公開了一種用于優化無線通信設備中的前端模塊（FEM）的分布式推理模型。在一個方面，所述FEM內的各種可調諧元件可以具有基于操作條件的最佳設置。可以通過創建推理模型（例如，通過機器學習或深度學習人工智能（AI）技術）來找到最佳設置。所述推...

提供了一種多模式功率管理設備。在本文所公開的實施例中，所述多模式功率管理設備可以被配置成跨寬調制帶寬范圍（例如，80?KHz到200?MHz以上）在不同功率管理模式下操作。所述多模式功率管理設備包含在單獨管芯中實施的功率管理集成電路（P...

本文提供了功率管理電路中的無沖突電流分配。該功率管理電路包括經由共享電流分配線互連的多個功率管理集成電路(PMIC)和分布式PMIC。在一個實施方案中，該分布式PMIC是具有較小占用面積的這些PMIC的輕量版本。因此，該分布式PMIC通...

公開了射頻（RF）裝置陣列中的溫度感測。具體來說，一種RF裝置陣列可以包括多個緊密布置的裝置，其中由于裝置的幾何結構，在所述裝置之間可能存在溫度梯度。本公開的各方面比較測量裝置之間的溫度誘發電壓差，同時減去公共RF功率分量并使用此差信號...

公開了一種單位單元和由多個所述單位單元組成的射頻（RF）開關。所述單位單元具有相變材料（PCM）開關和跨所述PCM開關并聯耦合的至少一個晶體管。所述RF開關還包括開關控制器，所述開關控制器具有耦合到所述多個單位單元的加熱元件的第一控制端...

本公開涉及一種具有銅柱結構的雙面模制模塊，所述雙面模制模塊使用兩步驟電鍍工藝形成。公開的雙面模制模塊包含所述銅柱結構和層壓面板，所述層壓面板具有帶第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的層壓體及在所述層壓體的所述第二表面上的捕獲墊。所述...

本公開涉及一種制造雙面模制模塊的方法，所述方法開始于提供層壓板，所述層壓板包括層壓主體、在所述層壓主體的底表面上的墊以及圍繞所述墊且在所述層壓主體的所述底表面上的銅柱。具有高度變化的所述銅柱比每個墊高。接下來，將所述層壓板放置在支撐塊上...

本發明公開了一種可調諧電感器裝置，其具有襯底、平面螺旋導體和相變開關（PCS），所述平面螺旋導體具有設置在所述襯底之上的多個間隔開的匝，所述PCS具有設置在所述襯底之上的位于所述多個間隔開的匝的一對相鄰段之間并與其接觸的相變材料（PCM...

本公開涉及一種響應于兩個或更多個正交輸入負載來確定電子裝置的最佳解的方法。所公開的方法開始于分別基于第一準則和第二準則生成所述電子裝置的第一條件繪圖和第二條件繪圖。在本文中，當第一負載施加到所述電子裝置時，所述第一條件繪圖內的第一特性滿...

本發明公開了一種可重構晶體管器件，包括一個基板、多個第一晶體管叉指（設置在基板上方的第一區域中）以及一個變相開關（PCS），所述變相開關包括一個變相材料（PCM）塊（設置在基板上方的第二區域中），用于將所述多個第一晶體管叉指第一組與總線...

本公開涉及使用超寬帶和窄帶通信的測距技術。公開了用于組合窄帶和超寬帶(UWB)通信以提供增強的測距的系統、方法和裝置。在示范性方面，公開了一種測距方法。在一些實施例中，所述方法包含使用窄帶通信生成粗略距離估計值。所述方法可進一步包含使用...

本公開涉及RF半導體裝置和其制造方法。本公開涉及一種射頻(RF)裝置，所述裝置包含模制裝置管芯和位于模制裝置管芯之下的多層重新分布結構。模制裝置管芯包含裝置區域和第一模制化合物，所述裝置區域具有后段制程(BEOL)部分和位于BEOL部分...

本發明公開了電壓調節器輸出電流估計。在本文中，所述電壓調節器被配置成生成輸出電流以將輸出電容器充電到輸出電壓。具體地說，所述電壓調節器根據如此生成的占空比信號而生成所述輸出電流以跟蹤所述輸出電壓的目標。與其中使用匹配的直流電阻(DCR)...

提供了減少電子裝置中的滑塊位置抖動。在本文所公開的實施例中，所述電子裝置首先基于通過力傳感器收集的數據確定外力的原始位置值和原始力值。因此，所述電子裝置對所述原始位置值和所述原始力值執行一系列后處理步驟以確定所述外力的新位置值。具體地講...

本文提出了一種在通信系統中操作錨點的方法。在一些方面中，所述方法包含：從移動裝置接收具有前導碼的上行消息，并從第二錨點接收具有第二前導碼的同步消息，其中所述錨點的同步是基于所述同步消息，并且其中所述第二前導碼與所述前導碼不同。所述錨點可...

公開了一種在超寬帶（UWB）裝置中接收多個多毫秒（MMS）片段的方法。所述方法包含基于CFO值的初始范圍和粗略定時估計處理所述多個MMS片段中的每一個。對于每個MMS片段，所述處理包括：對所述初始范圍內的多個載波切片CFO值使用并行處理...

本公開涉及RF半導體裝置及其制造方法。本公開涉及一種射頻裝置，所述射頻裝置包含傳遞裝置管芯和位于所述傳遞裝置管芯之下的多層重新分布結構。所述傳遞裝置管芯包含裝置區域和傳遞襯底，所述裝置區域具有后段制程(BEOL)部分和位于所述BEOL部...

本公開涉及RF半導體裝置和其制造方法。本公開涉及一種射頻(RF)裝置，該RF裝置包含模制裝置管芯和位于模制裝置管芯之下的多層重新分布結構。模制裝置管芯包含裝置區域、導熱薄膜和第一模制化合物，裝置區域具有后段制程(BEOL)部分和位于BE...

本公開涉及用戶接口設備。公開了一種用戶接口設備，其具有殼體、外表面上的細長墊、靠近所述墊的近端并固定到內表面的第一應變傳感器，以及靠近所述墊的遠端并固定到所述內表面的第二應變傳感器。所述第一應變傳感器生成第一電信號，所述第一電信號在力直...

公開了功率放大器電路中的自適應偏置。所述功率放大器電路被配置成基于調制電壓放大射頻（RF）信號。通常，基于預先建立的查找表（LUT）生成所述調制電壓，所述預先建立的查找表將所述調制電壓的振幅和相位與所述RF信號的時變功率包絡相關。在本文...