本發明公開了用于高對流連續旋轉鍍覆的流輔助動態密封件。一種用于電鍍半導體晶片的設備包含被配置成圍繞處理區域的嵌入構件。所述嵌入構件具有頂表面。所述嵌入構件的所述頂表面的一部分具有向上斜坡，其從所述嵌入構件的所述頂表面的周邊區域朝所述處理...

一種用于在襯底處理系統中的襯底支撐件的隔熱結構包含外罩，其被構造成環繞所述襯底支撐件的桿。所述外罩還被構造成限定所述外罩與所述桿的上部和所述襯底支撐件的下表面之間的內部容積以及所述外罩與所述襯底支撐件的所述桿的下部之間的豎直通道。所述外...

使用機器學習模型預測熱蝕刻反應中的蝕刻。使用量子力學模擬來識別給定熱蝕刻反應的一或多個反應路徑中的蝕刻工藝的化學特性和相關能量。指示蝕刻特性的標簽可與給定熱蝕刻反應的化學特性和相關能量相關聯。機器學習模型可使用化學特性和相關能量作為自變...

使用具有鋁?碳鍵的含鋁反應物(例如三烷基鋁)與具有碳?鹵素鍵的含碳反應物(例如碳氟化合物，例如，CF4或CH2F2)之間的反應，通過原子層沉積將碳膜沉積在半導體襯底上。該方法包括順序地將反應物引入處理室，在半導體襯底的表面上形成一種或兩...

提供了一種蝕刻半導體襯底的處理室和方法。該處理室是對稱的，其中用于保持半導體襯底的臺架的卡盤和桿部的中心線與位于泵的芯部中的通道的中心線以及與氣體端口的中心線對準，該泵用于將處理室抽氣，而氣體通過該氣體端口而被引導至處理室。桿部延伸穿過...

提供了一種用于監測等離子體處理室中的漂移以進行半導體處理的方法。提供多個循環，其中每個循環包括在等離子體處理室中的卡盤上方沉積沉積層，等離子體蝕刻所述沉積層以及測量用于等離子體蝕刻所述沉積層以蝕刻穿過所述沉積層的時間。所測得的用于等離子...

在一實施方案中，所公開的設備是用于氣體輸送箱中的至少一個氣體基元基板。所述至少一個氣體基元基板中的每一者具有至少一個位置，氣體輸送部件將安裝在所述至少一個位置上。所述至少一個位置具有形成于所述氣體基元基板的主體中的至少一個氣體輸送部件入...

本發明涉及使用計算機視覺系統的原位室清潔終點檢測系統和方法。一種系統包括安裝在處理室的窗外部并鄰近所述窗的相機，所述處理室被配置成處理半導體襯底。所述窗使得所述相機能觀察到所述處理室內的部件。所述相機被配置為于在正在所述處理室內執行的處...

所公開的示例涉及使用原子層沉積(ALD)以自下而上的方式實施部分間隙填充處理。一示例提供了一種在襯底中的間隙的部分填充方法。該方法包括：將硅氮化物次保形層沉積在間隙的第一部分中且不沉積在間隙的第二部分中。第一部分從間隙的頂部延伸至在間隙...

提供了一種用于處理襯底的方法，其中所述襯底位于處理室內的噴頭下方。在所述襯底上沉積沉積層，其中至少一種沉積氣體通過所述噴頭提供。在所述沉積所述沉積層的期間，使第二清掃氣體從所述處理室內的所述噴頭外的位置流入，從而在所述噴頭的外緣周圍形成...

提供了一種為配電箱的電力系統部件產生電氣孿生體的方法。所述方法包含：針對負載電流范圍或環境溫度范圍中的一者或更多者建構所述電力系統部件的計算機實現的機械模型；在所述負載電流范圍或所述環境溫度范圍中的所述一者或更多者內執行所述計算機實現的...

公開的示例涉及在鈷氮化物層中形成金屬間氮化物相，該金屬間氮化物相抑制鈷氮化物層中的鈷遷移率。一示例提供一種用于處理襯底的方法。方法包括將氣相含金屬前體引入處理室中，以將處理室中的襯底上的鈷氮化物層暴露于氣相含金屬前體，從而在鈷氮化物層的...

所公開的示例涉及沉積包含元素成分的濃度梯度的膜。一示例提供使用化學氣相沉積在處理室中的襯底上沉積膜的堆疊件的方法。方法包含于襯底上沉積硅氧化物層。方法進一步包含當使多晶硅前體流入處理室中時，控制處理條件以將過渡膜沉積至硅氧化物層上。過渡...

描述了用于補償射頻(RF)功率損耗的系統和方法。方法中的一種包括進行無等離子體測試以確定與阻抗匹配電路的輸出相關聯的電阻。在進行無等離子體測試之后，在等離子體室中處理襯底。在襯底處理期間，確定與阻抗匹配電路的輸出相關的功率損耗。功率損耗...

在一個示例中，描述了一種用于再分布層(RDL)工藝的方法。提供襯底。在襯底的上面沉積介電層。使介電層圖案化。將阻擋層和銅籽晶層沉積在介電層的上面。將光致抗蝕劑層施加在阻擋層和銅籽晶層的上面。使光致抗蝕劑層圖案化以對應于介電層圖案。銅電沉...

提供了用于在制造3D?NAND結構期間在階梯結構上沉積封裝層以防止氧化物?氧化物界面退化并防止字線穿通的方法和裝置。封裝層是在將氧化物沉積在階梯結構上之前沉積在交替的氧化物層和氮化物層的階梯結構上的含碳保形膜。

用于襯底處理室的下等離子體排除區域環包括環形體，該環形體包括徑向內表面、徑向外表面、上表面和下表面。等離子體排除區域(PEZ)環凹口被布置于環形體的上表面和徑向外表面上。

本發明涉及使用電感耦合高密度等離子體進行介電膜的致密化。一種用于致密化襯底上的介電膜的方法包括：將包括介電膜的襯底布置在襯底處理室中的襯底支撐件上；向所述襯底處理室供應包括氦和氧的氣體混合物；將所述襯底處理室中的壓強控制為大于或等于預定...

一個示例提供了一種形成經鹵素摻雜的介電膜的方法。該方法包含形成含有多個介電膜層的介電膜。該方法還包含在形成該介電膜后執行等離子體摻雜處理。該等離子體摻雜處理包含將含鹵素前體引進等離子體中；以及將該介電膜暴露于該等離子體中從該含鹵素前體產...

一種襯底處理系統包含用于支撐襯底的基座、安置在基座中的電阻式以加熱襯底的加熱器、以及安置在基座中以加熱襯底的輻射式加熱器。一種襯底處理系統包含具有面板的噴頭以及安置在噴頭中的輻射式加熱器。該面板包含多個通孔。該輻射式加熱器包含與該面板的...