于此的實施例一般涉及半導體制造，且更特別是用于基板處理腔室的氣體擴散器。在一實施例中，氣體擴散器包括：至少一個氣體擴散器單元，包括：緊固孔口，穿過擴散板主體的頂表面；第一氣體入口，設置成距緊固孔口一入口距離；第二氣體入口，設置成距緊固孔...

本揭示案的實施例提供了制造滿足PMOS晶體管的壓應力要求和NMOS晶體管的拉應力要求的電子元件的方法。每個P金屬堆疊和P金屬堆疊：在位于半導體基板上源極和漏極之間的溝道的頂表面上形成，以及包括納米片溝道層和每個納米片溝道層之間的溝槽，并...

本文的實施例提供了一種半導體基板清潔腔室。清潔腔室包括部分限定清潔體積的側壁、在側壁內設置的基座、及在基座上方設置的清潔臂。清潔臂包括在清潔臂的噴嘴端上設置的噴嘴組件。噴嘴組件包括外殼、及在外殼內設置并且具有氣體端口的主體，該氣體端口穿...

本公開的實施例涉及一種實施提升閥以改變噴嘴橫截面的面板。在一個實施例中，提供了一種面板。面板包括主體、主體中的多個孔、以及多個提升閥組件。提升閥組件包括提升閥，所述提升閥被配置為在孔的第一部分中行進并且在孔的第二部分中產生可變通路。提升...

形成元件的方法包含在基板上形成介電層，此介電層包含限定包括側壁及底部的間隙的至少一個特征。此等方法包括在此間隙的此底部上選擇性地沉積自組裝單層(SAM)。此SAM具有通式I至XIX，其中R、R’、R1、R2、R3、R4，及R5是獨立地選...

描述了一種用于處理基本上豎直地取向的基板的真空沉積系統（100）。真空沉積系統（100）包括：多個沉積腔室（150），沿主要運輸方向（T）成排地布置，并且容納用于在所述基板上沉積包含至少一種有機材料的層堆疊的多個真空沉積源（155），其...

本文公開了用于將基板夾持在單極靜電吸盤上來沉積光刻膠膜的設備。在一個示例中，一種升降桿組件包括：第一金屬彈簧；第一金屬，所述第一金屬在所述第一金屬彈簧上方并耦接到所述第一金屬彈簧；第二金屬彈簧，所述第二金屬彈簧在所述第一金屬上方并耦接到...

提供了在目標區域中具有改進摻雜的半導體處理方法及半導體結構。方法包括提供設置在半導體處理腔室內的基板，其中在此基板上形成一或多個未摻雜目標區域。方法包括使此一或多個未摻雜目標區域經受預清潔操作，移除存在于此一或多個未摻雜目標區域上的任何...

一種方法包括由處理裝置接收來自處理腔室的一或更多個馬達的位置誤差數據。該方法進一步包括執行位置誤差數據的預處理。該方法進一步包括將位置誤差數據轉換到頻域。該方法進一步包括基于頻域位置誤差數據來確定與處理腔室相關的振動故障已經發生。該方法...

本文的實施方式描述了一種制造互連結構的方法。所述方法包括在含鎢表面上沉積選擇性鎢層，所述含鎢表面在特征內設置，其中所述特征包括包含介電材料的一或多個表面，并且所述沉積所述選擇性鎢層導致在所述介電材料上形成殘留物。所述方法亦包括通過將所述...

一種半導體器件及其制造方法。提供基板。在基板頂部上形成一組或多組層。在至少一組層頂部上形成補償層。在補償層頂部上形成至少一個硅層。蝕刻一組或多組層中的一個或多個層的至少一部分。形成半導體器件。

本文提供了制造存儲器元件的方法。該方法包括：在基板上形成第一外延層；以及在第一外延層上形成存儲器陣列，該存儲器陣列包括第一外延層上的氧化物材料和金屬材料的交替層的存儲器堆疊，從第一外延層延伸穿過存儲器堆疊的至少一個存儲器單元，以及與至少...

一種表征熱處理腔室的方法可包括使用來自現有熱處理腔室中的溫度變化率數據來訓練模型。監督學習過程可基于基板上的沉積輪廓來標記這些變化率數據。經訓練模型可用于表征另一腔室，以確定預測性能是否與用于訓練該模型的腔室匹配。使用載氣的惰性工藝可用...

提供一種基板支撐組件，所述基板支撐組件包括：基座組件，所述基座組件包括：內部部分，所述內部部分具有內部主體、經安置而圍繞所述內部主體的外部輪緣，及多個凹陷部分，每個凹陷部分相對于所述內部主體的下表面凹陷；以及經定位而圍繞所述內部部分的外...

示例基板處理系統面板可包括板，板以第一表面和與第一表面相對的第二表面為特征。第二表面可限定延伸穿過板的厚度的一部分的多個凹部。板可限定穿過板的厚度的多個孔。每個孔可延伸穿過多個凹部中的一個凹部的底表面。每個凹部可具有比延伸穿過凹部的底表...

一種用于半導體裝置的在該結構的頂表面上具有高介電常數介電膜的結構可以用于形成由具有減少的介電表面區域及減少的金屬柱的節距的混合接合結構所組成的半導體裝置。舉例而言，介電膜的介電常數可以是約或大于7或8。可以將結構的介電膜與類似結構的介電...

描述了一種外延生長處理腔室，該處理腔室具有部件，該部件具有宏單元支撐結構，該宏單元支撐結構配置有限定流體連通孔隙的互連實體支撐件。還描述了一種經配置用于在外延生長處理腔室中使用的部件，該部件具有宏單元支撐結構，該宏單元支撐結構配置有限定...

本揭示案的實施例提供了用于形成光學裝置結構的方法。一種示例性方法通常包括：在基板上設置第一材料裝置層；圖案化該第一材料裝置層的一部分以在該第一材料裝置層中形成第一多個裝置結構；在該第一裝置材料層的未圖案化部分上設置第二材料裝置層；在該第...

本文描述的實施方式涉及改善的波導及其形成方法，所述波導利用材料層來改善波導的一或更多個表面區域的光學性質。在一個實施方式中，提供了一種波導。所述波導包括基板；安置在所述基板中或所述基板上的光柵，所述光柵包括由多個溝槽限定的多個結構；安置...

本文的實施方式總體涉及用于太陽能電池應用的基板或晶片的檢驗系統。所述檢驗系統被配置為分析基板或晶片的缺口、開裂和其他缺陷。所述系統包括輸送機設備，并且所述輸送機設備包括一個或多個輸送機元件。所述輸送機元件被配置為運輸寬度在約175mm至...