本發明涉及一種用于在絕緣體上硅晶圓中溶解埋置氧化物的方法，該方法包括以下步驟：設置絕緣體上硅晶圓(100、300、400、500)，該絕緣體上硅晶圓具有經由埋置氧化物層(102、302、402、502)附接至載體襯底(103、303、4...

本發明涉及一種正面型圖像傳感器，包括：襯底，所述襯底依次包括P?型摻雜半導體支撐襯底(1)、電絕緣層(2)和被稱作有源層的半導體層(3)；以及位于所述襯底的所述有源層中的光電二極管的矩陣陣列，其特征在于，所述襯底在所述支撐襯底(1)與所...

本發明涉及用于制造由III?V族材料(6)制成的至少一個有源層的結構(10)，該結構(10)包括襯底，該襯底由具有主面的載體(2)、位于所述載體的所述主面上的介電層(3)以及直接位于所述介電層(3)上的多個單晶半導體島(4)構成，島(4...

本發明涉及用于制造半導體結構的方法和光子器件，其中，方法包括以下步驟：在載體襯底(101)上方設置氮化硅構圖層(102)；在氮化硅構圖層(102)上設置第一保形氧化物層(103)，使得其完全覆蓋所述氮化硅構圖層；以及將第一保形氧化物層(...

本發明涉及一種用于制作成分AA’BO3的層的方法，其中，A由從以下元素選擇的至少一種元素構成：Li、Na、K、Ca、Mg、Ba、Sr、Pb、La、Bi、Y、Dy、Gd、Tb、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Ho、Zr、Sc、Ag、Tl，并...

本發明涉及一種將壓電層轉移到支撐基板上的方法。還涉及一種用于執行所述方法的至少一部分的分離室。本發明的將壓電層從供體基板分離到支撐基板上的方法包括以下步驟：a)在壓電供體基板中提供預定分裂區域；b)將壓電供體基板附接到支撐基板以形成復合...

本發明涉及一種用于將有用層(3)轉移到支撐體(4)上的方法，該方法包括以下步驟：通過將輕核素注入到第一襯底(1)中來形成脆化平面(2)，以便在該平面與所述第一襯底(1)的表面之間形成有用層(3)；將所述支撐體(4)施加到所述第一襯底(1...

本發明涉及一種用于表面聲波器件的混合結構(100)，所述混合結構(100)包括壓電材料的有用層(10)，所述有用層(10)具有自由的第一面(1)和設置在支撐襯底(20)上的第二面(2)，所述支撐襯底(20)具有低于所述有用層(10)的熱...

本發明涉及一種形成半導體結構的方法，所述方法包括：在選定條件下將氫物種和氦物種(例如離子)引入臨時支撐件(1)，以便在其中預定深度處形成弱化平面(2)，并定義所述臨時支撐件(1)的表面層(3)和剩余部分(4)；在所述臨時支撐件(1)上形...

本發明涉及一種用于修復組成ABO3的層(10)中的缺陷的方法，其中A由從以下各項中選擇的至少一種元素構成：Li、Na、K、H、Ca、Mg、Ba、Sr、Pb、La、Bi、Y、Dy、Gd、Tb、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Ho、Zr、Sc...

本發明涉及制造應變絕緣體上半導體襯底的方法，所述方法包括：(a)提供包括單晶半導體層(12)的供體襯底(1)；(b)提供包括應變單晶半導體材料的表面層(20)的接收襯底(2)；(c)使所述供體襯底(1)與接收襯底(2)接合，介電層(13...

本發明涉及制造應變絕緣體上半導體襯底的方法，所述方法包括：(a)提供包括單晶半導體層(13)的供體襯底(1)；(b)提供包括應變單晶半導體材料的表面層(20)的接收襯底(2)；(c)使所述供體襯底(1)與所述接收襯底(2)接合，介電層(...

本發明涉及一種用于半導體結構的支撐件(1)，該支撐件在基礎襯底(3)上包括電荷俘獲層(2)。俘獲層(2)由多晶主層(2a)和插在主層(2a)內或主層(2a)與基礎襯底(3)之間的至少一個中間多晶層(2b)構成，所述至少一個中間多晶層由硅...

本發明涉及一種用于在RF應用中使用的絕緣體上半導體襯底(1)，特別是一種絕緣體上硅襯底，包括位于硅支撐襯底(3)上方的半導體頂層(11)、掩埋氧化物層(9)和鈍化層(7)，并且涉及一種對應的方法。本發明還涉及一種RF器件(17)。另外在...

本發明涉及用于制造多結太陽能電池裝置的方法，該方法包括以下步驟：設置最終基礎襯底；設置包括第一拉鏈層與第一晶種層的第一創制襯底；設置第二襯底；將第一晶種層傳送至所述最終基礎襯底；在將所述第一晶種層傳送至所述最終基礎襯底后，在所述第一晶種...

本發明涉及一種用于確定供體基板(30)中的至少兩種原子物質的合適注入能量以形成限定待轉移到受體基板(10)上的單晶半導體層(32)的弱化區(31)的方法，包括以下步驟：(i)在供體基板(30)和受體基板(10)中的至少一個上形成介電層；...

工程襯底包括：由用于太陽能電池生長的第一半導體材料制成的種子層；在種子層上的第一鍵合層；由第二半導體材料制成的支持襯底；在支持襯底的第一側上的第二鍵合層；第一和第二鍵合層之間的鍵合界面；第一和第二鍵合層各自由金屬材料制成；其中，選擇工程...

一種加工基板，該加工基板包括：晶種層，該晶種層由用于生長太陽能電池的第一半導體材料制成；支撐基板，該支撐基板包括基底和在基底的第一側上外延生長的表面層，基底和表面層由第二半導體材料制成；直接鍵合界面，該直接鍵合界面在晶種層與表面層之間；...

本發明涉及制造作為單晶壓電層的層(10)的方法，其特征在于，該方法包括：?提供所述壓電材料的供體襯底(100)，?提供受體襯底(110)，?將稱為“胚層”(102)的層從所述供體襯底(100)轉移至受體襯底(110)，?對胚層(102)...

本發明涉及一種制造單晶層(10)的方法，其特征在于，該方法包括以下連續步驟：?提供包含具有ABO3組成的壓電材料的供體襯底(100)，其中，A由來自Li、Na、K、H、Ca的至少一種元素構成；B由來自Nb、Ta、Sb、V的至少一種元素構...