本發明涉及一種用于表面聲波器件的混合結構體(10)，其包括與載體襯底(5)連接的壓電材料的有用層(1)，所述載體襯底(5)的熱膨脹系數低于所述有用層(1)的熱膨脹系數；所述混合結構體(10)包括位于所述有用層(1)和所述載體襯底(5)之...

本發明涉及一種用于表面聲波器件或體聲波器件的襯底(1)，該襯底(1)包括支撐襯底(11)和所述支撐襯底上的壓電層(10)，其特征在于，支撐襯底(11)在加強襯底(110)上具有半導體層(111)，該加強襯底(110)的熱膨脹系數比硅的熱...

本發明涉及用于制造混合結構(60)的方法，該混合結構包括具有有效厚度并且設置在支承基板(1)上的壓電材料的有效層(20)，該支承基板具有基板厚度和低于該有效層(20)的熱膨脹系數的熱膨脹系數，該方法包括以下步驟：a)設置粘合結構的步驟，...

本發明涉及一種包括異質結構(5)的用于聲波裝置的復合結構(9)，其包括：具有第一面和第二面的壓電材料的有用層(2)，第一面布置在支撐基材(1)上的第一結合界面處，所述支撐基材(1)具有比有用層(2)的熱膨脹系數低的熱膨脹系數，復合結構(...

本發明涉及測量多層半導體結構體的第一層的厚度變化的方法，其包括：?用圖像采集系統采集所述結構體的表面的至少一個區域的圖像，所述圖像通過在所述結構體的表面的所述區域上反射準單色光通量而獲得；?處理所述采集的圖像以便由表面的所述區域反射的光...

本發明涉及一種轉移方法，該轉移方法包括以下步驟：a、提供中間基板(10)，該中間基板(10)在其一個表面上包括多個塊(20)，所述塊(20)由單晶材料制成，所述塊(20)包括脆化區域(50)，該脆化區域(50)限定旨在用于被轉移到最終基...

本發明涉及一種具有收集器裝置的熱處理系統(100)，所述熱處理系統(100)包括能夠接收多個基板(10)的腔室(2)、位于所述腔室(2)的遠側部分中的進氣路徑(5)以及位于所述腔室(2)的近側部分中的用于氣體和/或在熱處理期間產生的揮發...

本發明涉及一種用于制造襯底的方法，該方法包括以下步驟：(a)提供具有第一熱膨脹系數的支撐襯底(10)，該支撐襯底具有在其面中的一個面上的沿第一方向的平行的第一多個溝槽(12)和沿第二方向的平行的第二多個溝槽(13)；(b)從施主襯底(3...

本發明涉及一種異質結構，尤其是壓電結構，其包括覆蓋層，尤其是壓電材料層，該覆蓋層的材料具有第一熱膨脹系數，并被裝配到支撐基板，該支撐基板具有與第一熱膨脹系數顯著不同的第二熱膨脹系數，其中在交界面處，覆蓋層包括從該交界面延伸到該覆蓋層中的...

本發明涉及一種用于制造半導體元件的工藝，所述工藝包括基板的快速熱處理階段，所述基板包括電荷俘獲層，所述快速熱處理階段能夠損壞基板的RF特性。根據本發明，快速熱處理階段之后是在700℃至1100℃之間的、達至少15秒的時間段的基板的恢復熱...

本發明涉及一種用于制備結構的方法，該包括：a)提供包括正面和背面的供體襯底；b)提供支撐襯底；c)在供體襯底的正面上或者在支撐襯底上形成中間層；d)組裝供體襯底和支撐襯底，以便將中間層設置在供體襯底和支撐襯底之間；e)減薄供體襯底的背面...

本發明涉及包括在熱處理期間使絕緣體上硅結構體的表面暴露于惰性或還原性氣體流和高溫的使所述絕緣體上硅結構體平滑的方法，所述方法包括：在第一溫度和由第一流速限定的第一氣體流下的第一熱處理步驟；值得注意的是，所述方法包括：在低于第一溫度的第二...

用于檢測缺陷的方法和關聯裝置。本發明涉及確定在結構的頂側中的空洞型缺陷的尺寸的方法，該結構包括被放在基板上的頂層，該缺陷位于頂層中；該方法包括：a)將結構引入到反射暗場顯微鏡裝置中以根據由頂側散射的光線生成缺陷相關第一信號和粗糙度相關第...

用于檢測缺陷的方法和關聯裝置。本發明涉及確定在結構的頂側中的空洞型缺陷的尺寸的方法，該結構包括被放在基板上的頂層，該缺陷位于頂層中；該方法包括：a)將結構引入到反射暗場顯微鏡裝置中以根據由頂側散射的光線生成缺陷相關第一信號和粗糙度相關第...

本公開涉及半導體結構及其制造方法。該方法包括在第一元件的主表面上形成至少基本上由第一III?V材料構成的第一接合層，以及在第二元件的主表面上形成至少基本上由第二III?V材料構成的第二接合層。第一接合層和第二接合層設置在第一元件和第二元...

本發明涉及一種用于射頻應用的結構體(100)，包括：單晶襯底(1)，直接位于所述單晶襯底(1)上的多晶硅層(2)，在所述多晶硅層(2)上的有源層(3)，其旨在容納射頻部件，所述結構體的特征在于，從所述多晶硅層(2)與所述單晶層的界面(I...

半導體結構的制造方法涉及具有不同應力/應變狀態的finFET的鰭的形成。可采用一種應力/應變狀態的鰭形成n型finFET，可采用另一種應力/應變狀態的鰭形成p型finFET。具有不同應力/應變狀態的鰭可通過半導體材料的公共層制造。通過使...

用于從單晶襯底轉移層的方法。本發明涉及一種用于將層(11)從稱為施主襯底(1)的單晶襯底轉移至受主襯底(2)上的方法，該方法包括以下步驟：提供所述單晶施主襯底(1)，所述襯底具有在晶體的第一方向上定向的凹口和限定將被轉移層(11)的弱區...

高電阻率絕緣體上半導體襯底及其制造方法和半導體器件。本發明涉及一種用于制造高電阻率絕緣體上半導體襯底的方法，該方法包括以下步驟：a)在高電阻率襯底1上方形成介電層2和半導體層3，使得介電層2被設置在高電阻率襯底1與半導體層3之間；b)在...

用于機械地分離層的方法。用于雙層轉移的機械分離的方法。本發明涉及一種用于機械地分離層的方法，特別是在雙層轉移工藝中。本發明更具體地涉及一種用于機械地分離層的方法，所述方法包括以下步驟：設置包括處理襯底的層(204)以及具有前主側(209...