各個(gè)示例涉及用于確定前體的劑量的系統(tǒng)和方法。本系統(tǒng)可包括被配置為將載氣的氣流分成第一通路和第二通路的分流器；設(shè)置在第一通路中的第一進(jìn)氣空間，以及設(shè)置在第二通路中的第二進(jìn)氣空間；包含前體的安瓿設(shè)置在第二通路中；以及用于測(cè)量(i)位于第一通...

一種電化學(xué)沉積系統(tǒng)包括：電化學(xué)沉積室，其包括用于電化學(xué)沉積的電解液；襯底保持器，其被配置成保持襯底并且包括與所述襯底電氣連接的第一陰極；第一致動(dòng)器，其被配置成調(diào)整所述襯底保持器在所述電化學(xué)沉積室中的豎直位置；陽(yáng)極，其浸沒(méi)在所述電解液中；...

提出了一種在堆疊件中蝕刻特征的方法，堆疊件包括在掩模下方的硅氧化物層。將襯底支撐件冷卻至低于0℃的溫度，襯底支撐件用于支撐在蝕刻室中的堆疊件。提供蝕刻氣體，蝕刻氣體包括含鹵素成分及含磷成分。由蝕刻氣體產(chǎn)生等離子體。提供偏置，以使離子從等...

抗蝕劑的干式顯影可使用于例如在高分辨率圖案化中形成圖案化掩模。干式顯影可有利地通過(guò)半導(dǎo)體襯底的處理方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，該方法包括：在處理室中將已光圖案化的抗蝕劑提供至半導(dǎo)體襯底上的襯底層上；以及通過(guò)以下方式對(duì)所述已光圖案化的抗蝕劑進(jìn)行干式顯影：...

一種裝置包括第一組件和第二組件。第一組件包括具有與其連接的第一導(dǎo)管的第一斷接件以及與第一導(dǎo)管接觸的溫控外殼。第一溫控外殼連接至處理室的第一部并包括加熱器。第二組件連接至處理室的第二部，并包括具有與其連接的第二導(dǎo)管的第二斷接件。第一部與第...

一種襯底處理系統(tǒng)的組件包含具有第一板和側(cè)壁的傾斜構(gòu)件以及第二板。第一板連接至基座的軸桿。側(cè)壁被設(shè)置在第一板下方且包含狹縫。側(cè)壁的一部分圍繞傾斜構(gòu)件的傾斜軸旋轉(zhuǎn)。傾斜軸由狹縫限定。第二板包含主體以及多個(gè)梁部，主體包含附接至傾斜構(gòu)件的第一部...

描述了提供具有低粗糙度的鎢沉積的方法和裝置。在一些實(shí)施方案中，該方法包括在使用氫作為還原劑的沉積鎢的原子層沉積工藝期間使氮與氫共流。在一些實(shí)施方案中，所述方法包括在3D?NAND結(jié)構(gòu)的側(cè)壁表面上沉積蓋層，例如氧化鎢或非晶鎢層。所公開(kāi)的實(shí)...

金屬氧化物半導(dǎo)體設(shè)備中的鹵代介電氧化物膜調(diào)節(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體設(shè)備的平帶電壓。鹵代介電氧化物膜的形成是通過(guò)形成低質(zhì)量氧化物膜、隨后將低質(zhì)量氧化物膜暴露于基于鹵素的等離子體來(lái)進(jìn)行。低質(zhì)量氧化物膜可以包括以下一者或更多者：碳、氮、和氫。基于鹵...

本公開(kāi)內(nèi)容涉及雙軸光學(xué)傳感器系統(tǒng)，當(dāng)圍繞旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)例如半導(dǎo)體晶圓之類的對(duì)象時(shí)，可將雙軸光學(xué)傳感器系統(tǒng)用于評(píng)估該對(duì)象的圓周的厚度和/或高度變化上的變動(dòng)。此類傳感器系統(tǒng)可以成對(duì)光源和相應(yīng)的光檢測(cè)器為特征。可將每一光源配置成引導(dǎo)光沿著相應(yīng)方向...

一種基座，其包含支撐軸和本體。該支撐軸包含供應(yīng)通道，該供應(yīng)通道被配置成接收工藝流體。該本體包含層狀件，層狀件被配置成接收來(lái)自該供應(yīng)通道的該工藝流體并將該工藝流體分配到該本體上且將該工藝流體從該基座引導(dǎo)朝向正在進(jìn)行處理的襯底。該本體包含分...

公開(kāi)了判斷和使用用于將晶片提供至半導(dǎo)體處理工具的晶片站的晶片支撐件的多種類型偏移的系統(tǒng)和技術(shù)；這樣的技術(shù)和系統(tǒng)可使用可具有多個(gè)傳感器的自動(dòng)校準(zhǔn)晶片，所述傳感器包含可用于攝像與位于選定晶片站中的兩種不同結(jié)構(gòu)相關(guān)的基準(zhǔn)的多個(gè)位于邊緣的攝像傳...

基座包含支撐軸和本體。支撐軸包含供應(yīng)通道，其接收工藝流體。本體包含堆疊的層，其接收工藝流體、在本體的范圍內(nèi)分配工藝流體、且從基座導(dǎo)引工藝流體朝向處理中的襯底。本體包括分配層，其包含第一充氣室和通道。通道從供給通道徑向延伸至第一充氣室，并...

提供襯底處理系統(tǒng)，其包括襯底支撐件、存儲(chǔ)器、校準(zhǔn)模塊、操作參數(shù)模塊和求解模塊。襯底支撐件支撐襯底并且包括溫度控制元件。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)用于所述溫度控制元件的溫度校準(zhǔn)值和靈敏度校準(zhǔn)值。校準(zhǔn)模塊在所述溫度控制元件的校準(zhǔn)期間執(zhí)行：第一校準(zhǔn)過(guò)程，其用...

提出了用于保持在半導(dǎo)體晶圓上所沉積的層的完整性的方法和結(jié)構(gòu)。多層背側(cè)層堆疊件的沉積可減少在背側(cè)層中的開(kāi)裂的發(fā)生。每一背側(cè)層可通過(guò)背側(cè)沉積裝置而沉積。一種在電子設(shè)備制造期間的襯底處理方法，所述方法包括：在所述襯底的前側(cè)上沉積一個(gè)或更多個(gè)前...

一種襯底的暴露表面的處理方法包含使用清掃氣體清掃襯底處理系統(tǒng)的第一室和第二室。氣體分配裝置設(shè)置在第一室與第二室之間。該方法包含使處理氣體流至第二室但不流至第一室，以在設(shè)置于第二室中的襯底支撐件上的襯底的表面上產(chǎn)生吸附層。該方法包含停止處...

提供了用于半導(dǎo)體襯底的背面密封的方法和設(shè)備。在一些實(shí)施方案中，這種技術(shù)可以包括：使第一組一種或多種處理氣體輸送到沉積設(shè)備的第一處理室，第一處理室中放置有半導(dǎo)體襯底；在等離子體的存在下施加第一處理溫度，以在半導(dǎo)體襯底背面上形成第一材料層；...

可以使用遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)沉積經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜的碳化硅膜。將一種或多種含硅前體提供至反應(yīng)室。以實(shí)質(zhì)上低能態(tài)或基態(tài)提供自由基物質(zhì)，例如氫的自由基物質(zhì)，并且其與一種或多種含硅前體相互作用以沉積碳化硅膜。含碳前體可以與一種...

本公開(kāi)總體上涉及用于在處理期間支撐半導(dǎo)體晶片的卡盤技術(shù)。在一示例中，晶片卡盤組件包含卡盤轂部及設(shè)置在卡盤轂部?jī)?nèi)的定心轂部。嚙合設(shè)備能分別在嚙合位置與脫離位置之間操作以使卡盤轂部與定心轂部嚙合，以防止在至少第一方向上在兩者之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)、...

本文描述了用于在多重圖案化處理中使用原子層沉積(ALD)來(lái)控制間隔件輪廓的方法和設(shè)備。以多圖案化方案將氧化硅間隔件沉積在圖案化的芯材料和襯底的目標(biāo)層上。通過(guò)多個(gè)ALD循環(huán)在包括氧化時(shí)間、等離子功率和襯底溫度的第一氧化條件下沉積氧化硅間隔...

本文提供用于形成包括含金屬層的圖案化多層堆疊件的方法。方法涉及在包括待稍后移除并用金屬代替的一犧牲層的多層堆疊件中使用含硅的非金屬材料，同時(shí)維持蝕刻對(duì)比度以圖案化多層堆疊件并在沉積金屬之前選擇性移除犧牲層。方法涉及使用硅碳氧化物代替硅氮...