本發(fā)明涉及一種用于生產(chǎn)器件(10)的方法，該器件包括懸于至少一個空腔(11)上方的壓電膜(14)，該方法包括：a)提供支撐襯底(1)，該支撐襯底配備有在該支撐襯底的正面(12)上開口的空腔(11)，所述空腔(11)具有大于30μm的橫向...

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(100)，其包括由單晶半導(dǎo)體材料制成并沿著主平面(x,y)延伸的有用層(10)、由半導(dǎo)體材料制成的支撐基板(30)以及在有用層(10)和支撐基板(30)之間的界面區(qū)域(20)，支撐基板平行于主平面(x,y)延伸...

本發(fā)明涉及一種制造用于外延生長氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)或氮化銦鎵(InGaN)層的襯底的方法，所述方法包括以下連續(xù)步驟：

本發(fā)明涉及一種將薄層(5)轉(zhuǎn)移到支承襯底(1)上的方法，該方法包括使用制備方法來制備支承襯底(1)，該制備方法包括提供在主面上具有電荷俘獲層(2)的基礎(chǔ)襯底(3)并且在電荷俘獲層(2)上形成厚度大于200nm的介電層(4)。一旦介電層(...

本發(fā)明涉及一種制造熱光組件的方法，所述方法包括以下步驟：a)提供SOI基板，該SOI基板包括：

本發(fā)明涉及一種由單晶硅制成的載體襯底(10)，載體襯底(10)具有正面(10a)和背面(10b)，并且包括：

本發(fā)明涉及一種制備薄層(1)的工藝，該工藝包括以下步驟：弱化步驟(S2)，該弱化步驟用于在供體基板(2)的中央部分(2c)中形成弱化區(qū)(3)，該弱化區(qū)(3)不延伸到供體基板(2)的外圍部分(2p)中；接合步驟(S3)，該接合步驟將供體基...

本發(fā)明涉及一種制造用于射頻應(yīng)用的絕緣體上半導(dǎo)體襯底的方法，該方法包括以下步驟：

本發(fā)明涉及一種用于表面聲波器件的混合結(jié)構(gòu)，所述混合結(jié)構(gòu)包括壓電材料的有用層，有用層具有自由的第一面和被放置在支撐襯底上的第二面，支撐襯底的熱膨脹系數(shù)低于有用層的熱膨脹系數(shù)，其中，混合結(jié)構(gòu)包括：布置在有用層的第二面上的第二中間層；位于支撐...

一種制造用于射頻器件的壓電結(jié)構(gòu)(10)的方法，所述方法的特征在于包括：提供壓電材料襯底(20)；提供載體襯底(100)；在所述壓電材料襯底(20)上提供介電結(jié)合層(1001)；經(jīng)由所述介電結(jié)合層(1001)將所述壓電材料襯底(20)接合...

本發(fā)明涉及用于制造絕緣體上半導(dǎo)體(SeOI)集成電路芯片的方法，包括以下步驟：a)提供具有夾在支撐襯底和含半導(dǎo)體的頂層之間的掩埋絕緣層的絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，頂層在整個SeOI結(jié)構(gòu)中具有第一厚度，b)構(gòu)建多個場效應(yīng)晶體管(FET)，其中各...

本發(fā)明涉及用于制造包括接收襯底和表面膜的堆疊結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟：a)提供各自具有正面和背面的載體襯底和初始襯底，b)穿過襯底中的任一個的正面注入輕離子，在載體襯底或在初始襯底中形成掩埋弱化平面，c)經(jīng)由各自正面接合載體襯底和初始襯...

本發(fā)明涉及一種制造復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法，所述復(fù)合結(jié)構(gòu)包含在由碳化硅制成的載體襯底上設(shè)置的由單晶碳化硅制成的薄層，所述方法包括：a)提供由單晶碳化硅制成的供體襯底的步驟，b)將輕物質(zhì)離子注入供體襯底中以形成隱埋脆性平面的步驟，所述隱埋脆性平面界...

本發(fā)明涉及一種用于制造絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)的方法，所述方法包括以下步驟：

本發(fā)明涉及一種對基板(1)的薄層(11)的主表面(1a)進(jìn)行蝕刻的方法，該方法包括：將基板(1)浸入蝕刻槽中，以便將主表面(1a)暴露于蝕刻劑，基板(1)按照如下方式相對于槽(100)定向，以補(bǔ)償薄層(11)的厚度非均勻性：

本發(fā)明涉及一種通過分子粘附來接合兩個半導(dǎo)體襯底的方法，所述方法包括：使第一襯底和第二襯底(2)緊密接觸以便形成具有結(jié)合界面(4)的組合件的步驟a)；以比第一預(yù)定溫度高的第一溫度對結(jié)合界面(4)進(jìn)行反應(yīng)退火的步驟b)，所述步驟b)在結(jié)合界...

本發(fā)明涉及一種制造用于射頻應(yīng)用的絕緣體上半導(dǎo)體襯底的方法，該方法包括以下步驟：

本發(fā)明涉及一種接合第一基板(100)和第二基板(200)的方法，所述方法包括以下步驟：使第一基板和第二基板接觸，并對所述第一基板和所述第二基板中的至少一個基板的外圍部分進(jìn)行加熱，所述加熱是在使基板接觸之前開始的并且至少持續(xù)到使基板在所述...

本發(fā)明涉及一種制造包括布置在由碳化硅制成的載體基板上的單晶碳化硅的薄層的復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括以下步驟：a)提供由單晶碳化硅制成的初始基板，b)在初始基板上外延生長單晶碳化硅供體層，以形成供體基板111，c)將輕物質(zhì)離子注入到供體層...

本發(fā)明涉及一種用于復(fù)合結(jié)構(gòu)的處理襯底(100)，所述處理襯底(100)包括：基礎(chǔ)襯底(12)，所述基礎(chǔ)襯底(12)由通過Czochralski拉制獲得的單晶硅晶片(1)上的硅外延層(2)構(gòu)成，所述單晶硅晶片(1)具有10到500ohm....