公開了用于氣體中樞和遞送噴嘴的增材制造的示例結構、方法和系統。一個示例結構包括一體式氣體中樞和分配噴嘴，所述一體式氣體中樞和分配噴嘴包括氣體中樞部分和氣體遞送噴嘴部分。所述氣體中樞部分包括多個進氣口路徑和一個或多個充氣腔室。所述多個進氣...

本揭示的實施例有利地提供半導體裝置，特定言之提供CFET，以及制造此類裝置的方法，該等裝置具有完全應變的超晶格結構并且溝道層實質上不含缺陷且釋放層經保護以在移除中間犧牲層期間免遭材料損耗。本文所描述的CFET包含基板上的豎直堆疊的超晶格...

本案的實施例系關于包括用于溫度測量校準的能帶間隙材料的測量系統、處理系統以及相關設備及方法。在一或多個實施例中，測量系統包括基板支撐組件，該基板支撐組件包括內部部分及外部部分。內部部分包括第一面、與第一面相對的第二面、形成于第一面中的一...

一種波導組合器，其包括第一基板、第二基板及波長選擇性膜，其中此波長選擇性膜設置在此第一基板與此第二基板之間，此波長選擇性膜系可操作的以反射紅光、折射且透射藍光及折射且透射綠光。

公開了一種用于虛擬感測半導體處理腔室的硬件元件的溫度的方法及裝置。在一或多個實施例中，一種適用于半導體制造的處理腔室的操作方法包括接收用于制造工藝的工藝配方，及使用感測器監測處理腔室的第一硬件元件的第一溫度。該方法進一步包括基于接收到的...

示例性半導體處理方法可包括將含氧前驅物提供到半導體處理腔室的處理區域。基板可容納在處理區域內。第一層含硅及鍺材料、第二層含硅及鍺材料、及含硅材料層可設置在基板上。方法可包括使基板與含氧前驅物接觸。接觸可氧化第二層含硅及鍺材料的至少部分。...

于此提供了具有準直器的處理腔室的實施例。在一些實施例中，一種處理腔室包括：腔室主體，具有側壁和頂板，以在其中界定內部空間，頂板配置為支撐內部空間中的靶材；基板支撐件，設置在與頂板相對的內部空間中；準直器，設置在頂板和基板支撐件之間的內部...

一種處理基板的方法包括在耦接到第一壓板的第一墊上拋光基板的前表面。方法進一步包括利用承載頭將基板從第一墊傳遞到耦接到第二壓板的第二墊。方法進一步包括將承載頭移動到掃描位置以將基板的邊緣放置在定向傳感器之上，所述定向傳感器設置在第二墊的旋...

一種形成全環繞式柵極場效晶體管的一部分的方法包括執行選擇性沉積工藝以在基板的通過淺溝槽隔離(STI)隔離的多個部分內形成的接觸溝槽的底部處形成選擇性封蓋層，其中所述接觸溝槽各自通過延伸區域與S/D外延(epi)層介接，執行基板成角度蝕刻...

在一些實施方式中，提供了一種方法，所述方法基于獲得更均勻的熱膨脹系數或熱導率控制來選擇用于鍵合晶片的虛設晶粒的熱機械三維特性以改變熱提取。在一些實施方式中，提供了一種方法，所述方法還基于將晶粒鍵合到鍵合晶片之后發生的后續處理來選擇虛設晶...

本技術包括整體式電鍍密封件，諸如利用增材制造形成的電鍍密封件。密封件包括外部密封構件和內部密封構件。所述外部密封構件包括內環狀半徑、外環狀半徑以及限定在外部表面與同所述外部表面相對的內部表面之間的外部密封構件主體。所述外部表面由孔隙率小...

提供了用于形成氮化硅硼層的方法。所述方法包括：將基板定位在工藝腔室內的工藝區域中的基座上；加熱保持基板的基座；以及將第一工藝氣體的第一氣流和第二工藝氣體的第二氣流引入工藝區域。第一工藝氣體的第一氣流含有硅烷、氨、氦、氮、氬和氫。第二工藝...

本技術包括用于漂洗電鍍設備、其部件和/或基板的方法。所述方法包括從電鍍浴移除具有第一pH的浴溶液的至少一部分。所述方法包括通過納濾膜過濾經移除的浴溶液，從而形成含有經回收的漂洗劑的滲透液以及滲余物。所述方法包括將所述經回收的漂洗劑轉移到...

本公開內容描述了用于在通過數字孿生體模型對制造過程進行并行實時模擬的情況下操作制造過程的方法和系統。表明正在進行的制造過程的參數的傳感器數據被輸入數字孿生體模型，并用于預測所述制造過程的輸出。將所述經預測的輸出與目標輸出進行比較。一個或...

本技術的實施例可包括半導體處理方法及系統。方法及系統可包括：將基板提供至半導體處理腔室的處理區域，其中基板包括一或多對交替的半導體材料層及犧牲材料層。方法包括：穿過一或多對交替的半導體材料層及犧牲材料層形成一或多個垂直延伸特征，從而形成...

本文描述的是基座、具有所述基座的處理腔室以及使用所述基座處理基板的方法。在一個示例中，提供了一種用于在處理期間支撐基板的基座。所述基座具有盤形主體，所述盤形主體包括圍繞內部區域的邊。所述內部區域凹陷以形成凹陷凹穴，所述凹陷凹穴配置為接收...

本公開內容提供當存在包括子像素交叉掃描振動的交叉掃描振動時，用于校正從空間光調制器(SLM)到基板的圖像的投射的方法和系統。這些方法和系統包括：偏移相對于基板上的橫向掃描行進方向旋轉的SLM上的掩模圖案，沿著SLM的軸偏移以對交叉掃描振...

本公開案大致涉及一種用于熱處理基板的燈加熱的設備。具體而言，本公開案的實施方式涉及使用基板及屏蔽部件而將在迅速熱處理（RTP）腔室中的加熱區域分離。在一個實施方式中，一種處理基板的方法包括將基板放置于處理腔室中在多個升降桿上，以多個升降...

本公開案涉及用于監測半導體制造的板溫度的系統、設備和方法。在一或多個實施方式中，一種用于處理基板并適用于半導體制造的系統包括腔室主體，所述腔室主體包括一或多個側壁。所述系統包括蓋子及窗，所述一或多個側壁、所述窗及所述蓋子至少部分地界定內...

一種用于訓練用于晶片上缺陷的自動檢測及分類的學習模型的方法及設備，包括接收具有多個缺陷分類的晶片缺陷的標記影像，創建包括晶片缺陷的經接收標記影像的第一訓練集，使用第一訓練集訓練機器學習模型以在第一階段自動檢測及分類晶片缺陷，摻合具有不同...