一種用于處理腔室的磁控管的磁體組件包括支撐構件。多個磁道安裝到所述支撐構件。每個磁道包括一對磁極。部分磁道安裝到所述支撐構件。所述部分磁道包括單一不成對磁極。所述部分磁道安裝得接近所述支撐構件的旋轉中心。

本文的實施方式大體系針對一種波導顯示組件及一種合并該波導顯示組件的近眼顯示系統。在實施方式中，波導顯示器包括光引擎、波導組合器、輸入耦合光柵及暴露于波導顯示組件的周圍環境的一或多個耦合光柵。波導組合器相對于波導平面以環繞角跨使用者的眼睛...

本文公開了一種用于在半導體處理腔室中蝕刻高深寬比結構的方法和系統。在一個示例中，圖案化基板的方法包括蝕刻基板以形成凹槽，在凹槽的側壁上沉積鈍化層，處理鈍化層，以及蝕刻凹槽至第二深度?；逦g刻形成凹槽至第一深度，基板具有安置在其上的掩模層...

本公開內容的實施例總體上涉及外延膜堆疊及用于制備外延膜堆疊的氣相沉積工藝。在一個或多個實施例中，所生產的經碳摻雜的硅?鍺和硅微型堆疊具有相對較低的缺陷或晶體瑕疵。將含有多個經碳摻雜的硅?鍺和硅微型堆疊的多層外延堆疊沉積在基板上。各多層外...

一種方法包括以下步驟：由處理設備獲得包括外延膜的基板的第一圖像數據。所述方法進一步包括以下步驟：向所述第一圖像數據應用頻域過濾器以獲得經過濾的圖像數據。所述方法進一步包括以下步驟：通過對所述經過濾的圖像數據執行特征檢測，確定所述第一圖像...

描述了制造電子器件的方法。本公開的實施例有利地提供了制造電子器件（例如，互補場效應晶體管(CFET)）的方法，該電子器件滿足減小的厚度、減少的泄漏、較低的熱預算、及Vt要求（包括多Vt），并且具有改進的器件效能及可靠性。方法的一些實施例...

公開了一種波導。該波導包括設置在基板上方的一個或多個光柵。這些光柵包括具有光柵節距的光柵結構。該波導包括在每個光柵與基板的邊緣之間設置在基板上方的波導區域。該波導區域包括具有小于光柵節距的輔助節距的輔助結構。

本公開內容的實施例針對選擇性蝕刻工藝。工藝包括使前驅物流入含有基板的半導體處理腔室中，前驅物包括鹵素間化合物、含鹵素物質、偽鹵素物質中的一者或多者、鹵素間化合物、含鹵素物質或偽鹵素物質中的一者或多者與胺或膦的混合物，或鹵素間化合物、含鹵...

本公開案涉及一種通過使用多步沉積工藝在高深寬比結構中選擇性形成硅化物的方法。將第一前體氣體輸送至設置在維持在第一工藝壓力下的工藝腔室的處理區域內的表面，其中所述基板在第一溫度下維持持續第一時間段。在所述第一時間段已經過去后輸送所述凈化氣...

本發明的實施例關于選擇性蝕刻處理。處理包括蝕刻化學(含氟前驅物與第一氣體混合物的等離子體)，及鈍化化學(含硫前驅物與第二氣體混合物的等離子體)。在一實施例中，含硫前驅物與第二氣體混合物以含硫前驅物與第二氣體混合物的比例在從0.01至5的...

于此提供了基板支撐件的示例。在一些示例中，一種基板支撐件具有陶瓷靜電夾盤，所述陶瓷靜電夾盤具有主體。所述主體具有第一側和第二側，所述第一側配置為支撐基板，所述第二側與所述第一側相對。所述主體具有夾持電極；主動邊緣電極，所述主動邊緣電極鄰...

描述了半導體處理系統及系統部件。所述系統部件包括半導體處理腔室的腔室蓋，所述腔室蓋包括電介質材料，所述電介質材料具有基本上圓盤形狀且將蓋部分及氣體輸送噴嘴部分整合為單個結構。所述腔室蓋包括多個氣體流動路徑，所述氣體流動路徑各自從所述腔室...

可以控制并且設計混合鍵合結構中的互連電阻。每個互連的電阻可以藉由過孔的寬度、過孔的數量、及過孔內的襯墊的厚度來控制。盡管在相同的晶片或芯片上，混合鍵合結構的第一互連及第二互連可以具有不同的互連電阻。本文描述的技術包括設計互連及形成具有特...

一種方法包括確定基板的多個測量目標。所述基板包括多個結構。每個測量目標與所述多個結構中的結構相關聯。所述方法進一步包括操作一或多個馬達以導致基板支撐件的運動，用于將第一測量目標設置在測量儀器的視場內。所述方法進一步包括導致當所述第一測量...

本揭露的實施例通常涉及在基板上形成電導特征的方法。在一個實施例中，該方法包括在基板的開口處透過物理氣相沉積（PVD）形成第一導電層。第一導電層的厚度小于20埃。該方法進一步包括透過PVD在第一導電層上形成第二導電層。第一導電層和第二導電...

本文所公開的實施例描述了用于處理基板的方法。在一個實例中，處理膜堆疊的層的方法包括預處理形成在基板上的膜堆疊的底層的表面，并通過在靠近膜堆疊的處理環境中加熱含甲基材料以在膜堆疊的光致抗蝕劑層中形成金屬氧化物。膜堆疊包括布置在底層頂部上并...

一種基板支撐基座包括靜電吸盤、冷卻基部、氣流通道、多孔塞和密封構件。靜電吸盤包括具有腔的主體。冷卻基部經由接合層耦接到靜電吸盤。氣流通道形成在靜電吸盤的頂表面與冷卻基部的底表面之間。氣流通道進一步包括腔。多孔塞定位于腔內，以控制通過氣流...

提供了一種波導組合器。波導組合器包括波導組合器基板。波導組合器提供設置在基板上的多個階梯結構。每個階梯結構包括多個階梯臺階。每個階梯臺階的階梯寬度都是相同的。多個階梯臺階具有從初始階梯臺階到最終階梯臺階的修整寬度。多個階梯臺階包括具有頂...

一種存儲器單元陣列包括：在第一方向上堆疊的多個存儲器層級，多個存儲器層級中的每一者包括單元晶體管及電連接至漏極區域的單元電容器，該單元晶體管具有電連接至在第一方向上延伸的位線的源極區域、漏極區域、字線層、電連接至源極區域及漏極區域并在第...

提供了半導體裝置及在半導體裝置中進行鉬填充的方法。在一個方面，提供了一種處理半導體裝置基板的方法。該方法包括將在介電層中形成的至少一個特征暴露于晶粒改性層沉積工藝，以在至少一個特征的部分上沉積晶粒改性層。該至少一個特征由介電層中形成的側...