本發明涉及用于在廢棄的電氣和電子設備的循環利用期間剝離焊料金屬的裝置和方法。本發明提供的用于循環利用印刷線路板的裝置和方法可以收集電子部件、貴金屬和賤金屬以供重新使用和循環利用。所述裝置總的來說包括機械焊料去除模塊和/或熱模塊、化學焊料...

一種前開口晶片容器，具有前后堆疊式V形晶片邊緣接納部分集合、晶片架組件的后置部件，且包括用聚碳酸酯預制并包覆成型的PBT薄膜。所述堆疊式V形晶片邊緣接納部分集合在架上座接位置上方提供架間座接位置。所述PBT為所述晶片邊緣提供低摩擦滑動嚙...

本發明涉及一種用于流體處理系統中的高扭矩聚合物配件。所述配件尤其適用于具有1英寸或更大直徑的流體處理配件。所揭示的所述配件的各種實施例容納用于固定所述配件的專用扳手，所述扳手用于將所述配件擰緊到所期望的扭矩。

本發明揭示一種泵送系統，其具有定位于填充側上的壓力傳感器及施配側上的壓力傳感器，以獲得并提供可由控制器用于確定各種操作分布曲線的壓力信息。為避免將空氣截留于工藝流體中，壓力傳感器可齊平地安裝或以一角度安裝在進給室、瓶或貯存罐的側壁的底部...

本發明涉及從包含貴金屬的材料中浸析所述貴金屬的組合物和方法。有利地，所述鹵化物基組合物是環境友好的且在室溫下在不需要高壓和電極的情況下有效地除去貴金屬。

本發明揭示一種碳熱解物材料，其具有作為吸附劑以及用于能量存儲及其它應用的效用。所述熱解物材料包括從例如多糖的低成本天然存在的碳水化合物源材料衍生的微孔碳。在吸附劑應用中，所述碳熱解物可以例如以顆粒形式或整體形式而生產，其具有高密度及高孔...

本文涉及同位素富集的含硼化合物，含有兩個或以上的硼原子和至少一個氟原子，其中至少一個硼原子含有所需的硼同位素，所述同位素的濃度或比例高于其天然豐度的濃度或比例。所述化合物可以具有化學式B2F4。本文描述了合成這些化合物的方法和使用這些化...

本發明描述一種流體供應封裝，所述流體供應封裝包含壓力調節式流體儲存與施配容器，所述壓力調節式流體儲存與施配容器包括流體施配流動路徑及吸附劑，所述吸附劑安置于所述流動路徑中或與所述流動路徑流體連通以從所述流動路徑可逆地吸附流體，從而實現從...

本發明描述了用于在基板中注入硅和/或硅離子的組合物、系統和方法，包括從相應的硅前體組合物中生成硅和/或硅離子，以及在基板中注入該硅和/或硅離子。

本發明涉及一種利用晶片支撐環將個別晶片支撐于其中的晶片運送裝置。所述晶片支撐環可支撐各種厚度的晶片而不影響堆疊的高度，且在沖擊事件期間提供在所述環內對駐存晶片的圍阻。所述晶片及所述環協作以在所述晶片之間界定空隙，所述空隙在沖擊事件中充當...

可使用抗背隙裝置減小或消除精密系統(例如泵抽系統)中的背隙，所述抗背隙裝置具有耦合到活塞且相對于所述活塞固定的第一螺母。所述第一螺母及第二螺母可與驅動所述活塞的電機的導螺桿嚙合。限制或防止所述第一螺母與所述第二螺母之間的相對旋轉。偏壓構...

本發明提供一種用于調節拋光墊的CMP墊調節器。本發明的各種實施例包含多個細長突起部，所述細長突起部在所述CMP墊調節器嚙合拋光墊時以多種攻角作用于所述拋光墊的被調節表面。由于所述突起部的細長幾何結構，所述多種攻角將趨于以多面方式使所述拋...

本發明涉及用于銅或銅合金的蝕刻溶液。更具體而言，本發明提供了一種用于從微電子裝置選擇性蝕刻銅或銅合金的溶液，其中所述裝置同時包括銅或銅合金和含鎳材料，所述溶液是用于銅或銅合金的蝕刻溶液，其包含在分子中具有酸基團的螯合劑、過氧化氫和在分子...

本發明公開了用于等離子體組件的表面涂層，所述表面涂層的益處是針對侵蝕性(例如，基于氟的)等離子體環境中的化學和等離子體物理侵蝕的穩固性。與其他已知的表面處理相比，所述涂層還提供用于活性氧、氮、氟和氫物種的低等離子體表面復合速率。所述涂層...

本實用新型公開了一種可構造的清潔晶片運輸裝置。容器包括具有開口側或底部的殼體部、密封關閉開口側或底部的門。門和容器部分中的一個包括形成在殼體中以提供從晶片運輸裝置的內部到外部區域的流體通路的開口。開口可以包括限定流體通路的模塊容納結構。...

描述了一種設備，包括反應區，用于反應物氣體與反應性固體在有效形成中間產物的條件下接觸，和開口，用于使氣體試劑未反應部分和中間產物離開反應區。本設備可有利地用于形成作為中間產物與反應物氣體的反應產物的最終產物。反應物氣體與反應性固體的反應...

生成和包裝磷化氫氣體的系統和方法，其中所述方法包括：使水與磷化鋁反應以生成磷化氫，并使磷化氫以低于爆炸下限的磷化氫濃度提供在氣體混合物中；從氣體混合物中吸附移出磷化氫；以及將移出的磷化氫包裝在流體存儲和分配容器中。

描述了用于流體的遠程傳送的流體存儲和分配系統及方法，以用于將流體從處于較低電壓的源容器提供至處于較高電壓的一個或多個流體利用工具，使得流體跨越相關聯的電壓隙而無電弧、放電、過早離子化或其他異常行為，并且使得當由遠程源容器供應多個流體利用...

描述了用于摻雜物的注入的離子注入組合物、系統和方法。描述了具體的硒摻雜源組合物，以及并流氣體用以實現在注入系統特征方面的優勢的用途，所述注入系統特征為例如方法轉變、束穩定性、源壽命、束均勻性、束流和購置成本。

公開了同位素富集的硅前體組合物，相對于缺乏該同位素富集的硅前體組合物的相應離子注入，其用在離子注入中以提高離子注入系統性能。該硅摻雜組合物包括至少一種硅化合物，并且可包括含有同種氣體和稀釋氣體中至少一種的補充氣體，所述至少一種硅化合物以...