本發(fā)明提供了高級固體電解質(zhì)和制造方法。本發(fā)明涉及一種制造包含固體電解質(zhì)層的器件的方法，所述方法特征在于包括：提供包含結(jié)晶固體電解質(zhì)層的主體基板、將所述結(jié)晶固體電解質(zhì)層從主體基板轉(zhuǎn)移到受體基板。

用于轉(zhuǎn)移層的處理。本發(fā)明涉及一種用于使用臨時襯底(5)將有源層(2)轉(zhuǎn)移至最終襯底(4)的處理，所述有源層(2)包括具有特定表面形貌的第一側(cè)(1)，所述處理包括以下步驟：將所述有源層(2)的所述第一側(cè)(1)結(jié)合到所述臨時襯底(5)的一側(cè)...

半導體結(jié)構(gòu)的制造方法以及相關(guān)半導體結(jié)構(gòu)。形成半導體結(jié)構(gòu)的方法包括提供多層襯底，該多層襯底具有覆在位于埋置氧化物層之上的應(yīng)變主半導體層上的外延基層。使用外延基層內(nèi)的元素來改變多層襯底的第一區(qū)域內(nèi)的主半導體層中的應(yīng)變狀態(tài)，而不改變多層襯底的...

本發(fā)明涉及包含應(yīng)變狀態(tài)不同的晶體管通道的半導體結(jié)構(gòu)體的制造方法及相關(guān)的半導體結(jié)構(gòu)體，該制造方法包括在多層基片上的應(yīng)變半導體層的第二區(qū)域中注入離子，以使該應(yīng)變半導體的第二區(qū)域的一部分結(jié)晶態(tài)半導體材料非晶化，而不使該應(yīng)變半導體的第一區(qū)域非晶...

形成可用于形成微機電系統(tǒng)(MEMS)換能器的包括一個或更多個腔體(106)的半導體結(jié)構(gòu)的方法，涉及：在第一基板(100)中形成一個或更多個腔體；在所述一個或更多個腔體內(nèi)設(shè)置犧牲材料(110)；將第二基板(120)接合到所述第一基板的表面...

本發(fā)明涉及一種用于多個光伏電池的制造方法，該制造方法包括以下步驟：獲得相對于彼此以第一距離放置的多個光伏電池(8121-8124)；將伸展材料(1150)附接至所述多個光伏電池；以及使所述伸展材料伸展(S61)，使得所述多個光伏電池相對...

本發(fā)明涉及太陽能電池組件結(jié)構(gòu)(222)，所述太陽能電池組件結(jié)構(gòu)用于支撐聚光光伏電池結(jié)構(gòu)(3420)，并且包括半導體結(jié)構(gòu)和二極管，其中，半導體結(jié)構(gòu)包括：第一半導體區(qū)(2800)，所述第一半導體區(qū)的至少一部分用于放置聚光光伏電池結(jié)構(gòu)；以及第...

光敏器件包括活性區(qū)域，該活性區(qū)域被設(shè)置在第一電極和第二電極之間，并且被配置為吸收輻射并且在電極之間生成電壓。所述活性區(qū)域包括活性層，所述活性層包含展現(xiàn)出相對低的帶隙的半導體材料。所述活性層具有前表面以及在所述活性層的相對側(cè)的相對更粗糙的...

本發(fā)明涉及一種半導體結(jié)構(gòu)體，其包含位于多個InGaN層之間的有源區(qū)。所述有源區(qū)至少基本由InGaN組成。所述多個InGaN層包含至少一個包含InwGa1-wN的阱層以及臨近所述至少一個阱層的至少一個包含InbGa1-bN的勢壘層。在某些...

本發(fā)明涉及一種半導體結(jié)構(gòu)體，其包含位于多個InGaN層之間的有源區(qū)。所述有源區(qū)至少基本由InGaN組成。所述多個InGaN層包含至少一個包含InwGa1-wN的阱層以及臨近所述至少一個阱層的至少一個包含InbGa1-bN的勢壘層。在某些...

本發(fā)明涉及一種半導體結(jié)構(gòu)體，其包含位于多個InGaN層之間的有源區(qū)。所述有源區(qū)至少基本由InGaN組成。所述多個InGaN層包含至少一個包含InwGa1-wN的阱層以及鄰近所述至少一個阱層的至少一個包含InbGa1-bN的勢壘層。在某些...

本發(fā)明涉及一種轉(zhuǎn)移有用層的方法，具體涉及將有用層(3)轉(zhuǎn)移到支撐體(4)上的方法，所述方法包括以下主要步驟：-以在脆化面(2)和第一基板(1)的表面之間形成有用層(3)的方式，通過在第一基板(1)中植入輕物質(zhì)而形成脆化面(2)；-將支撐...

本發(fā)明涉及一種用于處理結(jié)構(gòu)的方法，所述結(jié)構(gòu)從其后側(cè)到其前側(cè)包括載體基板(4)、絕緣層(3)和有用層(2)，有用層(2)具有自由表面(S)，所述結(jié)構(gòu)放置在包含化學物種(6)的大氣中，化學物種(6)能夠與有用層(2)發(fā)生化學反應(yīng)；該處理方法...

本發(fā)明涉及一種eDRAM存儲元件，其包括：第一存儲節(jié)點(1120，1220)；位線節(jié)點(1040)，該位線節(jié)點(1040)用于存取存儲在所述存儲節(jié)點中的值；以及選擇晶體管(1130，1230)，該選擇晶體管(1130，1230)控制從位...

用以形成半導體設(shè)備的方法，該半導體設(shè)備包括集成電路以及與集成電路操作地聯(lián)接的微機電系統(tǒng)(MEMS)設(shè)備?？梢詫⒓呻娐返闹辽僖徊糠种圃煸诨宓谋砻嫔?，并且可以將MEMS設(shè)備形成在所述集成電路的所述至少一部分之上。所述MEMS設(shè)備可以與所...

本發(fā)明涉及一種用于測量多層半導體結(jié)構(gòu)的層的厚度變化的方法，其特征在于，該方法包括：借助圖像獲取系統(tǒng)來獲取所述結(jié)構(gòu)的表面的至少一個圖像，所述圖像是通過從所述結(jié)構(gòu)的表面反射近乎單色光通量而獲得的；對獲取的所述至少一個圖像進行處理，以基于從所...

一種用于制造結(jié)構(gòu)(3)的方法，該結(jié)構(gòu)依次包括支撐基板(2)、介電層(10)、有源層(11)、多晶硅的分離層(20)，該方法包括以下步驟：a)提供施主基板；b)在施主基板中形成脆變區(qū)域；c)提供支撐結(jié)構(gòu)(2)；d)在支撐基板(2)上形成分...

一種沉積系統(tǒng)，該沉積系統(tǒng)包括能夠在該沉積系統(tǒng)的腔室中可互換地使用的兩個或更多個氣體噴射器。所述氣體噴射器中的每個均可以被構(gòu)造成在基板支撐結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生一片流動氣體。這些片的流動氣體可以具有不同寬度，從而所述氣體噴射器可以與具有不同直徑的基板...

本發(fā)明涉及制造多個絕緣體上半導體結(jié)構(gòu)(200)的方法，該絕緣體是厚度小于50nm的二氧化硅層(202)，每個結(jié)構(gòu)(200)包括放置在二氧化硅層(202)上的半導體層(203)，該制造方法包括對多個結(jié)構(gòu)(200)進行熱處理的步驟，該熱處理...

本發(fā)明涉及用于在分離界面處分離由兩個基板形成的結(jié)構(gòu)的設(shè)備，該設(shè)備包括：支持部(1)；結(jié)構(gòu)保持構(gòu)件(2)，其安裝在支持部(1)上；工具(3)，其用于分離兩個基板，也安裝在支持部(1)上，裝置(4)，其用于移動分離工具(3)；和/或裝置(5...