本發明涉及一種形成在絕緣體上半導體基板上的光子電子集成電路芯片，該絕緣體上硅基板包括掩埋的介電層(11)和有源半導體層(12)，所述芯片包括電子電路部分(CE1、CE2)和用于互連電子電路部分的光子接口(IPI)，它們共同集成在有源層中...

本發明涉及一種制備鐵電材料的薄層(3)的方法，該方法包括提供薄層(3)的步驟，該薄層(3)具有露出的第一自由面(8)。該方法還包括通過離子蝕刻進行減薄的步驟，該步驟由蝕刻參數限定。根據本發明，蝕刻參數被選擇為使得薄層(3)的自由面(8)...

本發明涉及一種用于制造復合結構體的方法，該復合結構體包括位于多晶碳化硅的載體襯底上的單晶碳化硅的薄膜，該方法包括：a)提供具有正面和背面的初始單晶碳化硅襯底以及具有正面和背面的多晶碳化硅載體襯底的步驟，b)使初始襯底多孔化以至少在所述初...

本發明涉及一種制造包括置于多晶碳化硅載體襯底上的單晶碳化硅的有用層的復合結構的方法，方法包括：a)提供由多晶碳化硅制成的初始襯底的步驟，初始襯底具有正面并且在所述正面的平面中包括平均尺寸大于0.5μm的晶粒；b)在初始襯底上形成由多晶碳...

本發明涉及一種用于制造多晶碳化硅支撐襯底的方法，該方法包括以下步驟：a)在石墨或碳化硅晶種上生長初始多晶碳化硅襯底；在步驟a)結束時，所述初始襯底具有自由正面和與所述晶種接觸的背面，b)在所述初始襯底的正面上形成加強碳膜，所述初始襯底在...

本發明涉及一種制備具有電荷捕獲層的支撐襯底(1)的方法。該方法包括將單晶硅基底襯底(2)引入沉積設備的腔室中，并且在不將基底襯底(1)從腔室中取出的情況下，并且在使用載氣清掃腔室的同時，進行以下連續步驟：?通過在第一時間段內將反應氣體引...

本發明涉及一種采用諧振腔的表面聲波濾波器(1)，包括由基部基板(S3)和上部壓電層(S1)形成的復合基板(S)；放置在上層上的至少一個輸入電聲換能器(2a)和至少一個輸出電聲換能器(2b)；以及放置在輸入電聲換能器(2a)與輸出電聲換能...

本發明涉及一種用于光電應用的半導體結構(150)，其包括：?由晶體半導體材料制成的第一層(10)，所述層被放置在?包括或鄰近直接接合界面的中間層(50)上，中間層被放置在?由晶體半導體材料制成的第二層(40)上，半導體結構(150)的特...

本發明涉及一種用于將有用層(15)轉移到支撐襯底(20)的方法，該方法包括以下步驟：a)提供包括供體層(12)的供體襯底(10)；b)通過在供體層(12)中注入物種來形成弱化區(14)并利用弱化區(14)限定了有用層(15)；c)將支撐...

本發明涉及一種將原子物種注入到壓電襯底中的方法，該方法包含以下步驟：I)提供包括壓電部分(112、210、310)和導電部分(122、320)的襯底(100、200、300)；III)將具有導電部分(122、320)的襯底(100、20...

本發明涉及具有不同的熱膨脹系數的兩個襯底的組裝件。將包含第一材料的薄層轉移到包含第二材料的支撐襯底上的方法，第一材料和第二材料具有不同的熱膨脹系數。轉移薄層的方法包括：提供供體襯底，該供體襯底由處置襯底以及通過第一材料形成的厚層的組裝件...

用于生產多層結構

本發明涉及一種包括用于場效應晶體管的絕緣體上半導體襯底的NCFET晶體管，該NCFET晶體管從其基部到其表面依次包括：半導體載體襯底(1)；單個鐵電層(2)，其被布置成與載體襯底(1)直接接觸，該層被設計成被施加偏壓以形成負電容；以及半...

本發明涉及一種用于形成硅層的外延工藝的設置方法，其包括：a)在硅基晶片中選擇一種類型的測試襯底，所述測試襯底：具有比對于給定襯底直徑的通常厚度小20％至40％的厚度，和/或間隙氧濃度小于10ppma ASTM'79，和/或包含SOI堆疊...

本發明涉及一種制造半導體結構的方法，所述方法包括：a)提供由熱膨脹系數接近碳化硅的熱膨脹系數的材料制成的臨時襯底的步驟；b)在所述臨時襯底的正面上形成中間石墨層的步驟；c)將多晶碳化硅支撐層沉積在所述中間層上的步驟，所述支撐層的厚度介于...

本發明涉及一種用于射頻應用的支撐襯底(10)，該支撐襯底包括：

本發明涉及一種用于制造半導體結構的方法，該方法包括以下步驟：a)提供由半導體材料制成的工作層；b)提供由半導體材料制成的載體襯底；c)在工作層的待接合的自由面上和/或在載體襯底的待接合的自由面上淀積厚度小于50nm的膜，該膜由與工作層和...

本發明涉及一種供體襯底(100)，用于將第一材料制成的單晶薄層(1)轉移到受體襯底(2)上，所述供體襯底(100)具有正面(100a)和背面(100b)，并且包括：

本發明涉及一種制造用于外延生長基于鎵的III

本公開涉及一種復合結構(100)，該復合結構包括：－受體襯底(3)，其具有限定在所述襯底中并且沒有固體材料或填充有犧牲固體材料的至少一個空腔(31)；－置于所述受體襯底(3)上的單晶半導體層(1)，所述層在所述結構的整個范圍上具有自由表...