一種靜電卡盤(pán)基座的激光處理方法包含選擇性施加激光束至該靜電卡盤(pán)基座的襯底接觸區(qū)域，從而在該襯底接觸區(qū)域的至少一部分上形成微結(jié)構(gòu)改性層。

提供了用于半導(dǎo)體處理操作，例如原子層沉積操作的蒸氣儲(chǔ)蓄器。這種蒸氣儲(chǔ)蓄器可以包括填充有惰性氣體的周邊充氣部容積，這可以減少或防止外部污染物泄漏到處理氣體中。在一些實(shí)現(xiàn)方案中，儲(chǔ)液器可由耐腐蝕材料構(gòu)成以減少進(jìn)入處理氣體的內(nèi)部污染物。

用鎢填充3?D?NAND結(jié)構(gòu)的字線特征的方法包括用三氟化氮(NF<subgt;3</subgt;)結(jié)合增壓氣體處理保形鎢。NF<subgt;3</subgt;處理優(yōu)先于字線特征的開(kāi)口，而非字線特征的內(nèi)部。該處理可...

本文提供了用金屬填充特征的方法，包括金屬成核的抑制。

一種用于襯底處理系統(tǒng)的襯底支撐件包含基座，該基座包含上表面和下表面。蒸氣室被配置在該基座和基板之間，限定蒸氣室腔并且包含布置于該蒸氣室腔內(nèi)的表面上的多個(gè)毛細(xì)結(jié)構(gòu)。

一種用于襯底處理系統(tǒng)的加熱部件的加熱器控制系統(tǒng)包含N個(gè)加熱器區(qū)域，其中N為大于零的整數(shù)。所述N個(gè)加熱器區(qū)域中的每一個(gè)加熱所述襯底處理系統(tǒng)的部件，并且包含電阻式加熱器以及溫度傳感器，該溫度傳感器用于感測(cè)所述N個(gè)加熱器區(qū)域中的對(duì)應(yīng)的加熱器區(qū)...

配置成在襯底上沉積材料的基座包括基座的桿部和安裝至基座的桿部的基部。基部包括被配置成發(fā)射光以光學(xué)加熱襯底的光學(xué)元件陣列。

提供了半導(dǎo)體處理工具，其包含：上部支撐框架；沿第一軸布置的多個(gè)半導(dǎo)體處理室；線性引導(dǎo)系統(tǒng)，其由上部支撐框架固定地支撐，并沿著基本平行于第一軸的第二軸延伸；以及載架。每一處理室均具有相對(duì)于上部支撐框架而固定地安裝的基部，且具有包含一或多個(gè)...

提供了用于確定溫度的方法和系統(tǒng)。在一些實(shí)施方案中，一種用于確定溫度的方法包括向制造裝置的第一導(dǎo)電元件施加輸入信號(hào)，輸入信號(hào)具有第一幅值和第一相位。方法可包括在制造裝置的第二導(dǎo)電元件測(cè)量輸出信號(hào)，輸出信號(hào)具有第二幅值和第二相位。方法可包括...

描述了噴頭組件，其包含面板及從上游側(cè)延伸通過(guò)該面板至相反的下游側(cè)的多個(gè)孔。該多個(gè)孔中的至少一個(gè)孔包含設(shè)置在面板的上游側(cè)上的入口區(qū)域。該入口區(qū)域包含復(fù)合孔，其具有堆疊于第二側(cè)壁上方的至少第一側(cè)壁。該第一側(cè)壁具有大于該第二側(cè)壁的第二對(duì)角的第...

含硅層沉積在襯底的一個(gè)或更多個(gè)凹入特征中。含硅層的至少一部分可暴露于含氧物質(zhì)以形成硅氧化物。可蝕刻該部分硅氧化物。

本文所描述的是一個(gè)或更多個(gè)電路和方法，其用于至少部分地基于施加到靜電卡盤(pán)的偏壓來(lái)控制該靜電卡盤(pán)中的一個(gè)或更多個(gè)離子空位的產(chǎn)生。在至少一實(shí)現(xiàn)方案中，施加到該靜電卡盤(pán)的該偏壓包括調(diào)節(jié)電壓和隨后的編程電壓。在至少一實(shí)現(xiàn)方案中，該調(diào)節(jié)電壓具有第...

一種提供沉積含金屬膜的方法，其通過(guò)在低于400℃處理溫度下用含碘試劑和含金屬前體原位產(chǎn)生含碘鍵的金屬物質(zhì)且接著進(jìn)行還原。尤其是，該膜可以是含鉬膜。該方法還可包括同時(shí)引入該試劑與前體或任選地用鈍化氣體進(jìn)行預(yù)處理。還提供使用含低價(jià)鉬前體在半...

一個(gè)示例提供了一種處理工具，處理工具包括處理室以及流體連接到處理室的遠(yuǎn)程等離子體產(chǎn)生器(RPG)。處理工具還包括用于混合并輸送氣體到RPG的RPG氣體供應(yīng)系統(tǒng)。RPG氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括用于以第一較低的流速向RPG輸送第一氣體的第一RPG氣...

一種氣體輸送系統(tǒng)包括2通閥，其包括設(shè)置于第一端口和第二端口之間的第一閥。4通閥包括連接至第一端口和第二端口的第一節(jié)點(diǎn)。旁路路徑設(shè)置于第三端口和第四端口之間。第二節(jié)點(diǎn)沿著所述旁路路徑設(shè)置。第二閥設(shè)置于第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間。歧管塊限定氣體...

提供了分配及混合氣體的設(shè)備及方法。在一示例中，一種氣體分配器包含：主體，用于使得氣體能進(jìn)入所述主體的氣體入口，用于將所述氣體分配至外部部件的軌道陣列的氣體出口，以及中央氣體分配點(diǎn)，該中央氣體分配點(diǎn)設(shè)置在所述主體內(nèi)在所述軌道陣列的氣體出口...

提供一種用于半導(dǎo)體處理室中的部件。工藝暴露涂層位于部件主體的表面上，其中該工藝暴露涂層包括YF<subgt;3</subgt;、MgF<subgt;2</subgt;、CeF<subgt;4</sub...

本發(fā)明公開(kāi)了半導(dǎo)體晶圓的放置后居中的系統(tǒng)與技術(shù)，即在半導(dǎo)體晶圓已被放置于基座上(或更具體而言，于基座基部上)之后的半導(dǎo)體晶圓的居中的系統(tǒng)與技術(shù)。這樣的系統(tǒng)還允許例如在不需要確定半導(dǎo)體晶圓離期望位置的中心有多遠(yuǎn)的情況下，以開(kāi)環(huán)方式來(lái)執(zhí)行這...

本文提供用于選擇性生長(zhǎng)含金屬硬掩模的方法和裝置。所述方法包括：提供具有分隔特征的圖案的襯底，各特征具有頂部水平表面；用含碳材料填充分隔特征之間的空間，以形成具有特征的頂部水平表面和含碳材料的平坦表面；相對(duì)于含碳材料在特征的頂部水平表面上...

公開(kāi)了涉及包含高光譜攝像機(jī)的處理工具的示例，所述高光譜攝像機(jī)被配置成取得處理工具的處理室和/或處理工具中的襯底的高光譜影像。從高光譜影像所推導(dǎo)的計(jì)量數(shù)據(jù)用于控制處理工具的操作。