本申請關于靜電耗散性含氟聚合物復合物及由其所形成的物品。例如涉及流體處置系統(tǒng)的各種操作組件的物品，其將復合物并入到其構造中，所述復合物包含含氟聚合物基質且具有分布于所述基質內的全氟化區(qū)。并有所述復合物的導管及各種操作組件本質上具靜電耗散...

本發(fā)明提供PEALD方法以沉積耐蝕刻SiOCN膜。這些膜提供經改良生長速率、經改良階梯覆蓋率和對濕式蝕刻劑和含O2共反應物的沉積后等離子體處理的優(yōu)良耐蝕刻性。在一個實施例中，此PEALD方法依賴于單一前體，即雙(二烷基氨基)四烷基二硅氧...

本申請涉及一種用于安瓿的模塊化托盤。用于固體前體材料的遞送系統(tǒng)的安瓿的所述模塊化托盤用于原子層沉積ALD工藝、化學氣相沉積CVD工藝或這兩者。所述模塊化托盤經配置有單獨組件，所述組件可增強所述模塊化托盤可插入到所述安瓿中的簡易性，且所述...

提供已用稀釋礦物酸處理以改性其表面化學性質及形態(tài)的特定活性碳質材料。本公開的經改性活性碳質材料用于從氣體流移除特定污染物。在一個實施例中，所述污染物是含有硅及氧部分的化合物，例如烷基硅醇及烷基硅氧烷。所述經改性活性碳質材料可并入到過濾器...

優(yōu)化襯底容器中的沖凈流參數包含：使沖凈工作流體流入所述襯底容器的內部中，從所述襯底容器的所述內部排放所述沖凈工作流體，及在預定時段內變動所述沖凈工作流體的沖凈流參數，在所述預定時段期間檢測所述襯底容器的所述內部中的至少一個環(huán)境狀況，基于...

本發(fā)明提供在其它材料(如多晶硅、二氧化硅、氮化硅和鎢)存在下可用于選擇性蝕刻(即移除)金屬氧化物硬掩模(如氧化鋯和氧化鉿)的組合物，所述硬掩模通常用作微電子裝置中的硬掩模。模。

本發(fā)明描述通過增材制造技術制備的三維多層復合結構以及通過增材制造技術制備所述結構的方法，其中多層結構具有至少兩個不同厚度及精確厚度的層。度及精確厚度的層。度及精確厚度的層。

本申請案涉及一種汽化器組合件。特定來說，提供一種包含汽化器容器的汽化器組合件。在一些實施例中，所述汽化器容器界定內部容積。在一些實施例中，所述汽化器容器經配置以在所述內部容積內容納至少一種源試劑。在一些實施例中，所述汽化器組合件包含加熱...

提供一種用于半導體制造中的光刻工藝的相移光罩。所述光罩包含襯底、反射結構、圖案界定層及移相器。所述反射結構安置于所述襯底上。所述圖案界定層包含第一材料且沉積于所述反射結構上。所述圖案界定層包括圖案溝槽。所述移相器包含第二材料且安置于所述...

本發(fā)明提供一種使環(huán)戊二烯單烷基化的方法，其利用環(huán)戊二烯鹵化鎂和烷基或芳基磺酸鹽的金屬鹽作為共反應物與烷基鹵化物烷基化反應物。所述方法提供用于使環(huán)戊二烯單烷基化的容易方法，其中轉化率高達約96％且對單烷基化的選擇性(高于較高程度的烷基化，...

本申請案涉及連接器和包括連接器的流體連接組合件。一種流體連接組合件包含多個管道，其具有第一敞開端和與所述第一敞開端相對的第二敞開端；和多個連接器。所述連接器中的每一個包含至少兩個連接器部分，其中所述至少兩個連接器部分中的每一個從所述連接...

一種物件包含用于容納一或多個襯底或光罩的襯底容器。所述襯底容器具有外殼，其包含一或多個側壁、封閉端、開放端及由所述一或多個側壁及所述封閉端界定的內部空間。所述容器進一步具有經配置以封閉所述外殼的所述開放端的門。所述門包含具有密封耦合部分...

提供用于通過烷氨基硅烷與某些經取代的酰基碘的反應制備例如H2SiI2和HSiI3的非常需要的碘硅烷的方法。在一個實施例中，雙(二乙氨基)硅烷與苯甲酰碘反應以產生二碘硅烷。基)硅烷與苯甲酰碘反應以產生二碘硅烷。

本實用新型描述靜電卡盤，所述靜電卡盤包括：陶瓷層，其包括上表面及下表面；電極，其在所述下表面處；以及電介質層，其在所述陶瓷層與所述電極之間。與所述電極之間。與所述電極之間。

本發(fā)明大體上提供用于介電表面，如PETEOS、SiO2、熱氧化物、氮化硅、硅等的高pH清潔組合物。本發(fā)明的組合物提供優(yōu)越表面潤濕、粒子和有機殘留物的分散，并且防止經分散的殘留物在清潔期間再沉積和再附聚以提供優(yōu)良清潔和低缺陷率。潔和低缺陷...

本發(fā)明提供一種用于清潔微電子裝置襯底的組合物。所述組合物可用于清潔具有暴露的鈷、鉬、銅、鉬、鎢和電介質表面的過程中微電子裝置襯底。也提供一種清潔此類裝置的方法和包含所述組合物的組分中的一或多者的試劑盒。含所述組合物的組分中的一或多者的試...

本申請案涉及一種化學機械平坦化CMP墊調節(jié)器組合件，所述CMP墊調節(jié)器組合件包含包括至少一種聚合物及至少一種添加劑的背板。所述至少一種添加劑以足以導致背板具有磁性性質、顏色性質、結構性質或其任何組合中的至少一者的量存在。所述CMP墊調節(jié)...

描述儲存和分配系統(tǒng)和相關方法，其用于儲存和從容器選擇性分配試劑氣體鍺烷，在所述容器中所述試劑氣體保持與儲存容器的內部的固體吸附介質呈吸附關系，且其中所述方法和分配系統(tǒng)提供所述試劑氣體從所述儲存容器的分配，其中在所分配試劑氣體中含有含量減...

一種晶片容器包含：艙；門；具有頂壁的晶片匣；底板；及偏置構件。所述艙包含側壁、封閉端及開放端。當由所述門關閉時，所述底板位于所述門與所述晶片匣之間且所述偏置構件經壓縮于所述晶片匣與所述艙的所述封閉端之間。一種用于將晶片匣固定于封閉艙的內...

一種晶片容器包含：艙；門；具有頂壁的晶片匣；底板；及偏置構件。所述艙包含側壁、封閉端及開放端。當由所述門關閉時，所述底板位于所述門與所述晶片匣之間且所述偏置構件經壓縮于所述晶片匣與所述艙的所述封閉端之間。一種用于將晶片匣固定于封閉艙的內...