以介電材料填充間隙包括在沉積期間使用抑制等離子體。抑制等離子體會增加沉積膜的成核屏障。抑制等離子體選擇性地在特征的頂部附近產生作用，與特征的底部相比，抑制在特征的頂部的沉積，從而增強由下而上的填充。

供應工藝氣體的裝置，其包括第一和第二氣體通道、環形充氣室、徑向路徑、第二氣體入口和第三氣體通道。第一氣體通道具有在第一方向上隔開的第一近端和遠端。第一近端限定第一氣體入口。第一與第二氣體通道流體連接。第二氣體通道具有在第一方向上與第一遠...

本發明描述了包括處理模塊及至少一個空間傳感器的處理系統。在至少一實現方案中，處理模塊包括基座及在處理模塊的壁內的觀察窗。在至少一實現方案中，空間傳感器位于處理模塊外部并鄰近觀察窗。在至少一實現方案中，運算設備電耦合至空間傳感器。在至少一...

提供了用于處理半導體襯底的技術和裝置。在一些實施方案中，該技術可包括：在第一電極和第二電極之間的區域接收所述半導體襯底的至少邊緣部分，所述區域包括一個或更多個凸緣特征，所述一個或更多個凸緣特征中的每一者被配置為防止等離子體從所述區域擴散...

提供用于從為所需摻雜劑的單一源的氟碳硅烷、氟硅烷或碳硅烷前體中沉積低介電常數摻雜氧化硅膜的等離子體增強原子層沉積方法及裝置。可通過利用具有至少一直接硅氟鍵或經由連接基連接至硅的氟的硅前體實現保形沉積。方法亦可包括氟碳氨基硅烷或氟氨基硅烷。

在襯底上選擇性沉積硅氧化物的方法包括：使襯底暴露于含硅抑制劑，以使含硅抑制劑選擇性地吸附至襯底的金屬表面。含硅抑制劑包括一個或更多個有機配體。該方法還包括：通過使襯底暴露于含金屬前體以使含金屬前體吸附至介電表面，以在襯底的介電表面上形成...

一示例提供脈沖激光沉積(PLD)工具。PLD工具包括處理室，該處理室包含激光入射窗。PLD工具還包含位于處理室內的靶保持器。PLD工具還包含位于處理室內的襯底保持器。PLD工具還包含被配置成引導激光通過激光入射窗并朝向靶保持器的激光器。...

一種操作裝置以確定噴頭中的孔阻塞的方法包含操作照明結構以將光導入該噴頭中的空腔中。在至少一實施方案中，一種方法還包含收集從該噴頭中的出口孔發射的光并分析從這些出口孔發射的光以確定這些出口孔的阻塞。

本文提供用于減輕半導體晶圓的晶圓彎曲的方法、裝置和結構。背面層堆疊件的沉積可減輕在正交方向上變化的晶圓彎曲。每一背面層可由背面沉積裝置沉積。因此其在襯底的背面上提供具有基本平坦的表面。

一種襯底處理系統包含處理室、等離子體源、第一線圈與第二線圈、以及電源。所述等離子體源被設置成通過氣體分配設備將等離子體供應至所述處理室，所述氣體分配設備被配置在所述處理室與所述等離子體源之間。所述第一線圈與所述第二線圈被交錯地配置在所述...

本文提供了裝置與方法。在某些實施方案中，用于處理室中的噴頭的電抗控制設備包含底部邊緣，其設置成接觸噴頭的頂表面的至少一部分。該電抗控制設備可包含本體表面，其具有內連接邊緣以及外周邊，該外周邊經由側壁而連接至該底部邊緣，該內連接邊緣的直徑...

一種用于半導體處理工具的傳感器輔助信號校準的方法包含將從與該半導體處理工具相關聯的傳感器陣列的至少一個測距傳感器接收的多個傳感器測量值解碼。基于該多個傳感器測量值，檢測在該半導體處理工具的訪問區內干擾物體的存在。檢測無線信號的至少一個信...

提供了一種在堆疊件中相對于硅選擇性地蝕刻硅鍺的方法，該堆疊件位于蝕刻室中的卡盤上。將該卡盤維持在15℃以下的溫度。將該堆疊件暴露于包含含氟氣體的蝕刻氣體，以相對于硅選擇性地蝕刻硅鍺。

公開的示例涉及控制于襯底的特征上沉積的含硅膜的生長輪廓。一示例提供了一種執行循環式化學氣相沉積(CVD)/蝕刻處理以控制在包含間隔結構的襯底上沉積的含硅膜的輪廓的方法。每個間隔結構包含頂部場區(top?field)和一個或更多個側壁。該...

各種實施方案包括熱和揮發性有機化合物檢測系統。在一個示例中，熱檢測系統包括至少一個安裝在例如本地電源箱(LPB)之類的設備外部的熱傳感器。熱傳感器具有檢測區域以檢測從LPB的至少一個面在一個或多個位置處發出的熱量。熱檢測系統還包括在LP...

提供了一種在堆疊件中蝕刻特征的方法，所述堆疊件包括在襯底上的介電材料。在步驟(a)中，由蝕刻氣體產生蝕刻等離子體，將所述堆疊件暴露于所述蝕刻等離子體，并且部分地蝕刻所述堆疊件中的特征。在步驟(b)中，在步驟(a)之后提供原子層沉積工藝以...

提供用任選地經摻雜的硅氧化物膜以填充具有中等深寬比且大關鍵尺寸的半導體襯底特征的低壓化學氣相沉積方法和裝置。用于沉積的前體包括具有至少一個大體積取代基的硅前體和氨基硅烷。該方法可額外包括周期性等離子體處理和/或蝕刻。

一種用于調整處理的系統，該處理在處理模塊中的襯底上執行，該系統包含：提供執行該處理的步驟的第一控制器；該處理模塊的多個設備，其連接到第一網絡并執行與該處理相關聯的操作；以及包含接口和處理器的第二控制器。該接口經由該第一網絡接收來自該多個...

所公開的示例涉及使用ALD沉積處理的抑制劑來以介電間隙填充材料填充溝槽特征。一個示例提供了一種處理包括深溝槽特征的襯底的方法。深溝槽特征包括具有內凹特征的多晶硅表面。方法包括執行抑制循環，抑制循環包括在襯底上沉積抑制劑，沉積條件為在溝槽...

至少一實現方案描述了包含陰極的電解拋光裝置，陰極具有寬度和長度。在至少一實現方案中，陰極周圍有電介質。在至少一實現方案中，電介質至少部分地沿著陰極的長度延伸。在至少一實現方案中，陰極包含超彈性金屬合金。在至少一實現方案中，電介質包含功能...