本發明提供一種在氣相沉積條件下使高度保形的含鉬或鎢膜快速沉積至微電子裝置襯底上的方法。在本發明的實踐中，進行第一成核步驟，同時使用比反應區中通常使用的金屬前體濃度總體上更低的金屬前體濃度。此較低金屬前體濃度的使用可通過調節安瓿(容納所述...

一種半導體襯底攜載容器，其包含延伸穿過底壁的一或多個擴大清洗端口。所述清洗端口允許將清洗流體調節元件插入所述容器的內部空間，其方法是通過從所述容器外部穿過所述清洗端口來安裝所述清洗流體調節元件。所述清洗端口經設定大小及定位以使得所述容器...

提供適用于在半導體裝置制造中形成含硅膜的某些硅前體化合物，且更具體來說提供用于形成此類含硅膜、如包含二氧化硅的膜的組合物和方法。

用于晶片容器的襯墊包含密封主體及保持突起。所述保持突起包含從所述密封主體延伸的保持段、從所述保持段延伸的壓縮釋放段及安置于所述壓縮釋放段的一端處的凸邊。所述壓縮釋放段具有小于所述保持段的橫截面寬度的橫截面寬度。所述凸邊具有包含具有大于所...

本發明涉及在氧化硅、多晶硅和/或金屬硅化物存在下以高蝕刻速率及高選擇性對氮化硅進行選擇性蝕刻的組合物及方法。描述可在不同的溶解二氧化硅負載窗使用以提供并保持高選擇性蝕刻速率及選擇性的添加劑。

一種用于在原子層沉積(ALD)工藝、化學氣相沉積(CVD)工藝或這兩者中使用的固體前體材料的遞送系統的安瓿的托盤。所述托盤經配置為當被壓縮時能夠具有減少的輪廓大小以增強所述托盤可插入到所述安瓿中的簡易性，且所述托盤經配置以擴展大小以與所...

本公開提供一種用于產生含金屬膜的模塊，其包括反應器腔室；用于向所述反應器腔室提供有機金屬前體的入口；和用于提供反應性氣態物種以與所述有機金屬前體反應形成含金屬膜的入口。所述反應性氣態物種包括具有三個至五個價電子的元素以及一個或多個選自氫...

本發明提供經改良的漿料組合物，其適用于玻璃和其它電介質材料的CMP研磨。在一個方面中，本發明的組合物包含水、二氧化硅磨料、陽離子表面活性劑和二氧化鈰磨料。所述組合物實現高移除速率且同時限制在單獨使用二氧化鈰時通常觀察到的劃痕數。

本發明提供可用于清潔微電子裝置結構的組合物

本申請涉及氮化硅的選擇性沉積

本申請涉及非對稱聚合物多孔濾膜及相關方法

本發明提供一種用于將氮化鈦硅

本發明提供一種用于純化碘硅烷

本公開涉及適合于化學機械平坦化

本公開涉及一種光罩容器及相關方法。光罩容器包含罩蓋和底板，其中磁性顆粒捕集器包含于所述罩蓋或所述底板中的至少一者中。所述罩蓋和底板各自包含密封表面，并且所述密封表面中的至少一者包含可受所述磁性顆粒捕集器吸引的磁性材料。可選擇所述密封表面...

本申請案涉及一種包覆模制組合件。所述包覆模制組合件的特征在于芯銷延伸到管狀結構中，使得所述芯銷的主體的至少一部分至少部分延伸出所述管狀結構，其中所述芯銷包括所述主體及連接到所述主體的柔性部分且所述柔性部分延伸出所述管狀結構。分延伸出所述...

一些實施例涉及增材制品及相關醫療裝置。所述增材制品可包括增材制造三維3D主體。所述增材制造3D主體可具有不能通過機械加工構造的整體結構。所述增材制造3D主體可在所述增材制造3D主體的表面上具有涂層。制造3D主體的表面上具有涂層。制造3D...

本實用新型涉及一種包括光罩容器的制品。光罩容器包含罩蓋和底板，其中磁性顆粒捕集器包含于所述罩蓋或所述底板中的至少一者中。所述罩蓋和底板各自包含密封表面，并且所述密封表面中的至少一者包含可受所述磁性顆粒捕集器吸引的磁性材料。可選擇所述密封...

一些實施例涉及增材制造3D制品及相關醫療裝置。所述制品可包括增材制造3D主體。所述增材制造3D主體可包括鎂組分。所述增材制造3D主體可具有不能通過機械加工構造的整體結構。所述制品可在所述增材制造3D主體的表面處及下方具有鈍化層。所述鈍化...

一種例如前開式晶片傳送盒的半導體襯底載運容器經配置使得半導體襯底能夠經由相對于前開口定位的后開口從所述容器的內部空間接取及移除或插入到所述內部空間中，所述前開口也準許通過其來移除及插入