本發明涉及一種用于將離子或原子核素注入到由半導體材料制成的一批襯底中的方法，其中：-由半導體材料制成的各個襯底被定位于批處理注入機的相應支架上，各個襯底包括在其表面上的電絕緣體的薄層，以及-一劑至少一個離子或原子核素通過所述襯底的絕緣體...

本發明涉及用于制造多結太陽能電池裝置的方法，該方法包括以下步驟：設置最終基礎襯底；設置包括第一拉鏈層與第一晶種層的第一創制襯底；設置第二襯底；將第一晶種層傳送至所述最終基礎襯底；在將所述第一晶種層傳送至所述最終基礎襯底后，在所述第一晶種...

本發明涉及一種用于制造多結太陽能電池裝置的方法，該方法包括以下步驟：設置第一基板；設置具有下表面和上表面的第二基板；在所述第一基板上形成至少一個第一太陽能電池層，以獲得第一晶片結構；在所述第二基板的所述上表面上形成至少一個第二太陽能電池...

本發明涉及查找表架構和包括查找表架構的FPGA；該查找表架構(6000)包括：寄存器組(6200、6300)，該寄存器組(6200、6300)包括多個寄存器，該多個寄存器被配置為發出寄存器信號；以及可編程邏輯(6100)，該可編程邏輯(...

本發明的方法包括如下步驟：提供支撐襯底(2)和供體襯底(3)，在所述供體襯底(3)中形成脆性區域(4)，以便在所述脆性區域(4)的任一側上劃分出所述供體襯底(3)的第一部分(30)和第二部分(31)，在所述支撐襯底(2)上組裝所述供體襯...

本發明涉及一種復用器(1000)，所述復用器(1000)至少包括：第一輸入端(1051)和第二輸入端(1052,1053,1054)；以及一個輸出端(1041)，其經由第一通柵(1031)連接到所述第一輸入端，并且經由第二通柵(1032...

本發明涉及一種使襯底的活性硅層(2)薄化的方法，所述襯底包括在活性層(2)和支持物(3)之間的絕緣層(4)，所述方法包括一個通過犧牲性熱氧化形成犧牲氧化物層(20)并對所述層(20)進行去氧化從而對活性層(2)進行犧牲性薄化的步驟。所述...

本發明涉及一種測試絕緣體上半導體型結構的方法，該絕緣體上半導體型結構包括支撐基板(3)、具有小于50nm的厚度的介電層(2)和半導體層(12)，所述結構包括所述介電層(2)與所述支撐基板(1)之間或者所述介電層(2)與所述半導體層(12...

本發明涉及一種查找表(1000)，所述查找表包括：多個寄存器信號(r0-r3)；多個輸入信號(A、A'、B、B')；至少一個輸出信號(Y)；以及多個通柵(1111-1114)，其中，所述多個通柵中的至少第一通柵(1111)通過所述多個輸...

制造半導體器件的方法包括以下步驟：在晶體硅層的一部分中形成金屬硅化物；以及使用相對于所述晶體硅對所述金屬硅化物有選擇性的蝕刻劑來蝕刻所述金屬硅化物，以設置薄晶體硅層。可以通過以下步驟形成絕緣體上硅(SOI)基板：在晶體硅層與基底基板之間...

發射輻射的半導體器件包括：第一基底區，該第一基底區包括n型III-V半導體材料；第二基底區，該第二基底區包括p型III-V半導體材料；以及多量子阱結構，該多量子阱結構被布置在所述第一基底區與所述第二基底區之間。所述多量子阱結構包括至少三...

本發明涉及用于制造半導體襯底(1)的工藝，其特征在于，該工藝包括以下步驟：提供至少一個施主半導體襯底(2)，該施主半導體襯底(2)包括至少一個有用硅層(3)；經由檢驗機(4)對該施主襯底(2)進行檢驗，以便檢測該有用層(3)是否包含尺寸...

本發明涉及一種制造用于半導體器件的基板的方法，用于半導體器件的基板包括具有不同電特性的第一層(5)與第二層(7)之間的界面區(9)、以及暴露表面(13)，其中至少第二層(7)包括多個缺陷和/或位錯，該方法包括以下步驟：a)移除缺陷和/或...

三態門、包括三態門的電路和半導體結構。本發明涉及一種三態門(1000，2000)，包括輸出端(1400)和至少兩個晶體管(1200，1300；2200，2300)，每一個晶體管都具有至少第一柵極和第二柵極，被配置為使得通過控制晶體管中的...

本發明涉及一種用于制造包括半導體層(5)和金屬層(7)的半導體結構的方法，以改進器件的擊穿電壓性質并減少漏電流，所述方法包括以下步驟：a)提供包括缺陷和/或位錯的半導體層；b)移除在缺陷和/或位錯的一個或多個位置處的材料，從而在半導體層...

本發明使用原子層沉積(ALD)或類ALD沉積方法來制造稀釋氮化物III-V族半導體材料。可以使第一組成的處理氣體流入沉積腔室，并使氮以外的V族元素和一種或多種III族元素吸附在襯底上(以原子或分子形式)。然后，可以使第二組成的處理氣體流...

本發明的稀釋氮化物III-V族半導體材料可以通過以下方式形成：用As原子取代預先形成的氮化物材料中的部分N原子從而將預先形成的氮化物的至少一部分轉變為包含砷的稀釋氮化物III-V族半導體材料。此種方法可以用于制造光敏器件，如光伏電池和發...

本發明涉及一種位于下述結構體中的鍵合界面的穩定化方法，所述結構體應用于電子學、光學和/或光電子學領域，并包含在活性層和受體襯底之間的隱埋氧化物層，所述鍵合界面通過分子粘附獲得。根據本發明，所述方法要包括用由激光提供的光能流照射所述結構體...

一種半導體結構(1300)，其包括：第一半導體層；體半導體層；在所述第一半導體層與所述體半導體層之間的絕緣層；至少部分地在所述絕緣層內的第一注入區(1220)；以及至少部分地在所述體半導體層內的第二摻雜區(1310)；其中，所述第一注入...

本發明公開了將半導體材料層從第一施主結構轉移至第二結構的方法，該方法包括以下步驟：在第一施主結構內形成由其中的植入的離子限定的大致平坦的弱化區。植入的離子的濃度和植入的離子的元素成分的至少一方可以形成為在整個大致平坦的弱化區上橫向地變化...