準電壓產生正溫電流和零溫電流,并根據正溫電流和零溫電流確定補償電流的大小,從所述帶隙基準...
        • 本發明公開了一種寬電源電壓范圍抗輻射預穩壓電路,包括:偏置電路,包括第一電流鏡和發射結基準電流源,第一電流鏡的輸入端與電源VCC電連接,其輸出端接入所述電壓參考源的輸入端,用于輸出穩定的偏置電流;發射結基準電流源用于產生參考電流;電壓參...
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