本申請公開了一種電源完整性修復方法、裝置及存儲介質，屬于半導體技術領域，所述電源完整性修復方法包括獲取版圖電源分配網絡數據，執行電壓降分析和電遷移分析，生成電壓降分布數據和電遷移熱點數據；識別相鄰金屬層中符合最小打孔規則且與電壓降差值及...

本申請提供了一種半導體器件及其制備方法、存儲器和存儲系統，該半導體器件包括多個存儲單元、第一保護層、第二保護層和第三保護層，存儲單元包括依次堆疊的第一電極、選通層、第二電極、相變層和第三電極；第一保護層圍繞所述選通層的側壁；第二保護層圍...

本申請公開了一種漏電檢測方法以及電子設備，存儲器包括若干條第一導電線、若干條第二導電線和若干存儲單元，每條第一導電線耦接至少一個存儲單元，每條第二導電線耦接至少一個存儲單元，每個存儲單元分別耦接一條第一導電線和一條第二導電線。方法包括：...

本申請公開了一種隨機數產生器和電子設備，屬于電子器件技術領域。隨機數產生器包括：隨機單元，包括選通器，選通器用于根據所獲取的電流信號切換工作狀態，工作狀態包括第一態，且選通器在第一態輸出第一電壓信號，第一電壓信號的頻率為非周期性頻率；生...

本申請提出一種僅選擇器存儲器的操作方法和僅選擇器存儲器。該方法包括：從多個存儲單元中確定出目標單元；對目標單元進行置位操作，置位操作包括：對目標單元施加第一電壓信號，第一電壓信號的下降沿持續時間為第一預設時長；對目標單元進行復位操作，復...

本公開提供了一種存儲器裝置和存儲器系統，所述存儲器裝置包括至少一個存儲單元；所述存儲單元包括沿第一方向依次堆疊排布的第一電極結構、雙功能結構和第二電極結構；其中，所述雙功能結構至少包括第一雙功能層和第二雙功能層；所述第一雙功能層在所述第...

本公開提供了一種僅選擇器存儲器，該僅選擇器存儲器包括多個存儲單元和與多個存儲單元耦接的外圍電路，外圍電路被配置為：對目標存儲單元執行多次編程操作以使目標存儲單元存儲多位數據，編程操作包括：對目標存儲單元耦接的第一導電線施加對應的第一編程...

本申請公開了一種半導體器件的形成方法和半導體器件，第二掩模層中具有第一開孔，第一掩模層中形成有與第一開孔連通的第二開孔，第一開孔的第一投影圖形在第二開孔的第二投影圖形的范圍內。以第二掩模層為掩模對介質層進行刻蝕，在介質層中形成初始接觸槽...

本申請公開了一種半導體器件的形成方法和半導體器件，先在襯底上形成第一導電層，然后在第一導電層上形成掩模層，掩模層的材料包括碳，以掩模層為掩模，對第一導電層進行刻蝕形成多條第一導電線。在對第一導電層進行刻蝕的工藝中，第一導電層相對于掩模層...

本申請公開了一種集成電路版圖驗證方法及其裝置，屬于集成電路設計技術領域，所述方法包括從集成電路版圖中獲取所選目標單元的排布信息；根據設計規則間距要求對所述目標單元的待檢測金屬線進行外擴處理，生成輔助層圖形；根據所述排布信息對所述輔助層圖...

本申請公開了一種版圖電源分析方法、裝置以及存儲介質，屬于半導體技術領域，所述方法包括：從導入的集成電路版圖數據中提取各器件的物理參數以及電源網絡的寄生電阻參數；根據物理參數計算各器件的電流源到地電流分配值，并將電源網絡的拓撲結構轉換為包...

本申請公開了一種半導體器件的形成方法和半導體器件，先在第一存儲疊層上形成第一掩膜層，第一掩膜層覆蓋陣列區和部分觸點區的第一存儲疊層，以第一掩膜層為掩膜對第一存儲疊層進行刻蝕，形成位于陣列區的陣列疊層以及位于觸點區的冗余疊層和第一凹槽。然...

本申請公開一種三維僅選擇存儲器的數據操作方法、三維僅選擇存儲器、存儲電子設備及介質，屬于半導體技術領域，該方法先施加初始電流脈沖，通過驗證讀取檢測單元電學特性參數；若未達預設目標狀態閾值，則根據增量步脈沖編程模式或恒步脈沖編程模式生成補...

本申請公開了一種存儲器的讀刷新能力的測試方法以及存儲器、電子設備、計算機存儲介質。方法包括：向存儲器的樣本地址寫入數據；經過預設寫讀延遲時間后，基于預設讀取信息對樣本地址執行多次讀取操作，獲取多個讀取數據組，每個讀取數據組包括讀取操作次...

本申請公開了一種存儲器的形成方法以及存儲器。所述方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成器件層，所述器件層包括存儲單元；在所述器件層遠離所述襯底的一側形成第一介質層以及第二介質層，所述第二介質層位于所述第一介質層遠離所述器件層的一側，所述第...

本申請公開了一種存儲器及其制備方法，涉及存儲器技術領域，用于解決現有第一導電層與選通膜層同步刻蝕，會導致選通膜層出現形貌改變，進而影響存儲器性能的問題。本申請提供的存儲器的制備方法包括：形成第一導電層；在第一導電層的表面形成存儲結構層，...

本申請提供了一種半導體器件的形成方法和半導體器件，該形成方法包括：提供襯底；在襯底上形成存儲疊層以及位于存儲疊層上的掩膜層，存儲疊層包括依次疊置的第一電極層、初始存儲層和第二電極層；以掩膜層為掩膜，對初始存儲層進行若干次等離子體刻蝕處理...

本申請涉及一種存儲器的形成方法和存儲器，其包括提供基底；在存儲區的基底上形成間隔排布的堆疊結構和填充于堆疊結構之間的第一介質層，堆疊結構包括：第一導電層、存儲結構以及位于存儲結構頂部表面的犧牲層；去除各犧牲層，形成相對于第一介質層表面凹...

本申請實施例提供一種存儲器的操作方法、存儲器及介質，其中，存儲器包括存儲陣列，存儲陣列包括待操作存儲組，待操作存儲組包括若干相鄰的存儲單元，操作方法包括：獲取待操作存儲組的當前邏輯值；在當前邏輯值與目標邏輯值不一致的情況下，對待操作存儲...

本申請提供一種相變存儲器，該相變存儲器包括：相變存儲單元；第一阻擋層，覆蓋于相變存儲單元的側壁；第二阻擋層，覆蓋于第一阻擋層遠離相變存儲單元的一側；第一阻擋層和第二阻擋層中至少一者為疊層結構；疊層結構包括第一子阻擋層、第二子阻擋層以及位...