本發(fā)明涉及一種用于表面聲波器件的混合結(jié)構(gòu)及相關(guān)的制造方法，所述混合結(jié)構(gòu)(10)包括：壓電材料的有用層(1)，該有用層(1)被連結(jié)至具有比有用層(1)低的熱膨脹系數(shù)的支撐基板(2)；以及中間層(3)，該中間層(3)被布置在有用層(1)與支...

本發(fā)明涉及一種用于制備由含鋰鐵電材料制成的單疇薄膜(4)的方法，該方法包括提供具有自由表面(9)的第一層(8)。根據(jù)本發(fā)明，制備方法包括將第一層(8)的自由側(cè)(9)暴露于包含至少0.02％的二氧化碳的處理氣氛以形成富鋰鈍化層的表面處理和...

本發(fā)明涉及制造所謂的偽施主襯底(1、2)的兩個(gè)襯底的方法，每個(gè)偽施主襯底在載體襯底上包括至少兩個(gè)片塊，該方法包括以下連續(xù)步驟：?將至少兩個(gè)片塊(P1、P2)放置在第一載體襯底(3)上，每個(gè)片塊具有大于或等于300μm的初始厚度，以便形成...

本發(fā)明涉及一種制造用于電子功率或射頻器件的基底(15)的方法，所述方法包括以下步驟：形成支撐基底(10)，形成支撐基底(10)包括：在包括氬氣和在氫氣中流化的淀積前驅(qū)體的混合物的氣氛中通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)淀積至少一個(gè)多晶碳化硅層(...

本發(fā)明的一個(gè)方面涉及一種用于生產(chǎn)半導(dǎo)體堆疊(10)的方法，該方法包括從稱(chēng)為支承層的第一硅層(11)的以下步驟：?形成在支承層(11)之上延伸的碳化硅層(12)；以及?對(duì)該層進(jìn)行退火直至形成腔體(13)，每個(gè)腔體(13)從碳化硅層(12)...

提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(1)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(1)包括：襯底(6)；俘獲層(3)，所述俘獲層(3)位于所述襯底(6)上并且具有小于10<supgt;18</supgt;at/cm<supgt;3</supgt;的氫...

本發(fā)明涉及一種絕緣體上壓電(POI)基板(130)，其包括承載基板(100)、位于承載基板(100)的自由表面(104)上的捕獲層(102)、壓電層(114)并且特別是鉭酸鋰(LTO)或鈮酸鋰(LNO)壓電層(114)、夾在壓電層(11...

本發(fā)明涉及一種絕緣體上壓電(POI)基板(130)，該P(yáng)OI基板包括承載基板(100)，該承載基板包括位于承載基板(100)的自由表面(104)上的捕獲層(102)；壓電層(106)；中間結(jié)構(gòu)(110)，該中間結(jié)構(gòu)夾在壓電層(106)與...

本發(fā)明涉及一種絕緣體上壓電(POI)襯底(130)，該絕緣體上壓電襯底包括承載襯底(100)，該承載襯底包括位于承載襯底(100)的自由表面(104)上的捕獲層(102)；壓電層(106)；中間結(jié)構(gòu)(110)，該中間結(jié)構(gòu)夾在壓電層(10...

本發(fā)明涉及一種在基板(11)上制造壓電層(10)的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：?通過(guò)第一外延在供體基板(100)上形成第一壓電材料的假晶籽晶層(102)；?經(jīng)由適合于允許籽晶層的松弛的至少一個(gè)電絕緣層和/或至少一個(gè)導(dǎo)電層(10...

本發(fā)明涉及一種在多個(gè)硅襯底上形成相應(yīng)的碳化硅層(20)的方法，所述方法依次包括：?將多個(gè)垂直堆疊的硅基礎(chǔ)襯底(10)放置在爐中，在兩個(gè)相鄰基礎(chǔ)襯底(10)之間設(shè)置有垂直間隙；?向爐中引入含碳?xì)怏w流；?將溫度升高到形成碳化硅層(20)的溫...

本發(fā)明涉及一種用于制造用于將壓電膜轉(zhuǎn)移到最終支撐襯底上的供體襯底的方法，該方法包括以下步驟：a)提供塊狀處理襯底(102)，特別是基于硅的塊狀處理襯底；c)在該塊狀處理襯底(102)上方提供壓電材料(114,142)，其特征在于，該方法...

本發(fā)明涉及一種將多晶碳化硅板的正面拋光的方法，所述多晶碳化硅板包括在研磨作用下至少部分加工損傷的表面區(qū)域，所述方法包括：?旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的砂輪和多晶碳化硅板相對(duì)運(yùn)動(dòng)，所述相對(duì)運(yùn)動(dòng)在旋轉(zhuǎn)砂輪與所述板的正面接觸的情況下進(jìn)行，直至從所述多晶碳化硅板...

本發(fā)明涉及一種制備由含鋰鐵電材料制成的單疇薄層(4)的方法。所述方法包括提供由含鋰鐵電材料制成的第一單疇層(8)，所述層結(jié)合到載體(2)，第一層(8)具有富鋰表面厚度(11)。制備方法包括對(duì)第一層(8)的自由側(cè)(9)進(jìn)行濕法清潔的第一步...

本發(fā)明涉及單晶層、特別是壓電層的制造方法。所述方法包括以下連續(xù)步驟：提供包含具有A’B’O<subgt;3</subgt;組成的壓電材料的供體襯底(100)；在壓電材料A’B’O<subgt;3</subgt;上...

本發(fā)明涉及一種用于制造壓電或半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，其包括以下連續(xù)步驟：(a)提供供體襯底(11)，其包括壓電或半導(dǎo)體層(5)，(b)提供受體襯底(12)，(c)處理該供體襯底(11)的自由表面(7)和/或該受體襯底(12)的自由表面(9)，...

本發(fā)明涉及一種結(jié)構(gòu)(1)，該結(jié)構(gòu)包括由布置在基礎(chǔ)基板(2a)的表面上的電荷俘獲層(2b)制成的支承體(2)，并且包括由鋰基材料制成并轉(zhuǎn)移到支承體(2)上的薄膜(4)。結(jié)構(gòu)(1)包括布置在支承體(2)與薄膜(4)之間并與支承體(2)和薄膜...

本發(fā)明涉及一種用于制造結(jié)構(gòu)(1)的方法，該結(jié)構(gòu)包括借助于介電層(3)接合到支撐體(2)上的薄層(4)，該支撐體包括布置在基礎(chǔ)襯底(2a)的表面上的電荷俘獲層(2b)。該方法包括對(duì)該支撐體的主面的暴露表面和/或?qū)w襯底的主面的暴露表面施...

在具有非平坦表面的支撐件上制造膜的方法。本發(fā)明涉及一種在具有非平坦表面的支撐件(20)上制造膜(12)的方法，其特征在于，該方法包括：?供應(yīng)具有非平坦表面的供體襯底(10)，?在供體襯底(10)中形成脆化區(qū)(11)以界定待轉(zhuǎn)移的所述膜(...

本發(fā)明涉及一種彈性波器件的制造方法，該彈性波器件被配置為在小于1GHz的頻率下工作并且形成在POI襯底上，形成該P(yáng)OI襯底包括以下步驟：?a)在LiTaO<subgt;3</subgt;襯底(210)中注入物質(zhì)以形成有用層(...