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        ASML荷蘭有限公司專利技術(shù)

        ASML荷蘭有限公司共有3448項專利

        • 公開了一種裝置以及這種系統(tǒng)的組件,該裝置適于遞送熔融靶材料(諸如錫),該熔融靶材料將在極紫外輻射的源中被輻射并被轉(zhuǎn)化,其中該組件被暴露于處于壓力下的熔融靶材料,組件諸如過濾器的外殼,熔融靶材料通過的過濾器的外殼包括兩種難熔金屬(例如,鉬...
        • 本文公開了用于在光刻設(shè)備中使用的表膜支撐系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括:表膜;表膜支撐件,其被布置成相對于圖案形成裝置的表面固定所述表膜,使得在所述表膜與所述圖案形成裝置之間限定封閉區(qū)域;和至少一個管道,其被布置成向所述封閉區(qū)域供應(yīng)流體以增加所述封...
        • 一種用于確定由EUV輻射源提供的EUV輻射束的性質(zhì)的傳感器。該傳感器包括:第一電極和第二電極,該第一電極和第二電極中的每個被配置為基本上圍繞EUV輻射束的橫截面。該傳感器還包括電壓源,該電壓源被配置為在第一電極和第二電極的兩端施加電勢差...
        • 描述了一種襯底對準(zhǔn)裝置。照射系統(tǒng)從輻射源接收源輻射束并將源輻射束朝向光瞳面引導(dǎo)。光學(xué)部件定位在光瞳面處,以將源輻射束的分量束朝向襯底上的多個對準(zhǔn)標(biāo)記引導(dǎo)。至少一個物鏡模塊置于光學(xué)部件和襯底之間,并且將分離束聚集在該多個對準(zhǔn)標(biāo)記的對應(yīng)分離...
        • 一種隔膜,該隔膜被配置成透射極紫外輻射,該隔膜包括被配置成吸收深紫外輻射的納米結(jié)構(gòu),以及用于形成隔膜的方法。隔膜可以形成EUV光刻設(shè)備的一部分,例如作為光譜純度濾波器、表膜組件或動態(tài)氣鎖組件的一部分。
        • 本公開提供了一種控制致動器的方法,該方法包括以下步驟:以第一頻率提供測量樣本(x(t))的序列;(以第一頻率)處理測量樣本的序列以提供導(dǎo)數(shù)測量樣本(x’(t),x”(t))的至少一個序列;將測量樣本的序列和導(dǎo)數(shù)測量樣本的至少一個序列下采...
        • 提供了一種光刻裝置和方法,該方法是在光刻裝置的圖案形成設(shè)備環(huán)境中將圖案形成設(shè)備裝載到支撐結(jié)構(gòu),該方法包括使用處理裝置將圖案形成設(shè)備和支撐結(jié)構(gòu)置于一起,對將圖案形成設(shè)備固定至支撐結(jié)構(gòu)的夾具通電,然后分離處理裝置和圖案形成設(shè)備,其中在處理裝...
        • 本公開提供了一種操作和頻激光器的方法,包括以下步驟:同時從第一光源發(fā)射具有第一頻率的第一光束和從第二光源發(fā)射具有第二頻率的第二光束;在第一方向上以匹配的調(diào)諧頻率調(diào)制所述第一頻率并且在相反方向上以匹配的調(diào)諧頻率調(diào)制所述第二頻率;以及將所述...
        • 本文中描述了用于將來自一個集合的圖案選擇至另一集合的方法和系統(tǒng)。獲得在圖案表示空間中被表示的第一圖案集合和第二圖案集合。對于所述第二圖案集合中的每個圖案,確定指示位于所述圖案表示空間中的相應(yīng)的圖案與所述第一圖案集合中的圖案之間的相似性的...
        • 一種用于浸沒式光刻設(shè)備的流體處理結(jié)構(gòu),該流體處理結(jié)構(gòu)被配置為將浸沒液體限制在流體處理結(jié)構(gòu)的底表面與襯底和/或支撐襯底的襯底支撐件的表面之間的空間中,該結(jié)構(gòu)具有:具有在底表面中由多個邊限定的基本多邊形形狀的特征;開口,被配置為向空間供應(yīng)浸...
        • 用于測量光場的波前像差的波前感測技術(shù)被描述。與現(xiàn)有的系統(tǒng)相比,該波前感測技術(shù)成本較低,能夠被用于同時測量軸上輻射或軸外輻射,沒有相同嚴(yán)格的對齊要求,并且不需要相同的波前計算重建。該波前感測技術(shù)利用對來自多個軸上和軸外同時針孔輻射透射的鏡...
        • 本文描述了一種用于選擇用于處理圖像的閾值以確定圖案的特性的方法。該方法包括訪問圖案的圖像表示以及使用不同的閾值生成圖案的特征的多個二維(2D)輪廓,其中2D輪廓中的每個2D輪廓對應(yīng)于相應(yīng)的閾值。2D輪廓被評估以確定2D輪廓的KPI值,并...
        • 一種靜電掩模板夾具包括:介電體、電極、多個突節(jié)、導(dǎo)電涂層、電源以及控制器,該電極被配置為向介電體的第一側(cè)施加電荷以將掩模版靜電夾持在介電體的第二側(cè)上,該多個突節(jié)位于介電體的第二側(cè)上并被配置為接觸掩模版,該導(dǎo)電涂層設(shè)置在突節(jié)的子集的表面上...
        • 公開了一種用于拓?fù)鋬?yōu)化的對準(zhǔn)標(biāo)記的逆設(shè)計方法。產(chǎn)生用于襯底上的第一對準(zhǔn)標(biāo)記,使得第一對準(zhǔn)標(biāo)記具有至少兩個具有不同特性的像素的拓?fù)?。確定至少兩個像素中的每個像素的一個或多個特性?;谥辽賰蓚€像素的一個或多個特性來優(yōu)化第一對準(zhǔn)標(biāo)記的拓?fù)?。?..
        • 提供了用于收集器流動環(huán)(CFR)殼體的系統(tǒng)、設(shè)備和方法,收集器流動環(huán)(CFR)殼體被配置為減輕燃料碎屑在極紫外(EUV)輻射系統(tǒng)中的積聚。示例CFR殼體可以包括多個噴頭流動通道出口,該多個噴頭流動通道出口被配置為在CFR殼體的等離子體面...
        • 一種光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)、投影系統(tǒng)和檢查系統(tǒng)。檢查系統(tǒng)包括寬帶輻射系統(tǒng)、光學(xué)系統(tǒng)、波長分離器系統(tǒng)和檢測器系統(tǒng)。寬帶輻射系統(tǒng)產(chǎn)生源輻射,該源輻射具有分布于檢查系統(tǒng)的操作帶寬內(nèi)的窄帶波長的第一集合和分布于操作帶寬內(nèi)的窄帶波長的第二集合。第一...
        • 一種用于光刻裝置中的流體處理系統(tǒng)的氣體供應(yīng)模塊,氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括:加濕器,該加濕器具有加濕器輸入和加濕器輸出;第一導(dǎo)管,該第一導(dǎo)管被配置為將氣體引導(dǎo)到加濕器輸入;第二導(dǎo)管,該第二導(dǎo)管被配置為向流體處理系統(tǒng)供應(yīng)加濕氣體;控制閥,該控制閥被...
        • 本文中描述關(guān)于改善與芯片的制造相關(guān)聯(lián)的模擬過程和解決方案(例如,重定目標(biāo)圖案)的方法。方法包括獲得多個劑量?焦距設(shè)置、和基于與所述多個劑量?焦距設(shè)置中的每個設(shè)置相關(guān)聯(lián)的被印制的圖案的特性的測量值的參考分布。所述方法還包括基于調(diào)整模型和所...
        • 一種輻射系統(tǒng),被配置為產(chǎn)生輻射并且包括液滴發(fā)生器(3)、激光系統(tǒng)和控制系統(tǒng),液滴發(fā)生器(3)被配置為產(chǎn)生朝向等離子體形成區(qū)域行進的燃料液滴,激光系統(tǒng)操作以生成預(yù)脈沖(PP)和主脈沖(MP),其中預(yù)脈沖被配置為調(diào)節(jié)液滴以接收主脈沖,并且其...
        • 本文公開了一種被配置為支撐襯底的襯底支撐裝置,該襯底支撐裝置包括:具有用于襯底的基本平面的支撐表面的襯底支撐件;以及包括一個或多個襯底成形器件的襯底成形系統(tǒng);其中每個襯底成形器件相對于襯底支撐件可移動;并且其中當(dāng)襯底設(shè)置在支撐表面上時,...