一種處理襯底的方法包含：將襯底設置在處理室中。將汽化溶劑和包含所述溶劑的氣體混合物中的至少一者供應至所述處理室，以在所述襯底的暴露表面上形成所述溶劑的保形液體層。將所述汽化溶劑及所述氣體混合物中的所述至少一者從所述處理室中移除。將包含鹵...

在一些示例中，一種晶片翹曲測量系統，其包括測量單元，該測量單元包括：晶片支撐組件，其用于將旋轉運動傳遞給被支撐在所述測量單元中的被測晶片；光學傳感器；用于校準所述光學傳感器的校準標準件；線性平臺致動器，其用于將線性運動方向傳遞給所述光學...

一種處理半導體襯底的系統包含：襯底支撐件組件，其被配置成支撐所述半導體襯底。所述襯底支撐件組件包含：M個電阻加熱器，其被分別設置于所述襯底支撐件組件的層中的M個區段中，其中M為大于1的整數。所述層鄰近于所述半導體襯底。所述襯底支撐件組件...

一種處理室(例如等離子體蝕刻室)可執行沉積和蝕刻操作，其中沉積和蝕刻操作的副產物可能在與處理室流體耦合的真空泵系統中積聚。真空泵系統可具有多個粗抽泵，使得蝕刻氣體可被分流至一粗抽泵而沉積前體可被分流至另一粗抽泵。分流管線可將未使用的沉積...

一種用于等離子體系統的襯底支撐件包含第一層，其由陶瓷制造，并且具有第一表面以及與所述第一表面相反的第二表面。所述第一層被設置成在處理期間將襯底支撐于所述第一表面上。熱加熱元件被嵌入所述陶瓷內。溫度傳感器被嵌入所述陶瓷內。導電墊片經由嵌入...

用于襯底處理系統的噴頭包括第一板和面板。第一板包括具有第一長度的第一多個氣體通道以及具有第二長度的第二多個氣體通道，第二長度大于第一長度。第一多個氣體通道和第二多個氣體通道以交替的順序從第一板的中心徑向地朝第一板的外徑延伸。面板耦合至第...

一種襯底處理室包括井、設置在井中的基座以及設置在井中圍繞基座的擋板。井是由底部以及從底部豎直向上延伸的側壁限定。井包括靠近井的底部的多個排放口。基座包括底座部和桿部。擋板包括側壁和在側壁上的多組開孔。擋板被配置為引導供應到襯底處理室的氣...

本發明提供半導體處理工具的改良，其以可用于產生可接著流至半導體晶圓上的等離子體的射頻透射圓頂結構為特征。此類改良可包括被配置成冷卻此類圓頂結構的冷卻系統。冷卻系統可在至少兩個不同冷卻模式之間切換—一者是冷卻系統以第一速率冷卻圓頂結構，而...

提供了用于襯底處理中，例如在半導體制造應用中的動態工藝控制的方法和系統。提供了一些示例系統和方法，其用于原子層沉積(ALD)工藝中的高級監控和機器學習。一些示例還涉及用于室參數匹配和氣體管線填充時間的動態工藝控制和監控。

一種襯底處理系統包括處理室以及用于產生RF功率的RF產生器。匹配網絡與RF產生器連接。N個螺旋線圈連接到匹配網絡且包括M匝，其中N和M為大于1的整數。N個螺旋線圈圍繞處理室的外表面對稱地相互纏繞。N個螺旋線圈并聯連接到匹配網絡。

芯部材料的圖案形成在晶片上，以包含具有關鍵尺寸的芯部特征。修整量指示待從芯部特征的豎直定向表面移除的平均厚度量。修整輪廓指示，從芯部特征的豎直定向表面的厚度移除的變化的多少被應用作為晶片上的徑向位置的函數。第一組數據將修整量與一或多個等...

一種方法包括：在電介質層上沉積阻擋層，以防止由于所述電介質層中存在氧化物而導致待通過電鍍而沉積的金屬層氧化；以及在所述阻擋層上沉積摻雜的襯里層，以與待通過所述電鍍而沉積在所述襯里層上的所述金屬層結合。當在所述電鍍之前所述襯里層的表面暴露...

使靜電卡盤RF濾波器箱與基座升降器電耦合的設備與方法。該RF濾波器箱具有接觸塊以及位于該RF濾波器箱的外配合表面上的至少一對準特征。該接觸塊包含自對準電連接器，以及該對準特征被設置成將自對準電連接器與該基座升降器的架上的對應電連接器對準...

提供了一種用于等離子體輔助的半導體處理的方法和裝置。該方法包括：a)在所述多個站中的每個站處提供襯底；b)將包括第一目標頻率的RF功率分配給多個站，從而在所述站內產生等離子體，其中，根據配置為減小站與站之間的變化的RF功率參數來分配所述...

在一些示例中，一種用于調節晶片處理室的方法包括：將所述室中的壓強設定至預定壓強范圍；將所述室中的溫度設定至預定溫度范圍；并且將處理氣體混合物供應至所述室內的氣體分配裝置。在所述室內點燃等離子體并且監控所述室中的狀態。基于檢測到所監控的所...

提供了一種用于等離子體輔助的半導體處理的方法和裝置。該方法包括：a)在所述多個站中的每個站處提供襯底；b)將包括第一目標頻率的RF功率分配給多個站，從而在所述站內產生等離子體，其中，根據配置為減小站與站之間的變化的RF功率參數來分配所述...

一種減少在存儲器單元中的字線撓曲的方法包含：a)提供襯底，所述襯底包括多個字線，所述多個字線被配置成彼此相鄰并且在多個晶體管上方；b)使用沉積工藝在所述多個字線上沉積膜層；c)在沉積所述膜層之后，測量字線撓曲；d)將所述字線撓曲與預定范...

圖案化的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)堆疊件通過進行主蝕刻蝕穿設置在襯底上的多個MRAM層而形成，其中該主蝕刻包含使用離子束蝕刻(IBE)。在主蝕刻之后，將間隙填充介電材料沉積至圖案化的MRAM堆疊件之間的空間中，并且選擇性蝕刻間隙填充...

提供旋轉分度器，所述旋轉分度器可以旋轉以在以圓形陣列布置的各種站之間移動半導體晶片或其他物品；在這種移動過程中，被移動的物品可以由所述分度器的臂支撐。所述旋轉分度器可被進一步配置為還使被移動的所述物品圍繞其他旋轉軸旋轉，以引起所述物品相...

本發明公開了用于高對流連續旋轉鍍覆的流輔助動態密封件。一種用于電鍍半導體晶片的設備包含被配置成圍繞處理區域的嵌入構件。所述嵌入構件具有頂表面。所述嵌入構件的所述頂表面的一部分具有向上斜坡，其從所述嵌入構件的所述頂表面的周邊區域朝所述處理...