一種用于管芯放置的設備，包括：第一載臺，所述第一載臺包括多個凹部，所述多個凹部被配置成接納多個施主管芯；第二載臺，所述第二載臺包括用于一個或更多個目標的支撐件；和測量系統，所述測量系統功能性地聯接到所述第一載臺，并且被配置成：獲得所述多...

提供一種用于管芯放置的方法，包括：獲得用于多個供體管芯的多個目標位置；測量所述多個供體管芯的位置，所述多個供體管芯由多個管芯致動器支撐；使用所述多個管芯致動器將所述多個供體管芯的位置調整為基本上對應于所述多個目標位置；以及將所述多個供體...

本公開的實施例涉及用于在光刻設備中使用的襯底支架，特別是一種用于在光刻設備中使用并且被配置為支撐襯底的襯底支架，該襯底支架包括：具有主體表面的主體；從主體表面突出的多個主突節，其中每個主突節具有被配置為支撐襯底的遠端表面；從主體表面突出...

一種用于訓練預測模型以從基板的低分辨率圖像生成表示基板上的缺陷的高分辨率圖像的方法。該方法包括將基板上的缺陷的第一圖像和參考圖像輸入到神經網絡，該第一圖像和參考圖像表示使用不同圖像捕獲條件而捕獲的圖像。執行神經網絡以響應于第一圖像而生成...

一種用于光刻設備的熱調節系統，所述熱調節系統包括：主體，所述主體包括用于調節流體的流動的調節通道，所述調節流體用于對所述主體和/或由所述主體支撐或支撐所述主體的部件熱調節；和供應連接件，所述供應連接件被配置成將所述調節流體供應到所述主體...

提供了一種用于光刻設備的沖洗系統，所述沖洗系統包括氣體出口，氣體出口被配置為以預定速率阻塞通過氣體出口的氣流。還提供了一種沖洗光刻設備的方法，該方法包括：提供通過光刻設備的氣流；以及操作來自光刻設備的氣體出口，使得氣流被阻塞通過氣體出口。

公開了一種使用遮蔽裝置來控制襯底處的曝光劑量的方法，該遮蔽裝置包括第一板和第二板。該方法包括：在遮蔽裝置處提供輻射脈沖以曝光襯底；通過沿相對于狹縫中心的第一方向移動第一板，并且沿第二5方向移動第二板來曝光襯底處的曝光區域，其中第二方向與...

本文中公開了一種計算機系統，所述計算機系統被配置成：使用依賴于掩模版在第一時段期間的第一狀態的邊界條件來對所述掩模版在所述第一時段期間的變形進行建模；使用依賴于所述掩模版在第二時段期間的第二狀態的邊界條件來對所述掩模版在所述第二時段期間...

本文中描述的實施例包括引導平臺和光刻系統，所述光刻系統被配置成通過控制物鏡的位置來測量物鏡在引導平臺上的位置。所述引導平臺可以包括撓曲件，當所述物鏡被定位以提高所述物鏡的整體聚焦準確度時，所述撓曲件減小所述引導平臺在z軸上的剛度。撓曲引...

本文中公開一種光源，所述光源被布置成照射光刻設備中的圖案形成裝置的非圖案化表面，其中，所述光源被配置成使得響應于來自所述光源的照射，所述非圖案化表面由于光電效應而發射電子。有利地，當所述非圖案化表面帶電時，可以使所述非圖案化表面在所述非...

一種方法包括產生材料的連續流，以及通過向流施加變化的光、變化的電流或變化的電子束來周期性地加熱流以控制流分裂成段。流可以在噴嘴的孔口附近的單個位置處被周期性地加熱。該材料可以是適于在處于等離子體狀態時發射EUV輻射的材料。還公開了一種實...

公開了一種用于夾持襯底的襯底處理系統。該系統包括：襯底夾具，該襯底夾具包括多個突節，該多個突節包括各自的遠端，該遠端形成被配置為支撐襯底的襯底支撐表面。該系統還包括第一噴嘴，該第一噴嘴被配置為輸出氣體以至少部分地圍繞突節；和第二噴嘴，該...

本文公開了一種用于檢測樣品(550)的帶電粒子束檢測裝置以及帶電粒子束調節技術，更具體地說，公開了一種帶電粒子束非接觸式電表征技術(例如，用于缺陷檢測)。該帶電粒子束裝置包括：帶電粒子源(503)，其被配置為發射初級帶電粒子束(505)...

本公開涉及劑量控制系統。一種控制裝置包括：被配置為控制曝光束中的能量的量的功率控制器；以及跟蹤模塊，該跟蹤模塊被配置為：確定移動穿過曝光束的區域在處于曝光束中時該區域的累積能量的量；預測在離開曝光束之前該區域的累積能量是否會超過劑量限值...

本文公開了一種計算機系統，所述計算機系統被配置成：控制利用處于冷狀態中的掩模版對第一襯底執行的光刻過程；依賴于所述第一襯底的檢查來確定所述光刻過程的一個或更多個性能指標；依賴于所述一個或更多個性能指標來確定所述掩模版的夾持引發的變形模式...

本發明提供了一種用于朝向樣品投影多束帶電粒子的帶電粒子裝置。該裝置包括多個源，被配置為沿著包括多個帶電粒子束的束柵格的相應路徑朝向樣品發射帶電粒子的相應源束。該裝置還包括一個或多個元件，其中限定了孔徑陣列。一個或多個元件分別包括分派給單...

系統和裝置可以包括至少三個導體，該三個導體包括與底盤電隔離的第一導體，該第一導體被電連接到AC電源的節點，該AC電源的節點被電連接到地參考，并且該第一導體被配置為提供用于由EMI濾波器生成的噪聲電流流向AC電源的路徑，以使噪聲電流能夠傳...

電子束源被配置在超高真空室中。氣體分子被防止通過差分孔徑系統到達電子源的發射尖端。差分孔徑系統可以包括至少一個孔徑板，至少一個孔徑板被配置為將真空室的區域與放氣源密封隔開，使得氣體分子可以僅通過至少一個孔徑板中的孔從源到達區域。

公開了一種改進的磁透鏡冷卻系統。磁透鏡組件可以包括線圈、包含線圈的外殼以及與外殼隔離的極片，使得在外殼與極片之間存在間隙。其中該磁透鏡組件能夠被配置為在該間隙中具有真空壓力。

一種極紫外(EUV)光源靶標發生器包括：細長的通道，聚結前液滴能夠沿著該通道行進，該通道被通道壁圍繞；位于通道壁中的窗口；以及被定位為接收通過窗口透射的光的聚結前液滴檢測模塊，聚結前液滴檢測模塊包括：被配置為收集和透射通過窗口接收的光的...