本發(fā)明涉及一種在具有非平坦表面的支撐件(20)上制造膜(12)的方法，其特征在于，該方法包括：?供應具有非平坦表面的供體襯底(10)，?在供體襯底(10)中形成脆化區(qū)(11)以界定待轉移的所述膜(12)，?在待轉移的膜(12)的非平坦表...

在單晶片清潔器中處理SOI襯底的方法。本發(fā)明涉及在單晶片清潔器中處理SOI襯底(1)的方法，所述清潔器包括：用于夾持襯底(1)的系統(tǒng)，該系統(tǒng)能夠進行旋轉運動；第一噴嘴(10)，所述第一噴嘴(10)用于在襯底(1)的正面(1a)上方以噴霧...

將包含第一材料的薄層(3)轉移到包含第二材料的支撐襯底(7)上的方法，第一材料和第二材料具有不同的熱膨脹系數(shù)。轉移薄層(3)的方法包括：提供供體襯底(1)，該供體襯底由處置襯底(1b)以及通過第一材料形成的厚層(1a)的組裝件構成，處置...

本發(fā)明涉及一種用于使在涂覆有電絕緣層(2,2b)的半導體襯底(1)上形成的射頻電路(L)中傳播的射頻信號的諧波失真和/或互調失真最小化的方法，其中，表示所述失真隨著輸入或輸出信號的功率而變化的曲線在給定功率(P

本發(fā)明涉及一種用于制備支撐件(1)的方法，該方法包括：將襯底(3)放置在沉積系統(tǒng)的腔室中的承托件上，承托件具有不被襯底覆蓋的暴露表面；使包含碳的前體在沉積溫度下流入腔室，以便在襯底的暴露面上形成至少一層(2a、2b)，而同時在承托件的暴...

公開了一種用于調節(jié)在室溫下具有第一應力狀態(tài)的壓電膜(4)的應力狀態(tài)的方法，所述方法包括形成組件(1)的步驟，該組件(1)包括具有熱膨脹系數(shù)的載體(2)、置于該載體上的柔性層(3)以及置于該柔性層上的所述壓電膜(4)，所述壓電膜具有與所述...

本發(fā)明涉及一種用于形成光電器件的生長基板(1)，其包括生長介質(2)以及設置在該生長介質(2)上的具有第一晶格參數(shù)的第一組晶體半導體島狀物(3a)以及具有不同于第一晶格參數(shù)的第二晶格參數(shù)的第二組晶體半導體島狀物(3b)。本發(fā)明還涉及一種...

本發(fā)明涉及一種絕緣體上半導體型結構，特別是用于正面型成像器的絕緣體上半導體型結構，該絕緣體上半導體型結構從其背面到其正面依次包括半導體支撐襯底(1)、電絕緣層(2)以及稱為有源層的單晶半導體層(3)，其特征在于，所述有源層(3)由相對于...

本發(fā)明涉及一種制備晶體半導體層以使該層被提供有特定晶格參數(shù)的方法。所述方法涉及將松弛過程第一次應用到第一初始供體襯底(1)上以便獲得第二供體襯底(5)。以第二供體襯底(5)作為初始供體襯底(1)來將該松弛過程重復使松弛層的晶格參數(shù)被提供...

本發(fā)明涉及一種用于在供體襯底(1)內部形成預定分離區(qū)(19)的工藝，該供體襯底特別地將用在將層轉移到載體襯底上的工藝中。此工藝包括注入步驟(17)，該注入步驟(17)被執(zhí)行，使得所述供體襯底(1)的邊緣區(qū)(5)中的注入劑量(25)低于所...

本發(fā)明涉及一種用于射頻應用的結構(100)，該結構(100)包括：高電阻率支撐襯底(1)，該襯底的前表面(1a)限定主平面；電荷俘獲層(2)，該電荷俘獲層(2)布置在所述支撐襯底(1)的所述前表面(1a)上；第一介電層(3)，該第一介電...

本發(fā)明涉及一種具有六方晶體結構的第IV族材料(特別是石墨烯)的二維膜的制造方法，所述方法包括：?形成生長襯底(100)，包括將適合所述二維膜生長的單晶金屬膜(1)轉移到支持襯底(2)上，和?在所述襯底(100)的金屬膜上外延生長所述二維...

本發(fā)明涉及一種用于半導體結構的支撐件(1)，所述支撐件(1)包括：基礎襯底(3)；第一二氧化硅絕緣層(2a)，所述第一二氧化硅絕緣層(2a)被設置在所述基礎襯底(3)上并且厚度大于20nm；以及電荷俘獲層(2)，所述電荷俘獲層(2)具有...

半導體結構及其制造方法、使用該半導體結構的器件。本發(fā)明涉及一種用于制造半導體結構的方法，該半導體結構包括半導體層和金屬層，所述方法包括以下步驟：a)提供包括缺陷和/或位錯的半導體層，b)移除在缺陷和/或位錯的一個或多個位置處的材料，從而...

本發(fā)明涉及一種用于正面型圖像傳感器的襯底，所述襯底依次包括支撐半導體襯底(1)、電絕緣層(2)以及被稱為有源層的半導體層(3)，其特征在于，所述有源層(3)是硅鍺的外延層，所述有源層的鍺含量小于10％。本發(fā)明還涉及制造這種襯底的方法。

本發(fā)明涉及豎爐，該豎爐包括：腔室，該腔室旨在容納裝料柱(3)；新鮮氣體入口通道，該新鮮氣體入口通道被定位在腔室的上端處，裝料柱(3)，該裝料柱包括上部(3b)和用于支承多個基板的中部(3a)，該豎爐特征在于該豎爐還包括俘獲裝置(100)...

本發(fā)明涉及一種用于在絕緣體上硅晶圓中溶解埋置氧化物的方法，該方法包括以下步驟：設置絕緣體上硅晶圓(100、300、400、500)，該絕緣體上硅晶圓具有經由埋置氧化物層(102、302、402、502)附接至載體襯底(103、303、4...

本發(fā)明涉及一種正面型圖像傳感器，包括：襯底，所述襯底依次包括P?型摻雜半導體支撐襯底(1)、電絕緣層(2)和被稱作有源層的半導體層(3)；以及位于所述襯底的所述有源層中的光電二極管的矩陣陣列，其特征在于，所述襯底在所述支撐襯底(1)與所...

本發(fā)明涉及用于制造由III?V族材料(6)制成的至少一個有源層的結構(10)，該結構(10)包括襯底，該襯底由具有主面的載體(2)、位于所述載體的所述主面上的介電層(3)以及直接位于所述介電層(3)上的多個單晶半導體島(4)構成，島(4...

本發(fā)明涉及用于制造半導體結構的方法和光子器件，其中，方法包括以下步驟：在載體襯底(101)上方設置氮化硅構圖層(102)；在氮化硅構圖層(102)上設置第一保形氧化物層(103)，使得其完全覆蓋所述氮化硅構圖層；以及將第一保形氧化物層(...