公開了用于在晶圓處理操作期間支撐半導體晶圓的基座。這樣的基座可以包括主動冷卻和主動加熱系統(tǒng)，從而允許其在大范圍的潛在溫度下加熱和/或冷卻晶圓以及快速進行，從而通過減少基座到達目標溫度所需的等待時間來提高處理產(chǎn)量。

提供了使用等離子體射流的半導體襯底或晶圓的彎曲補償?shù)姆椒ㄅc裝置。在某些實施方案中，該裝置可用于襯底的背側(cè)的表面改性，該襯底具有前側(cè)，該前側(cè)具有在其上面加工的電子設備特征。除了其他部件以外，該裝置還可包含噴嘴，其被設置成將等離子體射流引導...

提供在低于400°C的工藝溫度下利用金屬鹵化物前體且將還原劑和含鹵素蝕刻劑同時引入處理室中來執(zhí)行襯底的特征的由下而上的間隙填充的方法。選擇性間隙填充工藝可用于對特征填充以包含鉬或鎢的過渡金屬。一些方法涉及金屬鹵化物前體和含鹵素蝕刻劑的使...

一種方法包括：提供部分制造的半導體襯底的3D結(jié)構(gòu)至室，所述3D結(jié)構(gòu)包括多個側(cè)壁，在所述側(cè)壁中的多個開口導致多個特征，所述特征具有穿過所述開口而流體可及的多個內(nèi)部區(qū)域；以及使用一個或更多個沉積循環(huán)在所述多個特征中沉積鎢成核層，每個沉積循環(huán)...

所公開的示例涉及使用基于硅烷的揮發(fā)性化合物的原子層蝕刻。一示例提出一種用于對襯底執(zhí)行原子層蝕刻的方法。所述方法包括執(zhí)行多個原子層蝕刻循環(huán)。所述多個原子層蝕刻循環(huán)中的原子層蝕刻循環(huán)包括：使包括金屬氧化物表面的襯底暴露于氟化劑，其中所述金屬...

在電鍍室中，金屬可在半導體襯底上電鍍，該電鍍室設有微型惰性陽極陣列，該陣列靠近具有一個或多個芯片的半導體襯底。微型惰性陽極陣列包含多個可獨立控制的微型惰性陽極元件。施加到微型惰性陽極元件的電流可在陣列中形成電流分布，該陣列可至少部分基于...

一種用于清潔襯底處理系統(tǒng)的基座的固定器具包含固定器具的第一部分、固定器具的第二部分、多個緊固件和適配器。所述第一部分被配置成耦合至所述基座的基部的第一表面。所述第一部分包含第一端口，所述第一端口被配置成與所述基座的所述基部中的充氣室流體...

本文提供了在特征中形成氮化鎢(WN)阻擋層的方法。

一種用于襯底處理系統(tǒng)的連接器包含主體，其包含：第一主體部，其包含入口和出口，并界定沿第一方向從所述入口延伸至所述出口的第一氣流通道。第二主體部包含入口且界定沿與所述第一方向不同的第二方向延伸的第二氣流通道?！癟”形導管被布置在所述第一氣...

蒸氣輸送系統(tǒng)包含包括具有內(nèi)表面的本體、入口和出口的蓋件。氣體分配設備被設置于蓋件的內(nèi)表面上或與蓋件的內(nèi)表面成一體。氣體分配設備包含限定本體與蓋件之間的N個充氣室的本體，其中N為大于0的整數(shù)；及設置于N個充氣室中的多個氣體通孔。氣體分配設...

螺柱承座組件包括：柱銷，其具有頭部、主體和將頭部連接到主體的頸部；承座，其具有圓柱形內(nèi)腔，并具有上部開口，柱銷穿過上部開口設置，上部開口的內(nèi)徑比柱銷頭部的外徑小至少為0.005英寸；多個貝氏彈簧墊圈，其周向環(huán)繞柱銷的主體；固定件，其連接...

化學氣相沉積(CVD)工具抑制或完全消除襯底基座和襯底之間的發(fā)弧。CVD工具包括直流(DC)偏置控制系統(tǒng)，其配置成將設置處理室中的襯底基座維持在與通過處理室中的等離子體所產(chǎn)生的DC偏壓相同或基本上相同的DC偏壓。通過將襯底基座和具有與等...

探討了用于確定與校正由晶片搬運機械手搬運的堆疊的晶片中的晶片間未對準的系統(tǒng)與技術(shù)。提供了一種改進的自動晶片居中系統(tǒng)，其可用于確定與該堆疊的晶片相關(guān)聯(lián)的最小圓，其可接著用于確定該堆疊的晶片是否符合各種工藝要求和/或是否可進行居中校正以將這...

本發(fā)明描述了使用集成式原子層沉積(ALD)和蝕刻處理來對襯底特征進行關(guān)鍵尺寸(CD)控制的方法和裝置。方法包括：蝕刻以在襯底上形成特征掩模圖案，該寬度小于待隨后通過該特征掩模圖案形成的結(jié)構(gòu)的期望寬度；通過ALD保形地沉積鈍化層，從而增加...

一種用于處理襯底的襯底處理系統(tǒng)包含：歧管和位于處理室內(nèi)的多個注射器組件。所述多個注射器組件中的每一個與所述歧管流體連通且包含閥，所述閥包括入口和出口。劑量控制器被配置成：與所述多個注射器組件中的每一個中的所述閥通信；以及基于在所述多個注...

一種用于在處理室內(nèi)處理襯底的襯底處理系統(tǒng)包括匹配網(wǎng)絡、第一調(diào)諧電路和控制器。所述匹配網(wǎng)絡從RF產(chǎn)生器接收具有第一頻率的第一RF信號并且使所述匹配網(wǎng)絡的輸入與所述RF產(chǎn)生器的輸出阻抗匹配。所述調(diào)諧電路不同于所述匹配網(wǎng)絡且包含具有第一阻抗的...

提供了一種用于等離子體處理室的部件。提供了一種含金屬部件主體。密封劑涂層位于含金屬部件主體的表面上，其中密封劑涂層包括硅酮密封劑、有機密封劑或環(huán)氧密封劑中的至少一種，其中密封劑涂層未被覆蓋且直接暴露于等離子體處理室中的等離子體。

一種耐電弧靜電卡盤包括基板，該基板包括：第一供氣孔，其用于通過所述基板供應傳熱氣體；以及第一空腔，其被設置在所述基板的第一表面上并與所述第一供氣孔流體連通。頂部陶瓷層被設置在所述基板上方，并在其第一表面上包含第二空腔。接合層被配置成將所...

本公開關(guān)于使用金屬鹵化物前體通過等離子體增強原子層沉積(PEALD)在襯底上沉積金屬氧化物膜。一示例提供包含執(zhí)行多個PEALD循環(huán)的方法。每個PEALD循環(huán)包含將在處理室中的襯底暴露于金屬鹵化物以將該金屬鹵化物吸附在襯底上。每個PEAL...

本發(fā)明涉及用于增強鎢沉積填充的鎢的原子層蝕刻。本發(fā)明提供了使用沉積?蝕刻?沉積工藝將鎢沉積到高深寬比的特征中的方法，該工藝整合了多種沉積技術(shù)與在蝕刻期間交替的表面改性的脈沖和去除的脈沖。