一種用于重復利用支撐襯底（25）的處理，該支撐襯底（25）的材料對于至少電磁輻射波長基本上透明，所述處理包括以下步驟：a）提供初始襯底（10）；b）在所述支撐襯底（25）的具有初始粗糙度的結合面上形成（S1）中間層（15），所述中間層（...

本發明的實施方式涉及用于制造半導體結構體的方法和結構體，所述半導體結構體含有至少一個接合層(106)以使兩個以上元件(102、114)彼此連接。所述至少一個接合層可以至少基本上由鋅、硅和氧構成。

本發明涉及一種用于電子功率組件、光電組件或者光伏組件的制造的異質結構(1)，其包括：電阻率小于10-3ohm.cm并且熱導率大于100W.m-1.K-1的支撐基板(10)、接合層(2)、AlxInyGa(1-x-y)N的單晶晶種層(3)...

本發明涉及一種具有平滑表面的半導體結構和用于獲得該結構的處理。用于使半導體晶圓的表面平滑的處理包括通過利用熔融束掃描所述表面使所述表面熔融，其特征在于，所述處理包括：定義基準長度；調整所述熔融束的參數，從而在對所述表面的掃描期間，使所述...

本發明涉及一種用于在絕緣體上半導體型結構的制造過程中控制絕緣體上半導體型結構中的應力的分布的方法，該結構包括位于支撐基板(1)上的半導體材料的薄層(3)，絕緣層(2，4)存在于支撐基板(1)的前面和后面中的每一個上，前面上的所述絕緣層(...

本發明涉及一種為了從基片(1)剝離膜(1’)而使該基片裂開的工藝，該工藝包括下列連續步驟：(i)形成所謂的應力產生結構(2)，該應力產生結構局部結合至所述基片(1)的表面，并且設計成在熱處理的作用下在平行于所述基片(1)的表面的平面中膨...

半導體結構直接鍵合在一起的方法和鍵合的半導體結構。本發明的實施方式包括將半導體結構直接鍵合在一起的方法。在一些實施方式中，帽層可以設置在半導體結構的直接鍵合的金屬特征部之間的界面處。在一些實施方式中，雜質設置在半導體結構的直接鍵合的金屬...

一種用于制造各個微電子器件，例如表面聲波器件，的組件和方法使用一個非導體材料的整體陣列，該陣列帶有多個隔開的延伸到該陣列內的空腔，每個空腔帶有一個尺寸定成容納一個要在其中密封的蓋的凹槽。從每個空腔的內部到該陣列的一個表面設置導電路徑，以...

一種表面聲波器件，包含單晶ＬｉＴａＯ＃－［３］的壓電襯底和設置在壓電襯底表面上形成諧振器的電極圖形，電極圖形具有在襯底表面上激勵的表面聲波的聲波波長的大約１％至１５％范圍內的電極厚度。壓電襯底具有由歐拉角（λ，μ，θ）限定的非對稱取向，...