本發明涉及一種彈性表面波器件(100)，該彈性表面波器件包括壓電層(120)、嵌入該壓電層中的電極(150A、150B)以及承載該壓電層和該電極的襯底(130)，該襯底滿足以下兩個條件：該壓電層中具有電極的彈性模式的衰減小于0.1dB/...

一種表面波器件(200)，該表面波器件包括基板(210)；該基板的頂面上方的壓電層(240)；與該壓電層接觸的一對電極(250A、250B)，這兩個電極包括指狀物(252A、252B)，這些指狀物在相同方向上延伸以便形成這兩個電極的指狀...

本發明涉及一種用于在多個施主晶片(3)中形成薄弱面的注入輪(1)，該輪(1)包括主盤(1a)和多個晶片支撐件(2)，該多個晶片支撐件布置在主盤(1a)的一個面上，每個晶片支撐件(2)具有主體表面，該施主晶片(3)的所謂“背”面被放置在該...

本發明涉及一種用于將薄膜轉移到支撐襯底上的方法，該方法包括以下步驟：?提供粘結結構，該粘結結構包括供體襯底和支撐襯底，該供體襯底和該支撐襯底通過遵循沿著主平面延伸的粘結界面以它們的相應正面直接粘結來組裝，該供體襯底包括內埋易碎平面，該內...

本發明涉及制造包括位于接收襯底(3)上的至少兩個芯片(p11、p12、p13、p14)的結構的方法，所述方法包括：?通過將至少一個施主襯底(2)的至少一個片塊(P1、P2、P3)設置在支撐襯底(1)上來形成偽施主襯底(10)；?經由片塊...

本發明涉及一種絕緣體上壓電(POI)襯底(100)，包括支撐襯底(102)，特別地硅基襯底；壓電層(108)，特別地鉭酸鋰(LTO)或鈮酸鋰(LNO)層；夾在壓電層(108)和支撐襯底(102)之間的介電層(106)，特別地氧化硅層；以...

本發明涉及用于功率或射頻電子器件的基板，所述基板包括：·由多晶碳化硅制成的支撐基板(30)，所述支撐基板(30)具有正面(10)和背面(20)，所述支撐基板(30)是自支撐的，以及·在所述支撐基板(30)的正面(10)上延伸的單晶碳化硅...

本發明涉及一種用于制造微電子組件的復合結構，其包括設置在多晶碳化硅支撐襯底上的單晶薄膜，所述支撐襯底具有優選的晶體取向，其中：?C<subgt;422</subgt;織構系數小于30％；以及?C<subgt;220&l...

本發明涉及一種絕緣體上壓電(POI)基板(100)，該POI基板包括：具有第一聲阻抗的支承基板(102)；壓電層(104)，具體是由鉭酸鋰、鈮酸鋰、氮化鋁、鋯鈦酸鉛、硅酸鎵鑭或鉭酸鎵鑭形成；具有第二聲阻抗并且被夾設在壓電層(104)與支...

本發明涉及一種用于將薄膜轉移到支撐襯底上的方法，該方法包括：提供粘結組件，該粘結組件包括在供體襯底和該支撐襯底的相應正面處直接粘結而組裝的該供體襯底和該支撐襯底，接著是粘結界面，該粘結組件具有在此粘結界面內的局部未粘結區域，該供體襯底還...

本發明涉及一種用于制造雙絕緣體上半導體結構的方法，所述方法包括以下步驟：?提供第一供體襯底和處理襯底(1)，?在第一供體襯底中形成弱化區，以界定待轉移的第一半導體層(2b)，?將第一供體襯底接合到處理襯底(1)，第一電絕緣層(2a)位于...

本發明涉及一種用于制造雙絕緣體上半導體結構的方法，該結構從結構的背面到正面包括：處理襯底、第一電絕緣層(1b)、第一單晶半導體層(2)、第二電絕緣層(2b)和第二單晶半導體層(3)，該方法的特征在于它包括：?在處理襯底的正面和背面上形成...

本發明涉及一種將薄層轉移到支撐襯底上的方法，該方法包括以下步驟：?提供粘結結構，該粘結結構包括通過沿著粘結界面在其相應正面處直接粘結而組裝的供體襯底和該支撐襯底，該供體襯底包括內埋易碎平面，?對該粘結結構施加斷裂熱處理以引起沿著該內埋易...

本發明涉及一種在基板上制造包括至少兩個拼塊的結構的方法，所述方法包括以下步驟：?在支承基板(1、3、S)上放置至少兩個拼塊((P1、P2)，(P’1、P’2))，所述拼塊是按照與目標分布和/或幾何相比不正確的分布和/或幾何布置在所述支承...

本發明涉及一種制造用于將壓電層轉移至支承基板的供體基板的方法，該方法包括以下步驟：提供處理基板，特別是硅基基板；提供壓電基板；在處理基板或壓電基板上淀積聚合物層；在壓電基板的自由表面上形成中間層；按照使得形成在壓電基板上的中間層被夾在聚...

本發明涉及一種對基板進行處理的方法，所述方法包括：對第一基板進行處理的步驟，該步驟包括在執行熱處理的設備中執行的至少一個步驟，第一基板是由半導體材料或壓電材料制成的基板；通過對去污基板特別是硅基板進行熱處理來對執行熱處理的設備進行去污的...

本發明涉及一種制造供體基板的方法，所述方法包括以下步驟：A：提供操作基板，B：提供目標基板，C：將目標基板附接至操作基板，以及D：對附接至操作基板的目標基板進行研磨并且特別是機械研磨，以形成供體基板，所述方法的特征在于，在步驟C與步驟D...

本發明涉及制備設置有電荷俘獲層的載體基板(1)的方法。方法包括將表現出低于或等于500ohm.cm的電阻率的由單晶硅制成的基礎基板(2)放置在淀積設備的腔室中，并且在不從腔室中移除基礎基板(2)的情況下并且在用前驅氣體清掃腔室的同時執行...

本發明涉及一種用于制造半導體結構體的方法，該方法包括以下步驟：a)提供由單晶碳化硅制成的施主襯底和由碳化硅制成的載體襯底，b)制備待轉移的工作層，其包括：?在施主襯底的正面上注入輕物質，以便形成損傷曲線，該損傷曲線特別能夠通過盧瑟福背散...

本發明涉及一種用于保護表面波裝置的緊湊且堅固的封裝系統(1)。該封裝系統(10)包括：SAW裝置(3)；和密封圈(9)，其將第二基板(11)密封到SAW裝置(3)的底部基板(1)以形成腔體(13)；以及天線連接裝置(15)，其被布置在封...