一種用于襯底處理室的組件包含：構(gòu)造成布置在該襯底處理室的上表面中的石英介電窗；石英介電窗中的凹部，該凹部包括延伸穿過該石英介電窗的第一開口；以及包含氣體噴射器的氣體噴射器組件。該氣體噴射器組件布置在該凹部內(nèi)，使得該氣體噴射器延伸穿過該第...

提供了用于基座的設(shè)備和系統(tǒng)。示例性的基座可以具有主體，所述主體具有上環(huán)形密封表面，所述密封表面是平坦的、垂直于所述主體的豎直中心軸并且具有徑向厚度；下凹部表面，其從所述上環(huán)形密封表面偏移；以及從所述下凹部表面突出的多個(gè)微接觸區(qū)域(MCA...

非光學(xué)傳感器系統(tǒng)追蹤并檢測各種光致抗蝕劑工藝的終點(diǎn)。光致抗蝕劑工藝可包括沉積、顯影、斜面邊緣和/或背面清潔、烘烤、蝕刻和室清潔操作。室清潔可涉及對(duì)非預(yù)期的含金屬材料進(jìn)行熱清潔與等離子體清潔中的一或兩者。熱清潔或遠(yuǎn)程等離子體清潔的終點(diǎn)檢測...

一種用于等離子體處理系統(tǒng)的可移動(dòng)邊緣環(huán)系統(tǒng)包括：頂部邊緣環(huán)；以及第一邊緣環(huán)，其布置于所述頂部邊緣環(huán)下方。第二邊緣環(huán)由導(dǎo)電材料制成，并且包括上部、中間部和下部。所述頂部邊緣環(huán)和所述第二邊緣環(huán)被配置成在被升降銷向上偏移時(shí)于豎直方向上相對(duì)于襯...

一種用于等離子體處理系統(tǒng)的可移動(dòng)邊緣環(huán)系統(tǒng)包括：頂部邊緣環(huán)；以及第一邊緣環(huán)，其布置于所述頂部邊緣環(huán)下方。第二邊緣環(huán)由導(dǎo)電材料制成，并且包括上部、中間部和下部。所述頂部邊緣環(huán)和所述第二邊緣環(huán)被配置成在被升降銷向上偏移時(shí)于豎直方向上相對(duì)于襯...

一種用于等離子體處理系統(tǒng)的可移動(dòng)邊緣環(huán)系統(tǒng)包括：頂部邊緣環(huán)；以及第一邊緣環(huán)，其布置于所述頂部邊緣環(huán)下方。第二邊緣環(huán)由導(dǎo)電材料制成，并且包括上部、中間部和下部。所述頂部邊緣環(huán)和所述第二邊緣環(huán)被配置成在被升降銷向上偏移時(shí)于豎直方向上相對(duì)于襯...

一種用于等離子體處理系統(tǒng)的可移動(dòng)邊緣環(huán)系統(tǒng)包括：頂部邊緣環(huán)；以及第一邊緣環(huán)，其布置于所述頂部邊緣環(huán)下方。第二邊緣環(huán)由導(dǎo)電材料制成，并且包括上部、中間部和下部。所述頂部邊緣環(huán)和所述第二邊緣環(huán)被配置成在被升降銷向上偏移時(shí)于豎直方向上相對(duì)于襯...

本發(fā)明的各種實(shí)施方案涉及用于半導(dǎo)體處理的基座，以及它們的用途和制造的方法。在一些實(shí)施方案中，一種用于在處理期間支撐半導(dǎo)體襯底的基座包含：主體，其具有內(nèi)部部分和圍繞該內(nèi)部部分的外部部分；內(nèi)電阻絲，其位于該主體的該內(nèi)部部分內(nèi)，該內(nèi)電阻絲具有...

在一些示例中，設(shè)置隔離閥以隔離半導(dǎo)體制造中的氣體與等離子體。一示例性隔離閥包含閥本體、閥致動(dòng)器、以及提動(dòng)件。該提動(dòng)件包含由聚四氟乙烯(PTFE)材料所制成的墊片。該提動(dòng)件設(shè)置成通過該閥致動(dòng)器而在該閥本體中移動(dòng)至(1)接合位置、或(2)脫...

本發(fā)明提供了一種用于在基座溫度可能超過600℃的情況下有效冷卻基座支柱的基座支柱冷卻系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括：基座，其具有被配置成在半導(dǎo)體處理操作期間支撐半導(dǎo)體晶圓的第一側(cè)、以及與該第一側(cè)相反的第二側(cè)；支柱，其具有與該基座連接的第一端、以及定位...

所公開的示例涉及使用干式工藝將氨基硅烷抑制劑選擇性地吸附至襯底表面。一示例提供了一種用于選擇性地將膜沉積至襯底表面的第一材料上的方法，所述襯底表面還包含第二材料。所述方法包含：將所述襯底表面暴露于在等離子體中形成的反應(yīng)物質(zhì)。所述方法還包...

呈現(xiàn)了一種電沉積工具。電沉積工具包括被配置為容納陽極電解液的陽極室；被配置為容納陰極電解液的陰極室；以及蛤殼式組件。蛤殼式組件被配置為在電沉積處理期間將襯底定位在陰極室中，使得襯底的陰極表面暴露于陰極電解液。蛤殼式組件包括至少一個(gè)杯體以...

一種用于將前體供應(yīng)到處理室的前體輸送系統(tǒng)包括殼體和可拆卸前體分配組件，該可拆卸前體分配組件可拆卸地耦合至殼體且被配置成將前體供應(yīng)到處理室，其中可拆卸前體分配組件包括：安瓿及第一閥組件，該第一閥組件流體耦合至安瓿，且包括第一閥、第二閥、第...

低溫含金屬膜沉積方法包括，將試劑引入至容納半導(dǎo)體襯底的處理室中并且向半導(dǎo)體襯底施加來自光源的光脈沖，因而導(dǎo)致在半導(dǎo)體襯底的頂表面和/或成核層上的溫度快速且瞬時(shí)地升高。在金屬前體輸送期間、在還原劑輸送期間、或在清掃期間，可照射襯底。鉬、鎢...

一種多站式半導(dǎo)體處理裝置包含處理站(“站”)以及與這些站流體連接的流體輸送系統(tǒng)。流體輸送系統(tǒng)包含第一至第四通路及流量調(diào)節(jié)器。第一通路接收輸入供給的流體。第二通路將輸入供給的流體的第一部分轉(zhuǎn)移到流體連接這些站中的第一站的第三通路，且將輸入...

一種用于在襯底上選擇性沉積金屬氧化物的方法，襯底包括金屬表面以及介電表面，所述方法包括：將所述襯底暴露于含硅抑制劑，以選擇性地將所述含硅抑制劑吸附到所述襯底的所述金屬表面上，所述含硅抑制劑包括一個(gè)或更多個(gè)有機(jī)配體。所述方法還包括：將含金...

一種處理襯底的方法，該方法包括：提供圖案化的襯底，其具有在特征之間的一個(gè)或更多個(gè)間隙；在襯底上方沉積犧牲性材料，其中犧牲性材料沉積在一個(gè)或更多個(gè)間隙中的至少一者中；蝕刻犧牲性材料以暴露特征的表面；在襯底上方形成薄滲透層，其中薄滲透層沉積...

一襯底處理系統(tǒng)，其包含：處理室、處理站和樞紐部。處理站設(shè)置于該處理室中。處理站中的每一者包含各自的襯底支撐件。該樞紐部設(shè)置于這些處理站之間。該樞紐部在第一位置與第二位置之間旋轉(zhuǎn)，當(dāng)于該第一位置處時(shí)引導(dǎo)氣體清潔該處理室的第一區(qū)域，且當(dāng)于該...

工藝條件管理有利于將干法顯影與蝕刻組合于單一處理室中；不需在半導(dǎo)體制造期間進(jìn)行干法顯影后烘烤步驟。用于快速地使處理室壓強(qiáng)大幅下降的方法及裝置允許在不進(jìn)行晶圓轉(zhuǎn)移下進(jìn)行熱干法顯影及O2閃蒸處理或熱干法顯影與等離子體硬掩模開孔操作。

一種用于襯底處理系統(tǒng)的基座包括基部和桿部。基部包括第一金屬材料。桿部與基部耦合。第二金屬材料包封基部。第二金屬材料不同于第一金屬材料。