本發明涉及一種形成用于復合襯底的高電阻率處理襯底的方法，所述方法包括：

本發明涉及一種復合結構及相關制造方法，所述復合結構是包括異質結構(5)的用于聲波裝置的復合結構(9)，其包括：具有第一面和第二面的壓電材料的有用層(2)，第一面布置在支撐基材(1)上的第一結合界面處，所述支撐基材(1)具有比有用層(2)...

本發明涉及制造體聲波器件或表面聲波器件的方法以及由該方法獲得的體聲波器件或表面聲波器件。所述制造體聲波器件或表面聲波器件的方法包括在單晶壓電層(10)上形成電極(12,13)，該方法包括利用以下步驟來制造所述壓電層(10)：

本發明涉及一種制造復合結構的方法，所述復合結構包括布置在多晶SiC載體襯底上的單晶SiC的薄層，所述方法包括：

本發明涉及一種制造結構(1)的方法，該結構(1)包括轉移到設置有電荷俘獲層(3)的支撐體(2)上的薄層(5)，該方法包括以下步驟：

本發明涉及將塊(9)從供體襯底(1)轉移到受體襯底(20)的方法，該方法包括以下步驟：

本發明涉及一種用于制造絕緣體上半導體結構的方法，其包括以下步驟：設置供體襯底(1)，其包括限定待轉移層的弱化區；設置受體襯底(2)；通過發起從界面的外圍(11)的第一區域(13)開始的結合波(3)并且使該波朝向所述界面的外圍(11)的與...

一種用于待碎裂組件(1)的保持裝置(100)，其被設計為沿著待碎裂組件(1)的上部(7)和下部(8)之間限定的碎裂平面(4)分離，該保持裝置(100)包括：至少兩個凸耳(9)，其被配置為保持待碎裂組件(1)懸浮在基本上水平的保持位置，所...

本發明涉及一種用于碎裂多個晶圓組件(1)的系統，各個組件(1)的晶圓之一包括脆化面并且各個組件(1)包括周邊側槽，該裝置包括：

本發明涉及一種將有用層轉移到載體襯底上的方法，包括以下步驟：a)提供包括埋置弱化面的施主襯底，有用層由施主襯底的正面和埋置弱化面來界定；b)提供載體襯底；c)由施主襯底的正面將施主襯底沿接合界面結合到載體襯底以形成接合結構；d)對接合結...

本發明涉及制備單疇鐵電材料薄層的方法。所述方法包括：在鐵電供體基板的第一面中注入輕物質，以便形成脆弱平面并限定位于該脆弱平面與基板的第一面之間的第一層；借助于介電組裝層將供體基板的第一面與支承基板組裝在一起；以及在脆弱平面處使供體基板斷...

本發明涉及一種將有用層轉移到載體襯底上的方法，包括以下步驟：a)提供包括埋置弱化面的施主襯底，有用層由施主襯底的正面和埋置弱化面來界定；b)提供載體襯底；c)由施主襯底的正面將施主襯底沿接合界面結合到載體襯底以形成接合結構；d)對接合結...

本發明涉及一種將有用層轉移到載體襯底上的方法，包括以下步驟：a)提供包括埋置弱化面的施主襯底，有用層由施主襯底的正面和埋置弱化面來界定；b)提供載體襯底；c)由施主襯底的正面將施主襯底沿接合界面結合到載體襯底以形成接合結構；d)對接合結...

本發明涉及一種光電半導體結構(SC)，其包括設置在n型注入層(5)與p型注入層(7)之間的基于InGaN的有源層(6)，所述p型注入層(6)包括第一InGaN層(7a)以及設置在所述第一層(7a)上的第二層(7b)，所述第二層(7b)由...

本發明涉及一種光電子半導體結構(SC)，其包括設置在n型注入層(6)和p型注入層(7)之間的基于InGaN的有源層(5)，所述p型注入層(7)包括厚度為50nm至350nm的第一InGaN層(7a)和設置在第一層(7a)上的具有GaN表...

本發明涉及一種將表面層(10)轉移到包含腔(23)的載體基底(20)的方法，所述方法包括：?提供供體基底，?提供具有第一面并且包括腔(23)的載體基底(20)，每個腔在所述第一面處開口并且具有底部和周壁，?在所述腔(23)的至少一者中創...

本發明關注一種制造器件的方法，所述器件包括在有用腔上延伸的膜，所述方法包括：·提供通用結構，所述通用結構包括在主平面中延伸并被布置在支持基底的第一面上的表面層，所述支持基底包括在表面層下方開口的基本腔以及界定各個基本腔的隔離體，所述隔離...

本發明涉及一種用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底(1)，其包括：?硅載體襯底(2)，?布置在所述載體襯底上的電絕緣層(3)，?布置在所述電絕緣層上的單晶層(4)，所述襯底(1)的主要特征在于，其還包括布置在所述載體襯底(2)和所述電絕緣層...

所述方法包括以下步驟：

本發明涉及一種制造用于射頻應用的絕緣體上半導體結構的接收方襯底(30)的方法，方法包括以下步驟：?提供半導體襯底，所述半導體襯底包括由單晶材料制成的基底襯底(1)和設置在所述基底襯底(1)上的由多晶硅制成的電荷俘獲層(2)，?對所述電荷...